基板抛光方法、半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示了基板抛光方法、半导体装置和半导体装置的制造方法，由此可以取得高平整度的抛光。在基板抛光方法中，采用两种或者更多种不同的浆料，它们由布鲁诺－埃麦特－泰勒值彼此不同的二氧化铈研磨剂颗粒形成，对基板上的抛光目标氧化膜进行两级或者多级化学机械抛光工艺，以平坦抛光目标氧化膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板抛光，特别是，涉及应用于抛光目标为薄板形式例如液 晶面板基板的整平抛光的基板抛光方法。本专利技术还涉及采用基板抛光方法所制造的半导体装置以及半导体装置 的制造方法。
技术介绍
在相关技术中，采用其中氮化硅或者氮化硅的水合物分布成胶状的胶状 悬浮液，或者胶状硅土作为抛光剂，即用作抛光成分(在下文称为浆料)， 用于抛光由硅晶片和化学晶片等形成的半导体基板(在下文称为晶片)的表面。此外，作为抛光方法，化学机械抛光(CMP)是通常公知的，其中晶片 设置在抛光工作台上，在工作台上伸展有由泡沫构件、合成树脂(聚氨酯等) 或者无纺纤维形成的抛光布，并且在抛光头压向晶片并且旋转晶片的同时， 浆料定量供给晶片以进行抛光。作为浆料，采用通过裂化硅粒子使其形成分散到含有碱性成分的溶液中 的精细的胶状硅土所制备的溶液，例如，如美国专利3328141号所揭示。这 样的抛光应用了浆料的碱性成分的化学作用，尤其是对晶片等的腐蚀作用。 具体而言，通过碱的腐蚀作用，薄且软的腐蚀层形成在晶片等的表面上，并 且该薄层通过精细胶状硅粒子的机械作用陆续去除而推进抛光。同时，日本专利申请公开平11-1356本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板抛光方法，包括如下步骤：　　　　采用由布鲁诺－埃麦特－泰勒值彼此不同的二氧化铈研磨剂颗粒形成的两种或者多种不同的浆料，对基板上的抛光目标氧化膜进行两级或者多级化学机械抛光工艺，以平坦该抛光目标氧化膜。

【技术特征摘要】
JP 2007-2-16 036621/071、一种基板抛光方法，包括如下步骤采用由布鲁诺-埃麦特-泰勒值彼此不同的二氧化铈研磨剂颗粒形成的两种或者多种不同的浆料，对基板上的抛光目标氧化膜进行两级或者多级化学机械抛光工艺，以平坦该抛光目标氧化膜。2、 根据权利要求1所述的基板抛光方法，其中该两级或者多级化学机 才成4旭光工艺包4舌第一抛光工艺步骤，采用由第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值的二氧化铈研磨 剂颗粒形成的浆料，在下层图案密集形成的部分上抛光该抛光目标氧化膜；和第二抛光工艺步骤，采用由低于该第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值的第二布 鲁诺-埃麦特-泰勒值的二氧化铈研磨剂颗粒形成的另 一种浆料，在下层图案 非密集形成的部分上抛光该抛光目标氧化膜。3、 根据权利要求2所述的基板抛光方法，其中该第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值为15到30m2/g，并且该第二布鲁诺-埃麦特-泰勒值为5到10m2/g。4、 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤采用由布鲁诺-埃麦特-泰勒值彼此不同的二氧化铈研磨剂颗...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村宽子，上月贵晶，榎本贵幸，山本雄一，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]