电荷捕获型存储装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种电荷捕获型存储装置和一种制造电荷捕获型存储装置的方法。电荷捕获型存储装置可包括基底上的隧道绝缘层、隧道绝缘层上的电荷捕获层和电荷捕获层上的由包含Ｇｄ或更小镧系元素的材料形成的阻挡绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

示例实施例涉及一种半导体存储装置以及一种制造该半导体存储装置的 方法。其它示例实施例涉及一种具有阻挡绝缘层的电荷捕获型存储装置和一 种制造该电荷捕获型存储装置的方法，其中，所述阻挡绝缘层由同时确保相 对高的介电常数和相对大的能带间隙的材料形成。
技术介绍
在半导体存储装置中，非易失性存储装置是即使电源断开时也能保存存 储的数据的存储介质。存储单元是非易失性半导体存储装置中的基本元件， 存储单元的构造可根据非易失性存储装置的应用领域而改变。在作为具有增大的容量的非易失性半导体存储装置的NAND型闪速存储装置中，晶体管的 栅极可包括控制栅极和存储电荷(例如，数据)的浮置栅极，其中，浮置栅 极和控制栅极顺序堆叠。在闪速存储装置中，为了满足提高存储器容量的需求，可以减小存储单 元的尺寸。另外，根据存储单元尺寸的减小，浮置栅极的高度在垂直方向可 被有效地减小。为了减小存储单元在垂直方向的高度，并同时保持存储单元 的存储特性(例如，在相对长的时间内保持数据存储的保持特性)，已经提出 了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-半导体(SONOS)而不是浮置栅极的半导体 存储装置或者具有金属-氧化物-绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电荷捕获型存储装置，包括：隧道绝缘层，位于基底上；电荷捕获层，位于隧道绝缘层上；阻挡绝缘层，由包含Ｇｄ或更小镧系元素的材料形成，并位于电荷捕获层上。

【技术特征摘要】
KR 2007-3-9 10-2007-00236751、一种电荷捕获型存储装置，包括隧道绝缘层，位于基底上；电荷捕获层，位于隧道绝缘层上；阻挡绝缘层，由包含Gd或更小镧系元素的材料形成，并位于电荷捕获层上。2、 根据权利要求1所述的电荷捕获型存储装置，其中，阻挡绝缘层由包 含Gd或更小镧系元素以及铝的材料形成。3、 根据权利要求2所述的电荷捕获型存储装置，其中，阻挡绝缘层由包 含Gd或更小镧系元素的组合的材料形成，所述组合具有式(Ln) -Al-O。4、 根据权利要求2所述的电荷捕获型存储装置，其中，阻挡绝缘层由包 含Gd或更小镧系元素、铝以及氮的材料形成。5、 根据权利要求4所述的电荷捕获型存储装置，其中，阻挡绝缘层由 GdA10N形成。6、 根据权利要求1所述的电荷捕获型存储装置，其中，电荷捕获层由包 含硅的材料形成。7、 根据权利要求6所述的电荷捕获型存储装置，其中，电荷捕获层包含 SiN材料。8、 根据权利要求1所述的电荷捕获型存储装置，其中，电荷捕获层由从 多晶硅、氮化物材料、纳米点和高k介电材料中选择的一种材料形...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔相武，薛光洙，朴祥珍，成政宪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]