具有晶粒功能之半导体封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种具有伪晶粒之半导体封装结构，包含第一基底具有晶粒置入穿孔形成于其上；第一晶粒具有第一连接垫及第二晶粒具有第二连接垫，且分别配置于晶粒置入穿孔之内；黏着层形成于第一晶粒与第二晶粒间之间隙及第一基底之晶粒置入穿孔之侧壁；重布线形成以将第一基底上之第一接触垫分别耦合至第一连接垫与第二连接垫；以及保护层形成于重布线、第一晶粒、第二晶粒及第一基底之上。

【技术实现步骤摘要】
具有晶粒功能之半导体封装结构方法
本专利技术系有关一种半导体装置封装之结构，特别是关于一种 具有伪晶粒功能之半导体封装之结构，因此得以縮减封装尺寸及 增进良率与可靠度。
技术介绍
近年来'，高科技电子制造产业日益趋向更精致(feature-packed)与人性化(humanized)之电子产品。快速发展之半 导体技术更将半导体封装导向縮减之尺寸，因而采用多重接脚 (multi-pin)、 良好间距(fine pitch)、 小型化(minimization)之电子 组件(electric components)及其相似物。由于一般封装技术必须先将晶圆上之晶粒分割为个别晶粒， 再将晶粒分别封装，因此上述技术之制程十分费时。由于晶粒封 装技术与集成电路之发展有密切关联，因此封装技术对于电子组 件之尺寸要求越来越高。基于上述之理由，现今之封装技术已逐 渐趋向采用球门阵列封装(ball grid array, BGA)、覆晶球门阵列 封装(flip chip ball grid array, FC-BGA)、芯片尺寸封装(chip size package, CSP)、晶圆级封装(Wafer本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置封装之结构，其特征在于：包含：　第一基底具有晶粒置入穿孔；　第一晶粒具有第一连接垫及第二晶粒具有第二连接垫，且分别配置于该晶粒置入穿孔之内；　黏着层形成于该第一晶粒与该第二晶粒间之间隙及该第一基底之该晶粒置入穿孔之侧边；以及　重布线形成以将该第一基底上之该第一连接垫分别耦合至该第一连接垫与该第二连接垫。

【技术特征摘要】
US 2007-6-26 11/819,1931.一种半导体装置封装之结构，其特征在于包含第一基底具有晶粒置入穿孔；第一晶粒具有第一连接垫及第二晶粒具有第二连接垫，且分别配置于该晶粒置入穿孔之内；黏着层形成于该第一晶粒与该第二晶粒间之间隙及该第一基底之该晶粒置入穿孔之侧边；以及重布线形成以将该第一基底上之该第一连接垫分别耦合至该第一连接垫与该第二连接垫。2. 根据权利要求l所述之半导体装置封装之结构， 其特征在于更包含伪晶粒形成于该第一基底之 上。3. 根据权利要求1所述之半导体装置封装之结构， 其特征在于更包含介电层形成于该重布线之上。4. 根据权利要求1所述之半导体装置封装之结构， 其特征在于更包含保护层形成于该重布线、该 第一晶粒、该第二晶粒及第一基底之上，且暴露 该第一连接垫之表面。5. 根据权利要求1所述之半导体装置封装之结构， 其特征在于更包含一金属或导电层形成于该第 一基底之该晶粒置入穿孔中之侧壁。6. 根据权利要求1所述之半导体装置封装之结构， 其特征在于更包含第二基底具有第二接触垫与 电路线形成于其中。7. 根据权利要求 6所述之半导体装置封装之结构， 其特征在于其中该第二接触垫系利用复数连接 线而耦合至该第一接触垫。8. ...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文焜，张瑞贤，李基城，杨文彬，
申请(专利权)人：育霈科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]