散热型封装结构及其制法制造技术

本发明专利技术公开了一种散热型封装结构及其制法，是将半导体芯片以其主动面接置并电性连接至芯片承载件，且于该芯片承载件上接置一具散热部及支撑部的散热件，以供半导体芯片容置于该散热部及支撑部所形成的容置空间中，其中该散热部形成有对应于半导体芯片的开孔，接着形成一用以包覆该半导体芯片及散热件的封装胶体，再薄化该封装胶体以移除该半导体芯片上的封装胶体，以使该半导体芯片非主动面及散热部顶面外露出该封装胶体，从而通过简化制程步骤及成本的方式制得散热型封装结构，同时避免现有技术中封装模压制程中压损芯片问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装结构及其制法，特别是涉及一种得以 供半导体芯片有效散热的散热型半导体封装结构及其制作方法。
技术介绍
传统半导体封装件为避免内部的半导体芯片受到外界水尘污染， 因此必须在半导体芯片上覆盖一封装胶体以与外界隔绝，但是构成该 封装胶体的封装树脂为一热传导性甚差的材料，其热导系数仅为0.8w/m°K，是以，半导体芯片运行时产生的热量无法有效通过该封装胶 体传递到外界，导致热积存现象产生，使芯片性能及使用寿命备受考 验。因此，为提高半导体封装件的散热效率，遂有于封装件中增设散 热件的构想应运而生。但是，若散热件亦为封装胶体所完全包覆时，半导体芯片产生的 热量的散热途径仍须通过封装胶体，散热效果的提升仍然有限，甚而 无法符合散热的需求，因而，为有效逸散芯片热量，其一方式是使散 热件充分显露出该封装胶体，相对另一方式是使半导体芯片的表面直 接外露出封装胶体，以供半导体芯片产生的热量得由外露于大气中的 表面直接逸散。请参阅图1A所示，美国专利第5， 450， 283号即公开了一种直接外 露出半导体芯片表面的半导体封装件，该半导体封装件10是使半导体 芯片11的顶面外露出用以包覆该半导体芯片11的封装胶体14。由于 该半导体芯片11的顶面外露出封装胶体14而直接与大气接触，故该 半导体芯片11产生的热量可直接逸散至大气中，其散热途径不需通经 封装胶体14，藉以增加散热效率。请配合参阅图1B，然而，该种半导体封装件10在制造上存在有若 干的缺点。首先，该半导体芯片11黏接至基板12后，并置入封装模 具的模腔15中以进行形成该封装胶体14的模压作业(Molding)时，须先将一胶片(Tape) 13黏置于模腔15的顶壁上，从而使封装模具合模后 该半导体芯片11的顶面得通过该胶片13顶抵至模腔15的顶壁，以避 免该半导体芯片11的顶面上形成有溢胶(Flash);然而，若该半导体 芯片11于基板12上的黏接高度控制不佳而导致该黏接有该半导体芯 片11的基板12的整体高度过低，使该半导体芯片11的顶面未能通过 该胶片13有效地顶抵至模腔15的顶壁，而于两者间形成有间隙时， 用以形成该封装胶体14的封装化合物即会溢胶于该半导体芯片11的 顶面上。 一旦该半导体芯片11的顶面上形成有溢胶，除会影响该半导 体芯片ll的散热效率外，还会造成制成品的外观上的不良，故往往须 予去胶(Deflash)的后处理；然而，是种去胶处理不但耗时，增加封装 成本，且亦会导致制成品的受损。反之，若该黏接有该半导体芯片11 的基板12的整体高度过高，导致该半导体芯片11通过该胶片13顶抵 住模腔15的顶壁的力量过大，则往往会使质脆的该半导体芯片11因 过度的压力而裂损(Crack)。同时，封装模具的合模压力仍会经由该胶片13传递至该半导体芯 片11，而造成该半导体芯片11的裂损，故令封装完成的制成品的良率 无法有效提升，亦令其制造费用难以降低。鉴于前述现有技术的缺陷，美国第6， 458, 626号(如图2A至图2C)、 第6， 444， 498号(如图3)、以及第6， 699， 731号(如图4)专利(专利权 人均同于本申请的申请人)，揭露一种可将散热件直接黏置于半导体芯 片上而不会产生压损芯片或溢胶问题，或可直接使半导体芯片表面外 露的半导体封装件。如图2A所示，该半导体封装件乃在散热件21欲外露于大气中的 表面上形成一与封装胶体24间的接合性差的接口层25，再将该散热件 21直接黏置于一接置在基板23的半导体芯片20上，继而进行封装模 压制程，以使封装胶体24完全包覆该散热件21及半导体芯片20，并 使封装胶体24覆盖于散热件21的接口层25上(如图2A所示)，如此， 封装模压制程所使用的模具的模腔的深度乃大于半导体芯片20与散热 件21的厚度和，故在模具合模后，模具不会触及散热件21而使半导 体芯片20无受压导致裂损的问题;接着，进行切割作业(如图2B所示)， 并将散热件21上方的封装胶体24去除，其中当形成于散热件21上的接口层25(例如为镀金层)与散热件21间的黏结性大于其与封装胶体 24间的黏结性时，将封装胶体24剥除后，该接口层25仍存留于散热 件21上，但因接口层25与封装胶体24间的黏结性差，封装胶体24 不致残留于接口层25上(如图2C所示)，故无溢胶的问题。相对地， 当形成于散热件21上的接口层25(例如为聚亚酰胺树脂制成的胶黏片) 与散热件21间的黏结性小于其与封装胶体24间的黏结性时，将封装 胶体24剥除后，该接口层25会黏附于封装胶体24上而随之去除(如 图3所示)，故该散热件21上亦不会形成溢胶。亦或如图4所示，该种半导体封装件是于半导体芯片31上形成一 附有接口层333的金属材料的覆接片33，以通过形成该封装胶体34 的封装化合物的热膨胀系数不同于接口层333的关系，使黏结性差的 接口层333与该半导体芯片31及形成于该半导体芯片31周围的封装 胶体34间的接口产生脱层，如此即可轻易地将该接口层333、覆接片 33、及形成于该覆接片33上的封装化合物340自该半导体芯片31表 面及形成于该半导体芯片31周围的封装胶体34的表面上轻易地撕除， 使该半导体芯片31表面能外露出封装胶体34，以让该半导体芯片31 产生的热量得由外露于大气中的表面直接逸散。且在模压的过程中， 由于该半导体芯片31的表面是完全由接口层333所覆接，因此不会于 半导体芯片31表面残留任何封装化合物，故毋须进行任何去除溢胶的 后处理，而可降低封装成本并确保制成的半导体封装件外观的良好。但是于前述的半导体封装件制程过于繁琐且成本高，不利半导体 封装业界实际操作应用。因此，如何提供一种于封装模压制程时不致压伤半导体芯片，同 时制程简便且成本较低的散热型封装结构及制法，实为目前亟待解决 的问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的一目的在于提供一种散 热型封装结构及其制法，得以有效逸散半导体芯片运行时产生的热量。本专利技术的再一目的在于提供一种散热型封装结构及其制法，不致 于封装模压过程中压伤半导体芯片。本专利技术的另一目的在于提供一种散热型封装结构及其制法，得以 降低制程成本及简化制程步骤。为达到上述及其它目的，本专利技术的散热型封装结构制法，包括 提供至少一具相对主动面及非主动面的半导体芯片，以将该半导体芯片主动面通过覆晶方式接置并电性连接于芯片承载件上；于该芯片承 载件上接置一散热件，该散热件具有一散热部、 一自该散热部向下延 伸的支撑部、以及一形成于该散热部的开孔，以供该散热件通过该支 撑部而架撑于该芯片承载件上，同时使该半导体芯片容置于该散热部 与该支撑部所构成的容置空间中，并使该散热部的开孔对应于该半导 体芯片非主动面的上方；进行封装模压作业，以于该芯片承载件上形 成一包覆该半导体芯片及散热件的封装胶体；以及薄化该半导体芯片 上方的封装胶体，藉以外露出该半导体芯片非主动面及散热部顶面。 该芯片承载件可采用基板或导线架型式。通过前述的制法，本专利技术还提供一种散热型封装结构，包括芯 片承载件；半导体芯片，具相对的主动面及非主动面，该半导体芯片 是以其主动面接置并电性连接至该芯片承载件上；散热件，具有一散 热部、 一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种散热型封装结构制法，包括：　提供至少一具相对主动面及非主动面的半导体芯片，以将该半导体芯片主动面通过覆晶方式接置并电性连接于芯片承载件上；　于该芯片承载件上接置一散热件，该散热件具有一散热部、一自该散热部向下延伸的支撑部、以及一形成于该散热部的开孔，以供该散热件通过该支撑部而架撑于该芯片承载件上，同时使该半导体芯片容置于该散热部与该支撑部所构成的容置空间中，并使该散热部的开孔对应于该半导体芯片非主动面的上方；　进行封装模压作业，以于该芯片承载件上形成一包覆该半导体芯片及散热件的封装胶体；以及　薄化该半导体芯片上方的封装胶体，藉以外露出该半导体芯片非主动面及散热部顶面。

【技术特征摘要】
1.一种散热型封装结构制法，包括提供至少一具相对主动面及非主动面的半导体芯片，以将该半导体芯片主动面通过覆晶方式接置并电性连接于芯片承载件上；于该芯片承载件上接置一散热件，该散热件具有一散热部、一自该散热部向下延伸的支撑部、以及一形成于该散热部的开孔，以供该散热件通过该支撑部而架撑于该芯片承载件上，同时使该半导体芯片容置于该散热部与该支撑部所构成的容置空间中，并使该散热部的开孔对应于该半导体芯片非主动面的上方；进行封装模压作业，以于该芯片承载件上形成一包覆该半导体芯片及散热件的封装胶体；以及薄化该半导体芯片上方的封装胶体，藉以外露出该半导体芯片非主动面及散热部顶面。2. 根据权利要求1所述的散热型封装结构制法，其中，该芯片承 载件为基板及导线架的其中一者。3. 根据权利要求1所述的散热型封装结构制法，其中，该半导体 芯片是通过多个导电凸块以将其主动面电性连接至该芯片承载件。4. 根据权利要求1所述的散热型封装结构制法，其中，该散热部 开孔的尺寸大于半导体芯片平面尺寸。5. 根据权利要求1所述的散热型封装结构制法，其中，该薄化作 业是利用研磨技术移除覆盖于该半导体芯片非主动面上方的封装胶 体。6. 根据权利要求5所述的散热型封装结构制法，其中，该薄化作 业中亦同时研磨掉部分散热部。7. 根据权利要求1所述的散...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪敏顺，蔡和易，黄建屏，萧承旭，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]