【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】 相关申请的交叉引用本申请是于2005年12月27日提交的序列号为11/318846的U.S.专利 申请的继续申请,将其公开内容并入本文中作为参考。
技术介绍
通常通过以下方式形成半导体芯片对被称为晶片的由半导体材料构 成的大的平坦主体进行加工以形成大量区域,每一个区域包含将被结合在 单个芯片中的电子电路,然后沿着切割线切割晶片以切割晶片并由此形成 单独的芯片。每一芯片通常为具有大体平坦的正表面和背表面并在这些表 面的边界处具有在正表面与背表面之间延伸的小边缘的平坦矩形主体。每 一个芯片通常具有暴露在正表面的触点,其电连接到芯片内的电路。通常将单独的芯片设置在封装中,其有助于处理芯片以及将安装芯片 到诸如电路板或其它印刷电路板的外部基板。这种封装通常包括电介质结 构和承载在电介质结构上的导电端子,所述端子电连接到芯片的触点。在 被称为芯片级封装的封装类型中,封装在电路面板上占据的面积仅稍大于 芯片正表面本身的面积或与其尺寸相同。例如,如在U.S.专利5679977中所公开的那样,将其公开内容并入本 文中作为参考,端子可以相对于芯片移动。在某些实施例中,封装可以包 括覆盖芯片表面且承载端子的柔顺性层。端子相对于芯片的可动性可以补 偿在制造、使用期间或这两种情况下的芯片和电路板之间的不同热膨胀。 而且,端子相对于芯片的可动性可以有助于所封装的芯片与测试装置的接 合。在这种接合期间,单独的端子可以在朝向或远离芯片的正表面或背表 面的方向上移动,其通常被称为垂直或Z方向。在该方向上的移动有助 于所有端子与测试装置上的所有触点的接合,即使端子彼此不精确共面也 是如此。芯片 ...
【技术保护点】
一种制造芯片组件的方法,包括: (a)形成电介质结构以便通过模具的工作表面使所述电介质结构的第一表面成形; (b)将所述电介质结构转移到包括一个或多个芯片区的晶片元件的表面上,以便所述电介质结构的第一表面背对所述晶片元件,而所述电介质结构的第二表面面向所述晶片元件; (c)在所述电介质结构的所述第一表面上设置端子;以及 (d)将所述端子电连接到所述晶片元件的触点。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-12-27 11/318,8461、一种制造芯片组件的方法,包括(a)形成电介质结构以便通过模具的工作表面使所述电介质结构的第一表面成形;(b)将所述电介质结构转移到包括一个或多个芯片区的晶片元件的表面上,以便所述电介质结构的第一表面背对所述晶片元件,而所述电介质结构的第二表面面向所述晶片元件;(c)在所述电介质结构的所述第一表面上设置端子;以及(d)将所述端子电连接到所述晶片元件的触点。2、 如权利要求1所述的方法,其中形成步骤包括使所述电介质结构具 有多个间隔的背离所述第二表面突出的突起,并且设置端子的步骤包括在 所述突起上设置至少一些所述端子。3、 如权利要求2所述的方法,其中所述电介质结构包括所述突起之间 的间隙。4、 如权利要求3所述的方法,其中至少一些所述突起是远离所述电介 质结构的其它部分的绝缘突起,该方法还包括在形成步骤与转移步骤之间 使所述绝缘突起保持在相对于所述电介质结构的所述其它部分的适当位置 处。5、 如权利要求4所述的方法,其中所述电介质结构仅由所述绝缘突起 构成。6、 如权利要求l所述的方法,其中执行所述形成步骤以便在远离所述 第一表面的所述电介质结构中形成空腔,并且执行所述设置端子的步骤以 便设置至少一些与所述空腔对准的所述端子。7、 如权利要求6所述的方法,还包括设置打开到所述芯片组件外部的 通气孔的步骤,所述通气孔与至少一些所述空腔相通。8、 如权利要求1所述的方法,其中设置端子的步骤包括在所述模具的工作表面上设置金属层,以便在形成步骤期间将金属层设置在所述电介 质结构的所述第一表面与所述模具之间并在转移步骤期间将所述金属层与 所述电介质结构一起转移。9、 如权利要求1所述的方法,其中设置端子的步骤包括在转移步骤之 后在所述电介质结构的所述第一表面上沉积金属层。10、 如权利要求9所述的方法,其中沉积金属层的步骤包括将部分所 述金属层沉积在所述晶片的正表面上和暴露于所述正表面的所述晶片元件 的触点上并对所述金属层进行构图以便所述金属层包括多个分离的金属元 件,每一个所述金属元件包括所述电介质结构上的端子和将该端子连接到 所述晶片元件的触点的迹线。11、 如权利要求10所述的方法,其中沉积所述金属层的步骤包括形成 基本上连续的层,并且构图步骤包括细分连续层以形成所述分离的金属元 件。12、 如权利要求10所述的方法,其中沉积所述金属层的步骤包括选择 性沉积金属以形成彼此分离的金属元件。13、 如权利要求1所述的方法,其中转移步骤包括在形成步骤之后 将在其上具有所述电介质结构的模具放置在所述晶片元件的正表面上,将所述电介质结构的所述第二表面结合到所述晶片元件的所述正表面,并且 然后除去所述模具。14、 如权利要求13所述的方法,其中所述模具和所述晶片元件具有基本上相等的热膨...
【专利技术属性】
技术研发人员:B哈巴,I穆罕默德,CS米切尔,M沃纳,JB汤普森,
申请(专利权)人:泰塞拉公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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