一种ＴＦＴ阵列检测装置，以缩短ＴＦＴ阵列基板的各种缺陷检测所需的时间。此ＴＦＴ阵列检测装置通过优化能量过滤器的电压条件来提高检测信号的检测效率。该检测装置将驱动信号供给到ＴＦＴ阵列基板而驱动此ＴＦＴ阵列基板，并对向以此受到驱动的ＴＦＴ阵列基板的像素照射电子束而获得的二次电子进行能量筛选而进行检测，根据所获得的二次电子信号强度来检测ＴＦＴ阵列基板的缺陷，此ＴＦＴ阵列检测装置包括：能量过滤器，进行能量筛选；及二次电子检测器，对通过能量过滤器后的二次电子进行检测。能量过滤器的电位与驱动信号的信号波形同步切换。通过使能量过滤器的电位与驱动信号的信号波形同步，可根据驱动图案而将二次电子检测的检测条件设定为最佳，而提高检测效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于对液晶显示器(liquid crystal display)及有 机电致发光显示器(ElectroLuminescence display )等中使用的TFT ( thin film transistor,薄膜晶体管)阵列(array)基板进行检测的TFT阵列 检测装置，特别是涉及一种通过使用电子束(electron beam)来测定样品 电位，以进行基板的缺陷检测(defect inspection)的TFT阵列检测装置。
技术介绍
就液晶基板或有机电致发光基板等的形成TFT阵列的半导体基板的制 造过程而言，在制造过程中包括TFT阵列检测工序，在此TFT阵列检测工 序中进行TFT阵列的缺陷检测。TFT阵列用作例如选择液晶显示装置的像素电极的开关元件 (switching element )。具备TFT阵列的基板中，例如平行配设着作为扫 描线(scanning line)而发挥功能的多根门线(gate line),并且与门线 正交配设着记作信号线的多根源线(source line),在两根线交叉的部分 附近配设TFT (Thin film transistor,薄膜晶体管)，使像素电极连接于 此TFT。液晶显示装置是由设置在上述TFT阵列的基板与对向基板之间夹着液 晶层而构成，且在对向基板所具备的对向电极(opposite electrode)与 像素电极之间形成像素电容。除上述像素电容以外，储存电容(storage capacitor, Cs )也连接于像素电极。此储存电容(Cs )的其中一端连接于 像素电极，而另一端则连接于公用线(common line)或者门线。连接于公 用线的构成的TFT阵列是Cs on Com型TFT阵列，连接于门线的构成的TFT 阵列则是Cs on Gate型TFT阵列。此TFT阵列中，因扫描线(门线)或信号线(源线)的断线、扫描线 (门线)与信号线(源线)的短路、驱动像素的TFT的特性不良所导致的 像素缺陷等的缺陷检测，例如是通过如下方式来进行的，即，使对向电极 接地，以既定间隔来对门线的全部或者一部分施加例如-15 V~+15 V的直 流电压，并对源线的全部或者一部分施加检测信号(例如专利文献1的先 前技术)。TFT阵列检测可通过对TFT阵列输入检测用的驱动信号，并检测 此时的电压状态来进行缺陷检测。在TFT阵列的制造过程中，可能产生各种缺陷。图9 图12是用来说明缺陷例的图。图9是用来说明在构成TFT阵列的各要素部分所产生的缺陷的图。图9 中的虚线所示的各缺陷，除了表示像素12oe与源线15e之间的短路缺陷 (S-DSshort )、像素(pixel )12eo与门线14e之间的短路缺陷(G-DSshor t )、 源线15o与门线14e之间的短路缺陷(S-Gshort)等的短路缺陷之外，还 表示像素12ee与TFTllee之间的断线(D-叩en )。另外，除了上述各像素的缺陷之外，有时还会在邻接的像素之间产生 邻接缺陷。作为此邻接缺陷，众所周知的有横向邻接的像素之间的缺陷(横 P P)、纵向邻接的像素之间的缺陷(纵P P)、邻接的源线之间的短路(S Sshort)、以及邻接的门线之间的短路(G Gshort)。图10是用来说明横向的邻接缺陷的图。图10中的虚线分别表示横向 邻接的像素12eo与12ee之间的短路缺陷(横P P )、以及横向邻接的源线 So与Se之间的短路缺陷(S Sshort)。图11是用来说明纵向的邻接缺陷的图。图11中的虚线分别表示纵向 邻接的像素12oo与12eo之间的短3各缺陷(纵P Pl )、及纵向邻接的像素 12oe与12ee之间的短路缺陷(纵P P2 )、以及纵向邻接的门线Go与Ge之 间的短路缺陷(G Gshort )。在使用电子束的TFT P^W&则装置中，对像素(IT0 (Indium T in 0x i de,氧化 锡铟)电极)照射电子束，并检测通过此电子束照射而发射(emission) 的二次电子(secondary electron),这样将施加到像素(IT0电极)的电 压波形转换为二次电子波形，利用信号来进行成像化(imaging),据此来 对TFT阵列进行电4企测。作为对各像素产生的缺陷进行检测的驱动图案，例如存在如下的驱动 图案对TFT阵列的全体像素交替施加正电压(例如10 V)与负电压(例 如-10V)而均勻地进行驱动。当利用此均匀地驱动的驱动图案来进行缺陷 检测时，无法4企测出邻接缺陷。因此，在先前的缺陷检测中为了检测出邻接缺陷，是使用一种已使用 于检测横向邻接缺陷的检测图案与用于检测纵向邻接缺陷的检测图案分别 独立的检测图案，利用各检测图案来分别独立地;险测横向邻接缺陷与纵向 邻接缺陷。例如，当检测横向邻接缺陷时，以在TFT阵列上正电压像素(IT0)与 负电压像素(no)所形成的电压分布成为纵条紋图案的方式来施加电压。 此纵条紋图案使TFT阵列的纵向像素电压相同，而使邻接的横向像素行彼 此电压不同。据此来检测横向邻接缺陷。另外，当检测纵向邻接缺陷时，以在TFT阵列上正电压像素(IT0)与 负电压像素(IT0)所形成的电压分布成为横条紋图案的方式来施加电压。 此横条紋图案使TFT阵列的横向像素电压相同，而使邻接的纵向像素行彼此电压不同。据此来检测纵向邻接缺陷。此外，邻接缺陷的^r测，除了使用上述条紋状的条紋图案(stripe pattern)的驱动图案之外，还众所周知有一种呈棋盘状施加正电位与负电 位来检测邻接缺陷的棋盘图案(checker pattern )。另一方面，作为不接触而检测样品电位的技术，众所周知有一种使用 电j立乂t比(potential contrast)的才企观'J方法。才艮据jt匕电^^于比，通过向 样品照射电子束而测定从样品表面发射出的二次电子的能量，据此可以测 定样品的电位。此外，提出了一种TFT检测装置，对TFT阵列基板，在TFT阵列基板 的缺陷像素等的检测中，应用上述使用电位对比的检测方法通过非接触测 定而进行检测，来代替使机械探针(probe )接触于TFT阵列而进行的方法。 此TFT阵列检测装置中，对液晶显示器或有机电致发光显示器等中使用的 TFT阵列基板照射电子束，根据测定从TFT阵列基板产生的二次电子所获得 的信号，来测定是否对TFT阵列基板施加既定的电压，并根据其测定结果 来判定短路等的缺陷单元。作为此种TFT阵列检测装置众所周知的有例如 专利文献2、 3、 4中所记载者。上述利用电子束的TFT阵列检测装置使用如下构成，即，为了检测从 样品发射出的二次电子，在样品与检测器之间设置二次电子过滤栅格 (filter grid)。图12是用来说明先前TFT阵列检测装置中使用的检测部 分的概要的图。图12中，TFT阵列检测装置101包括电子束源102,向样品即TFT 阵列基板110照射电子束；二次电子检测器103,检测从基板110发射出的 二次电子；二次电子过滤栅格106 ( 106A、 106B)，构成使既定能量以上的 二次电子通过的能量过滤器(energy filter);反沖(recoil) 二次电子 抑制用栅格105，提高二次电本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ＴＦＴ阵列检测装置，对ＴＦＴ阵列基板供给驱动信号而驱动上述ＴＦＴ阵列基板，且对向上述ＴＦＴ阵列基板照射电子束而获得的二次电子进行能量筛选并加以检测，从而根据上述检测所获得的二次电子信号强度来检测ＴＦＴ阵列基板的缺陷，其特征在于其包括：能量过滤器，用来进行上述能量筛选；以及 二次电子检测器，对通过上述能量过滤器后的二次电子进行检测，且使上述能量过滤器的电位与上述驱动信号的信号波形同步切换。
【技术特征摘要】
JP 2007-7-30 2007-1975621、一种TFT阵列检测装置，对TFT阵列基板供给驱动信号而驱动上述TFT阵列基板，且对向上述TFT阵列基板照射电子束而获得的二次电子进行能量筛选并加以检测，从而根据上述检测所获得的二次电子信号强度来检测TFT阵列基板的缺陷，其特征在于其包括能量过滤器，用来进行上述能量筛选；以及二次电子检测器，对通过上述能量过滤器后的二次电子进行检测，且使上述能量过滤器的电位与上述驱动信号的信号波形同步切换。2. 根据权利要求1所述的TFT阵列检测装置，其特征在于其中所述的 能量过滤器的电位切换与电子束照射同步，并以电子束照射的TFT阵列基 板上的单一像素或包括多个像素的区域为单位来切换能量过滤器的电位。3. 根据权利要求2所述的TFT阵列检测装置，其特征在于其中所述的 驱动信号的信号波形为棋盘图案，此棋盘图案是以二维交替呈棋盘状的不 同电位状态下驱...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈尚规，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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