化学机械研磨垫及其制造方法技术

本发明专利技术的化学机械研磨垫具有圆形研磨面和作为该研磨面背面的非研磨面，内部含有能够使用电磁波非接触地读取或读写的信息记录介质，优选研磨面半径方向的信息记录介质的重心位置在从研磨面半径上的中心朝向外周的方向上，处于研磨面半径的０～１０％或８０～１００％的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
在半导体装置的形成中，对于硅基板或在其上形成有配线或电极等 硅基板(以下有时将其总称为半导体晶片。)，作为能够形成具有优异平坦性的表面的研磨方法，广泛采用化学机械研磨方法(Chemical Mechanical Polishing、 一般简称为CMP)。该化学研磨方法中，已 知化学机械研磨垫的性状和特性等很大程度地左右研磨结果， 一直以来 提出了各种化学机械研磨垫。曰本特开平11-70463号公报和日本特开平8-216029号公报中提出 了使用具有多个微细空孔的聚氨酯泡沫作为化学机械研磨垫，在该垫表 面上开口的孔穴(以下也称作孔)中保持化学机械研磨用水性分散 体、进行研磨的化学机械研磨方法。另外，日本特表平8-500622号公^艮和日本特开2000-34416号公才艮 中提出了在基质树脂中分散有水溶性聚合物的研磨垫。该研磨垫的水溶 性聚合物在研磨时通过与化学机械研磨用水性分散体的接触发生溶解 或溶胀，从垫上脱离，由此所形成的空间具有保持化学机械研磨用水性 分散体的功能。然而，对于化学机械研磨垫，出于制造管理、出库管理、流通管理、 保存管理等目的，有发生必须了解其型号、制造序号、制造过程、其制允;误差范围内,、)独制品所具，的个性)、使用过程等固有信息的情况。为了对单独制品赋予固有信息的方法，以往是在化学机械研磨垫的 包装材料上直接印刷条形码或粘贴印刷有条形码的胶纸。但是，利用条 形码所能够保存的信息量有限，另外，具有以下问题 一旦将粘有条形 码的包装材料开封，开始使用化学机械研磨垫后，该垫与包装材料上的 条形码的对应非常难以管理。因此，期待将能够使用电磁波非接触地读取或者读写的信息记录介质(一般称作IC标签、电子标签、RFID (射频识别技术Radio Frequency Identification)等)埋入在垫中。但是，在其性状或特性等很大程度地左右研磨结果的化学机械研磨 垫中，当在垫的表面或背面或者内部存在不同信息记录介质时，会产生 对研磨性能不优选的影响。例如，被研磨面的均一性差，会发生刮痕或 腐蚀等表面平滑性的问题。另外，但由于当将垫安装在研磨装置时不可 避免发生的垫本身的变形，信息记录介质本身有时被破坏。予以说明，这种信息记录介质随着近年的技术进步，小型化有所促 进。但是，对于读取或读写所使用的电磁波，由于化学机械研磨工序中 易于使用的频率数的制约，有必要信息记录介质应具有的天线大到 一定 程度，应埋入化学机械研磨垫的信息记录介质的小型化受限。因此，一 般认为埋有信息记录介质的垫的研磨性能降低的问题无法通过介质的 小型化解决。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述事实而完成，其目的在于提供具有能够使用电磁波 非接触地读取或读写的信息记录介质，且#皮研磨面的均匀性优异，抑制 刮痕或腐蚀的发生，被研磨面的表面平滑性优异等的研磨性能优异的化 学机械研磨垫及其制造方法。根据本专利技术，本专利技术的上述目的笫一通过具有圆形研磨面和作为该 研磨面背面的非研磨面、内部含有能够使用电磁波非接触地读取或读写 的信息记录介质的化学机械研磨垫达成。本专利技术的上述目的第二通过一种化学机械研磨垫的制造方法达成， 其为制造上述化学研磨垫的方法，其特征在于包括以下工序 (Al)准备化学机械研磨垫用组合物的工序(A2)使用上述组合物，将信息记录介质应存在的部分朝向应成为 垫非研磨面的面开口的垫^f既形成形的工序(A3 )在上述开口部装填信息记录介质，在开口部的剩余空间装填 上述化学机械研磨垫用组合物的工序(A4)在1 20MPa的压力下加热至150 ~ 180。C温度的工序。 本专利技术的上述目的第三通过一种化学机械研磨垫的制造方法达成， 其为制造上述化学研磨垫的方法，其特征在于包括以下工序(Bl)准备化学机械研磨垫用组合物的工序(B2 )使用上述组合物，将信息记录介质应存在的部分朝向应成为 垫非研磨面的面开口的垫概形成形的工序(B3)在上述开口部上粘贴信息记录介质的工序具体实施例方式本专利技术的化学机械研磨垫具有圆形研磨面和作为该研磨面背面的 非研磨面。本专利技术的垫的形状优选具有圆盘状(正圆柱体状)或以其为 基础的形状。可以具有规则的研磨面和非研磨面的侧面，也可以是没有 明确的侧面、在垫的最外周部区域处厚度渐薄的形状。本专利技术的研磨垫的研磨面直径优选为150 - 1200mm、更优选为 500~ 800mm,厚度优选为1.0 ~ 5.0mm、更优选为1.5 ~ 3.0mm。本专利技术的化学机械研磨垫可以在其研磨面上具有任意形状的沟槽、 其它的凹部。沟槽的形状例如可以举出同心圆状沟槽、螺旋状沟槽、格 子状沟槽、放射状沟槽和组合有它们的形状的沟槽。沟槽宽度方向、即 沟槽的法线方向的截面形状并无特别限定。例如可以制成由平坦侧面和 根据情况的底面形成的多边形状、U字形状等。截面形状可以为左右轴 对称，还可以是非对称。作为上述其它凹部的形状，例如可以举出圆形 的凹部、多边形的凹部等。这里，圆形的凹部和多边形的凹部应该理解 成被该圆或该多边形围绕的内部也凹陷。本专利技术的化学机械研磨垫还可以在非研磨面上具有任意形状的沟 槽或其它凹部。通过具有这种沟槽或其它凹部，可以进一步抑制^皮研磨 物上发生刮痕。对于可以形成于这些非研磨面的沟槽或其它凹部形状， 与可以形成在上述研磨面的沟槽或其它凹部的形状相同，但优选非研磨 面的沟槽或其它凹部未到达垫的外周。可以形成在上述非研磨面的其它凹部(特别是圆形的凹部或多边形 的凹部)优选位于非研磨面的中央部。这里位于中央部不仅是指这 些凹部在数学上严密地位于非研磨面的中心，只要垫的非研磨面的中心 位于上述凹部的范围内即可。非研磨面的凹部的形状为圆形时，其直径 的上限优选为被研磨面最大径(例如被研磨物为圆盘状的半导体晶片 时，该晶片的直径)的优选100°/。、更优选75%、进一步优选50%。被 研磨面的凹部形状为圆形时，其直径的下限与^皮研磨物的大小无关，优选为2mm、更优选为10mm。例如作为^皮研磨物的晶片的直径为300mm 时，非研磨面的凹部为圆形时的直径优选为2~300mm、更优选为10~ 225mm、进一步优选为10-150mm。另夕卜，作为被研磨物的晶片的直径 为200mm时，非研磨面的凹部为圆形时的直径优选为2 ~ 200mm、更优 选为10~150mm、进一步优选为10 ~ 100mm。本专利技术的化学机械研磨垫可以具有从非研磨面光学性通过研磨面 的透光性区域。通过制成具有这种透光性区域的垫，当安装在具有光学 式研磨终点检测机的化学机械研磨装置中使用时，可以光学地检测研磨 终点。透光性区域的平面形状并无特别限定，作为区域外周的形状，例 如可以制成圆形、椭圆形、扇形、多边形状等。透光性区域的位置应该 是安装本专利技术化学机械研磨垫、适合所用化学机械研磨装置具有的光学 研磨终点检测机位置的位置。透光性区域的数量可以为l个或者多个。 设置多个透光性区域时，其配置满足上述位置关系即可，并无特别限定。 透光性区域的形成方法并无限定，例如可以利用用具有透光性的部件构 成应该具有透光性的垫的区域的方法，或者当垫由具有某种程度透光性 的材料构成时，可以通过在垫非研磨区域中相当于应该具有透光性的垫 的区域的部分形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械研磨垫，其特征在于，具有圆形研磨面和作为该研磨面背面的非研磨面，内部含有能够使用电磁波非接触地读取或读写的信息记录介质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-1-25 015944/20061.一种化学机械研磨垫，其特征在于，具有圆形研磨面和作为该研磨面背面的非研磨面，内部含有能够使用电磁波非接触地读取或读写的信息记录介质。2. 权利要求1所述的化学机械研磨垫，其特征在于，研磨面半径方向的信息记录介质的重心位置在从研磨面半径上的中心朝向外周的方向上，处于研磨面半径的0~ 10%或80- 100%的范围。3. 权利要求1所述的化学机械研磨垫，其特征在于，垫厚度方向的 信息记录介质的重心位置在从研磨面朝向非研磨面的方向上，处于垫厚 度的50 ~ 100%的范围。4. 权利要求1所述的化学机械研磨垫，其特征在于，垫在其非研磨 面侧上具有凹部，将信息记录介质投影于非研磨面的形状的一部分或全 部处于该凹部的区i或内。5. —种化学机械研磨垫的制造方法，其为制造权利要求1所述化学 机械研磨垫的方法，其特征在于包括以下工序(Al)准备化学机械研磨垫用组合物的工序(A2 )使用上述组合物，将具有应成为圆形研磨面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：保坂幸生，辻昭卫，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]