一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温结构、测温机构、旋转机构和升降机构；保温结构设于密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构设于密封腔上；坩埚设于保温结构内，籽晶托设于坩埚内；旋转机构用于驱动坩埚的旋转，升降机构用于驱动坩埚的升降，或，所述旋转机构用于驱动所述籽晶托的旋转，所述升降机构用于驱动所述籽晶托的升降。加热结构能实现对坩埚的底部、四周和顶部的分别加热，并能够通过调整单个加热电阻的功率实现径向温度梯度和轴向温度梯度的调节，使坩埚周围的径向温度梯度和轴向温度梯度处于最合适的状态，能更好的促进晶体的生长。进晶体的生长。进晶体的生长。

【技术实现步骤摘要】
一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置


[0001]本技术涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长
，特别是涉及一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置。

技术介绍

[0002]碳化硅是一种优质的宽带隙半导体材料，具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速率等优点，可以满足高温、大功率、低损耗大直径器件的需求。碳化硅单晶无法经过熔融法形成，而基于改进型Lely法的升华生长技术——物理气相传输法是获得碳化硅单晶的常用方法。PVT法制备碳化硅单晶的生长原理是：高纯碳化硅粉源在高温下分解形成气态物质(主要为Si、SiC2、Si2C等)，这些气态物质在过饱和度的驱动下，升华至冷端的籽晶处进行生长。过饱和度是由籽晶与粉源之间的温度梯度引起的。
[0003]对于现有技术的生长装置，加热方式多采用单线圈中频感应加热，晶体生长过程中，感应线圈通过调整线圈的功率和线圈与坩埚的相对位置来进行温度的控制，使坩埚中碳化硅源料处和籽晶处产生适当的温度梯度，使晶体能持续生长，感应线圈加热的温度调节的灵活性非常局限，当感应线圈进行轴向移动时，一方面可以调整轴向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括密封腔、加热结构、保温结构、测温机构、旋转机构和升降机构；所述保温结构设置于所述密封腔内；所述加热结构设置于所述保温结构内，所述测温机构设置于所述密封腔上；坩埚设置于所述保温结构内，籽晶托设置于所述坩埚内；所述旋转机构用于驱动所述坩埚的旋转，所述升降机构用于驱动所述坩埚的升降，或，所述旋转机构用于驱动所述籽晶托的旋转，所述升降机构用于驱动所述籽晶托的升降。2.根据权利要求1所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述旋转机构和所述升降机构设置于所述坩埚的底部或顶部；或，所述旋转机构和所述升降机构设置于所述坩埚内上部。3.根据权利要求1所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述密封腔包括腔体、上法兰和下法兰，所述上法兰可开启的设置于所述腔体顶部，所述下法兰可开启的设置于所述腔体底部；所述腔体上设置有抽气口。4.根据权利要求1所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，潘建栋，袁晓芸，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：