半绝缘单晶碳化硅块材以及粉末制造技术

本申请涉及一种半绝缘单晶碳化硅块材以及粉末，包括单一多形体的单晶，半绝缘单晶碳化硅块材内具有硅空缺，其中硅空缺浓度大于5E11cm^-3。3。3。

【技术实现步骤摘要】
半绝缘单晶碳化硅块材以及粉末


[0001]本申请涉及碳化硅的
，尤其涉及一种具备高硅空缺浓度的半绝缘单晶碳化硅块材以及粉末。

技术介绍

[0002]半导体材料历经三个发展阶段，第一代是硅(Si)、锗(Ge)等基础功能材料；第二代开始进入由二种以上元素组成的化合物半导体材料，以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等为代表；第三代则是氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等化合物半导体材料。第三代半导体材料属于宽能带隙材料，具有高频、耐高电压、耐高温等优势，且导电性、散热性佳，可降低能量耗损，组件体积相对较小，适合功率半导体应用。但是碳化硅的生产条件的控制难度大，导致碳化硅晶圆量产不易，直接影响了终端芯片与应用的发展。
[0003]物理气相传输法(physical vapor transport,PVT)是目前商业量产碳化硅晶体的主流方法。一般而言，利用物理气相传输法生长碳化硅晶体过程为先准备一晶种，将晶种置于坩埚中，该坩埚包括一成长室、一固持器及一料源容器。固持器位于成长室上方，用于固定晶种，并设置于提供温度梯度的热场装置的相对冷端。料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，包括单一多形体的单晶，所述半绝缘单晶碳化硅块材内具有硅空缺，其中，所述硅空缺浓度大于5E11cm^-3。2.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述硅空缺浓度小于5E13cm^-3。3.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅块材的厚度大于等于10um。4.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅块材的厚度小于等于5cm。5.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅块材的直径大于等于90mm。6.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅块材的直径小于等于200mm。7.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：马代良，虞邦英，林柏丞，
申请(专利权)人：盛新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：