晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供的晶体生长装置，涉及晶体制备技术领域，该晶体生长装置包括加热器和至少两个坩埚。加热器设置有至少两个加热腔。至少两个加热腔和至少两个坩埚一一对应，每个坩埚容置于对应的一个加热腔内。由此，本实施例的晶体生长装置，由于加热器设置有至少两个加热腔，且每个加热腔都放置了一个坩埚，每个坩埚均能产出一颗碳化硅单晶，因此，在利用本实施例的晶体生长装置生产碳化硅单晶时，在一个生长周期内，本实施例的晶体生长装置能够同时产出至少两颗碳化硅单晶，相较于现有技术而言，提高了生产效率。提高了生产效率。提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
晶体生长装置


[0001]本技术涉及晶体制备
，具体而言，涉及一种晶体生长装置。

技术介绍

[0002]碳化硅是继第一代半导体Si、第二代半导体GaAs之后发展起来的重要的第三代半导体材料，它具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱、高抗辐射能力及良好的化学稳定性等的优越特性，这使其成为一种广泛应用的重要衬底晶片材料。在航空器件、新能源汽车、轨道交通和家用电器等领域展现了良好的应用前景。
[0003]SiC晶体不会出现在大自然中，只能通过在晶体生长装置内合成的方法来获得，然而，现有的晶体生长装置只能实现单颗晶体生长，当需要批量生产晶体时，一个生长周期内只能产出一颗晶体，生产效率低下。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种晶体生长装置，其在一个生长周期内能够产出至少两颗晶体，提高了生产效率。
[0005]本技术的实施例提供的晶体生长装置，包括加热器和至少两个坩埚。所述加热器设置有至少两个加热腔。至少两个所述加热腔和至少两个坩埚一一对应，每个所述坩埚容置于对应的一个所述加热腔内。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：加热器，所述加热器设置有至少两个加热腔；与至少两个所述加热腔一一对应的至少两个坩埚，每个所述坩埚容置于对应的一个所述加热腔内。2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加热器包括：第一发热筒，设置有至少两个加热凹槽；第二发热筒，可拆卸地连接于所述第一发热筒设置有所述加热凹槽的一侧，且所述第二发热筒设有与至少两个所述加热凹槽一一对应的至少两个加热口；每个所述加热腔包括相对应的一个所述加热凹槽和一个所述加热口，每个所述加热腔中的所述加热凹槽和所述加热口相连通。3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加热口为贯穿所述第二发热筒的通孔。4.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，每个所述加热凹槽的口径与对应的一个所述加热口的口径相等。5.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一发热筒对应于所述第二发热筒的一侧的周缘设有第一连接部，所述第二发热筒对应于所述第一发热筒的周缘设有与所述第一连接部可拆卸连接的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄首义，张洁，王旻峰，邓树军，付芬，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：