单层多炉熔融系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种单层多炉熔融系统，包括至少两级流态化的熔融炉，每一该熔融炉包括炉体、加热芯、布风板和导流筒，在竖向设置的筒形的炉体内的下部设有布风板，在布风板上布满风帽或风孔；在紧邻该布风板的上面设有加热芯，在该加热芯的上方设有多个导流筒，在该导流筒的筒壁上布满通孔；在该炉体的顶面和底面分别设有氩气出口和氩气入口；在该炉体的上部和下部分别设有物料入口和物料出口；上一级的熔融炉的物料出口与下一级的熔融炉的物料入口通过物料输送管道相互连接。采用本实用新型专利技术的系统能够实现碳化硅生产过程连续化和保证产品稳定性；反应时间可由过去大约15～25个小时缩短为现在的1～2小时，极大地提高了生产效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
单层多炉熔融系统


[0001]本技术涉及一种生产碳化硅的熔融装置，尤其涉及一种生产碳化硅的单层多炉熔融系统，属于生产碳化硅的设备领域。

技术介绍

[0002]碳化硅材料用途广泛，主要应用于太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业中。目前，常规碳化硅的制备主要来源于人工合成，其制备方法主要包括升华法和熔解法。其中，升华法是在真空为10
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30毫米汞柱的碳管炉内靠装填碳管炉内碳化硅炉料升华在内壁生长合成生产碳化硅；熔解法是在严格控制温度在2600度的电炉内埋入密闭石墨干坩埚，将粘合成型碳化硅配料提前置于密闭石墨干坩埚内熔融生产碳化硅。然而，上述方法在生产过程中存在如下劣势：(1)熔解法和升华法均属于间歇生产，产品出炉人工分级分选；(2)熔解法物料反应不完全，在制备完成后炉内物料仅在中心部位形成碳化硅产品，其他物料反应不完全，如作为保温层、氧碳化硅层、粘合物层和无定形物层存在等；升华法存在碳化硅晶体生长速率低，并且反应空间中的温度管理困难；(3)熔解法和升华法制备碳化硅的过程中原料由于粘合在一起存在，传质和传热效率较低。然而，应用流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单层多炉熔融系统，其特征在于，包括至少两级流态化的熔融炉，每一该熔融炉包括炉体(1)、加热芯(2)、布风板(3)和导流筒(4)，在竖向设置的筒形的炉体(1)内的下部设有布风板(3)，在该布风板(3)上布满风帽或风孔；在紧邻该布风板(3)的上面设有加热芯(2)，在该加热芯(2)的上方设有多个间隔布置、轴向为竖向的导流筒(4)；在该炉体(1)的上部和下部分别设有物料入口(5)和物料出口(6)，上一级的熔融炉的物料出口(6)与下一级的熔融炉的物料入口(5)通过物料输送管道相互连接。2.根据权利要求1所述的单层多炉熔融系统，其特征在于，在该炉体(1)的顶面和底面分别设有氩气出口(8)和氩气入口(7)。3.根据权利要求1所述的单层多炉熔融系统，其特征在于，在所述导流筒(4)的筒壁上布满通孔，通孔孔径为3～6毫米。4.根据权利要求1所述的单层多炉熔融系统，其特征在于，所述的布风板(3)上的风帽或者风孔为圆形或正六边形，风帽直径为30～80毫米，风孔直径为3～8毫米。5.根据权利要求1或4所述的单层多炉熔融系统，其特征在于，风帽或者风孔之间中心间距为风帽或者风孔直径的1.0～1.5倍。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宁，
申请(专利权)人：北京绿清科技有限公司，
类型：新型
国别省市：