【技术实现步骤摘要】
半绝缘单晶碳化硅粉末的制备方法
[0001]本申请涉及碳化硅粉末的制备方法，尤其涉及一种具备高硅空缺浓度的半绝缘单晶碳化硅粉末的制备方法。
技术介绍
[0002]半导体材料历经三个发展阶段，第一代是硅(Si)、锗(Ge)等基础功能材料；第二代开始进入由二种以上元素组成的化合物半导体材料，以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等为代表；第三代则是氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等化合物半导体材料。第三代半导体材料属于宽能带隙材料，具有高频、耐高电压、耐高温等优势，且导电性、散热性佳，可降低能量耗损，元件体积相对较小，适合功率半导体应用。但是碳化硅的生产条件的控制难度大，导致碳化硅晶圆量产不易，直接影响了终端芯片与应用的发展。
[0003]另一方面，碳化硅材料除了可以做为晶圆应用于半导体产业，亦可以做为萤光发光材料应用于生医产业中。举例而言，半绝缘单晶碳化硅具有发光的特性而能够当作追踪检测标靶。然而，发光特性会受到碳化硅粉末的表面型态影响。在这种情况下，湿式工艺(例如，使用钻石线切割)所获得的碳化硅粉末不仅表面粗糙、容...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半绝缘单晶碳化硅粉末的制备方法，其特征在于，包括：提供半绝缘单晶碳化硅块材，其中所述半绝缘单晶碳化硅块材具有第一硅空缺浓度，所述第一硅空缺浓度大于5E11cm^
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3；细化所述半绝缘单晶碳化硅块材，以获得半绝缘单晶碳化硅粗颗粒，其中所述半绝缘单晶碳化硅粗颗粒具有第二硅空缺浓度以及第一粒径，所述第二硅空缺浓度大于5E11cm^
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3，所述第一粒径介于50um至350um之间；自体撞击所述半绝缘单晶碳化硅粗颗粒，以获得半绝缘单晶碳化硅粉末，其中所述半绝缘单晶碳化硅粉末具有第三硅空缺浓度以及第二粒径，所述第三硅空缺浓度大于5E11cm^
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3，所述第二粒径介于1um至50um之间。2.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅粉末的制备方法，其特征在于，所述自体撞击所述半绝缘单晶碳化硅粗颗粒的步骤使用500克至1000克之间的所述半绝缘单晶碳化硅粗颗粒。3.如权利要求1所述的半绝缘单晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：马代良，虞邦英，林柏丞，
申请(专利权)人：盛新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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