晶锭用加工砂轮制造技术

本实用新型专利技术公开一种晶锭用加工砂轮，适于对碳化硅晶锭进行加工。所述晶锭用加工砂轮包括一轮状主体，其中所述轮状主体具有一第一外部环状边缘、一第二外部环状边缘以及一位于所述第一外部环状边缘与所述第二外部环状边缘之间的加工面，且所述第一外部环状边缘具有一半径为2mm至4mm的第一倒角。因此，能有效减少加工过程中对晶体造成的损伤。加工过程中对晶体造成的损伤。加工过程中对晶体造成的损伤。

【技术实现步骤摘要】
晶锭用加工砂轮


[0001]本技术涉及一种加工器具，特别是涉及一种晶锭用加工砂轮，适于对碳化硅晶锭进行外观修整。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的核心，具有宽能隙、高导热率、高临界击穿电场、高电子饱和迁移率、高化学稳定性等特点，在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面的应用具有巨大潜力。然而，碳化硅具有高硬度、高脆性等物理特性，在加工过程中容易造成芯片损伤，达不到实际使用要求。具体来说，碳化硅芯片的质量，例如损伤率和缺陷率，会影响在碳化硅芯片上形成的磊晶薄膜的质量，严重者会引起漏电和降低电子迁移率，从而影响半导体组件的性能。
[0003]由上可知，碳化硅芯片的质量已成为碳化硅基底生产所必须解决的重要问题。为了降低碳化硅芯片的损伤率和缺陷率，有需要避免碳化硅芯片在加工过程中发生碰撞。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种晶锭用加工砂轮。
[0005]为了解决上述的技术问题，本技术所采用的其中一技术方案是提供一种晶锭用加工砂轮，包括一轮状主体，其中所述轮状主体具有一第一外部环状边缘、一第二外部环状边缘以及一位于所述第一外部环状边缘与所述第二外部环状边缘之间的加工面，所述第一外部环状边缘具有一第一倒角，且所述第一倒角的半径为2mm至4mm。
[0006]更进一步地，所述第二外部环状边缘具有一第二倒角，且所述第二倒角的半径为2mm至4mm。
[0007]更进一步地，所述轮状主体包含一结合剂以及多个磨料颗粒。
[0008]更进一步地，所述结合剂为一树脂结合剂，多个所述磨料颗粒为钻石颗粒。
[0009]更进一步地，所述第一倒角的宽度与所述轮状主体的厚度的比值为1:5至1:10。
[0010]更进一步地，所述第二倒角的宽度与所述轮状主体的厚度的比值为1:5至1:10。
[0011]更进一步地，所述轮状主体的厚度为10mm至25mm。
[0012]更进一步地，所述轮状主体的外径为380mm至405mm。
[0013]更进一步地，所述晶锭用加工砂轮经配置以处于直立状态并通过所述加工面对一碳化硅晶锭进行外观修整。
[0014]本技术的其中一有益效果在于，本技术的晶锭用加工砂轮，其能通过“所述轮状主体具有一处于径向方向上的加工面以及一环绕所述加工面的第一外部环状边缘，所述第一外部环状边缘具有一第一倒角，且所述第一倒角的半径为2mm至4mm”的技术手段，以有效减少加工过程中对晶体造成的损伤，如裂痕、崩边、缺角等。更佳地，轮状主体1的第二外部环状边缘12具有一第二倒角R2，且所述第二倒角R2的半径为2mm至4mm。
[0015]为使能更进一步了解本技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本技术加以限制。
附图说明
[0016]图1为本技术第一实施例的晶锭用加工砂轮的立体示意图。
[0017]图2为本技术第一实施例的晶锭用加工砂轮的平面示意图。
[0018]图3为图2中Ⅲ部分的局部放大图。
[0019]图4为本技术第一实施例的晶锭用加工砂轮的使用状态示意图。
[0020]图5为本技术第二实施例的晶锭用加工砂轮的立体示意图。
[0021]图6为本技术第二实施例的晶锭用加工砂轮的平面示意图。
[0022]图7为图6中
Ⅶ
部分的局部放大图。
具体实施方式
[0023]以下是通过特定的具体实施例来说明本技术所公开有关“晶锭用加工砂轮”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本技术的优点与效果。本技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本技术的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0024]第一实施例
[0025]请参阅图1及图2，显示晶锭用加工砂轮Z1的其中一种可实施构造。如图1及图2所示，晶锭用加工砂轮Z1为一种适于对碳化硅晶锭进行加工的砂轮，例如对碳化硅晶锭的外观(外缘的形状)进行修整。晶锭用加工砂轮Z1主要包括一轮状主体1，轮状主体1具有一第一外部环状边缘11、一第二外部环状边缘12及一位于第一外部环状边缘11与第二外部环状边缘12之间的加工面100，其中第一外部环状边缘11具有一第一倒角R1，且第一倒角R1的半径为2mm至4mm。
[0026]在本实施例中，轮状主体1的材料包含结合剂及磨料颗粒，且轮状主体1的成型方法包括热压或冷压成型步骤及烧结步骤。实际应用时，结合剂可采用树脂结合剂(如酚醛树脂)，磨料颗粒可采用钻石颗粒。另外，轮状主体1的外径D1可为380mm至405mm，轮状主体1的厚度D2可为10mm至25mm。以上所述只是可行的实施方式，而非用以限制本技术。举例来说，在一些实施例中，轮状主体1所需的结合剂也可采用陶瓷结合剂或橡胶结合剂。
[0027]请复参阅图1及图2，并配合图3所示，为了提高加工质量，进而获得高质量、低缺陷的晶锭，可将第一倒角R1的宽度W1与轮状主体1的厚度D2的比值设置为1:5至1:10。
[0028]实际应用时，一或多个磨料颗粒可具有一被结合剂所包覆的内端部及一外露于结合剂的外端部，其中外端部可具有尖端结构；尖端结构可为刀刃状、圆锥状、圆柱状、角锥状或角柱状，但本技术不以上述所举的例子为限。另外，多个磨料颗粒可以呈规则排列或
不规则排列分布，且可具有相同或不同的尖端方向性。以上所述只是可行的实施方式，而非用以限制本技术。
[0029]请参阅图4，显示晶锭用加工砂轮Z1的使用方式。如图4所示，晶锭用加工砂轮Z1可经配置以处于直立状态并通过加工面100对一碳化硅晶锭2(如碳化硅芯片)进行外观修整，以使碳化硅晶锭2的外缘具有所需的形状。值得一提的是，晶锭用加工砂轮Z1，其中轮状主体1上邻近其加工面100的边缘处形成有半径为2mm至4mm的倒角，在加工过程中与待加工物(碳化硅晶锭2)发生碰撞的机率将大大降低，从而能有效减少加工过程中对晶体造成的损伤，如裂痕、崩边、缺角等。
[0030]然而，晶锭用加工砂轮Z1的使用方式不以上述所举的例子为限。在一些实施例中，晶锭用加工砂轮Z1可使用于一般精密磨削、超精密磨削、切割、研光、精密光磨等。
[0031]第二实施例
[0032]请参阅图5至图7，显示晶锭用加工砂轮Z1的另外一种可实施构造。如图5至图7所示，晶锭用加工砂轮Z2主要包括一轮状主体1，轮状主体1具有一第一外部环状本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶锭用加工砂轮，其特征在于，所述晶锭用加工砂轮包括一轮状主体，其中所述轮状主体具有一第一外部环状边缘、一第二外部环状边缘以及一位于所述第一外部环状边缘与所述第二外部环状边缘之间的加工面，所述第一外部环状边缘具有一第一倒角，且所述第一倒角的半径为2mm至4mm。2.根据权利要求1所述的晶锭用加工砂轮，其特征在于，所述第二外部环状边缘具有一第二倒角，且所述第二倒角的半径为2mm至4mm。3.根据权利要求1或2所述的晶锭用加工砂轮，其特征在于，所述轮状主体包含一结合剂以及多个磨料颗粒。4.根据权利要求3所述的晶锭用加工砂轮，其特征在于，所述结合剂为一树脂结合剂，多个所述磨料...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佑仁，周育正，洪博耀，黄志升，
申请(专利权)人：盛新材料科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：