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本申请公开一种半绝缘单晶碳化硅粉末的制备方法，其包括：提供半绝缘单晶碳化硅块材，其中半绝缘单晶碳化硅块材具有第一硅空缺浓度，第一硅空缺浓度大于5E11cm^
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该专利属于盛新材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛新材料科技股份有限公司授权不得商用。

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