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本申请涉及一种半绝缘单晶碳化硅块材以及粉末，包括单一多形体的单晶，半绝缘单晶碳化硅块材内具有硅空缺，其中硅空缺浓度大于5E11cm^-3。3。3。
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该专利属于盛新材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛新材料科技股份有限公司授权不得商用。

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