一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质技术方案

本发明专利技术公开了一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质。该晶圆缺陷分析方法包括获取半导体制程工艺中每片晶圆的批次信息以及缺陷信息，缺陷信息包括热点缺陷信息；设定热点缺陷特征，从热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息；根据批次信息，追踪与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源。在本发明专利技术实施例中，通过在半导体制程工艺中获取晶圆的批次信息以及热点缺陷信息，并根据热点缺陷特征筛选出目标热点缺陷信息，最后追踪目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源，提高了晶圆缺陷溯源的准确性。提高了晶圆缺陷溯源的准确性。提高了晶圆缺陷溯源的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路的迅速发展，其制程工艺也变得越发复杂。目前先进的集成电路制程工艺一般都需要经过多个工艺设备中完成数百个工艺步骤，通过这些工艺步骤逐步在晶圆上形成多个工艺膜层，最终形成需要的电路结构。由于晶圆在不同的工艺设备之间的流转，其较易受到外来颗粒的污染，从而导致电路图案缺陷，严重影响产品的良率。使用光学测量检查系统等来检查晶圆上的外来颗粒或图案缺陷检测的技术已经被广泛应用，这些监测来自外来颗粒或缺陷的检查系统为故障分析提供了数据支持，然而，受限于目前故障分析时间段的限制，只能确定某一批次晶圆上存在缺陷点，以及哪些晶圆被影响，而无法追踪缺陷点的源头。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质，以实现在半导体制程工艺中获取晶圆表面目标缺陷信息第一次出现的卡盘ID以及具有目标缺陷信息的第一片晶圆所在的批次，提高了晶圆缺陷溯源的准确性。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆缺陷分析方法，包括：
[0005]获取半导体制程工艺中每片晶圆的批次信息以及缺陷信息，所述缺陷信息包括热点缺陷信息；
[0006]设定热点缺陷特征，从所述热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息；
[0007]根据所述批次信息，追踪与所述热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源。
[0008]进一步的，所述目标热点缺陷信息包括晶圆表面热点的横纵坐标。
[0009]进一步的，各所述晶圆的批次信息包括各所述晶圆对应的晶圆卡盘信息，从所述热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息包括：
[0010]根据所述晶圆卡盘信息，筛选出与同一晶圆卡盘相对应的热点缺陷信息；
[0011]在所述对应于同一晶圆卡盘的热点缺陷信息中筛选具有相同横纵坐标热点缺陷信息；
[0012]若具有相同横纵坐标热点缺陷信息连续出现次数超过设定数量，则判定所述热点缺陷信息的热点缺陷特征为晶圆卡盘缺陷，筛选出与所述晶圆卡盘缺陷相关联的目标热点缺陷信息。
[0013]进一步的，所述晶圆缺陷分析方法还包括：根据所述目标热点缺陷信息对所述缺陷源进行分类，并根据各所述晶圆的批次信息制作相应的缺陷源分布图。
[0014]进一步的，各所述晶圆的批次信息包括工艺膜层信息或产品信息。
[0015]进一步的，所述目标热点缺陷信息还包括晶圆表面热点相对于晶圆表面的高度。
[0016]第二方面，本专利技术实施例还提供一种晶圆缺陷分析系统，包括：
[0017]信息获取模块，用于获取半导体制程工艺中每片晶圆的批次信息以及缺陷信息，所述缺陷信息包括热点缺陷信息；
[0018]目标缺陷信息筛选模块，用于根据设定热点缺陷特征，从所述热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息；
[0019]晶圆追踪模块，用于根据所述批次信息，追踪与所述热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源。
[0020]进一步的，还包括缺陷源分类模块，用于根据所述目标热点缺陷信息对所述缺陷源进行分类，并根据各所述晶圆的批次信息制作相应的缺陷源分布图。
[0021]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括：
[0022]一个或多个处理器；
[0023]存储装置，用于存储一个或多个程序，
[0024]当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现本专利技术实施例任一所述的晶圆缺陷分析方法。
[0025]第四方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如本专利技术实施例任一所述的晶圆缺陷分析方法。
[0026]本专利技术实施例中，通过在半导体制程工艺中获取晶圆的批次信息以及热点缺陷信息，然后根据设定的热点缺陷特征从热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息，最后根据获取的批次信息追踪与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源，提高了晶圆缺陷溯源的准确性。
附图说明
[0027]图1为本专利技术实施例提供的一种晶圆缺陷分析方法的流程示意图；
[0028]图2为本专利技术实施例提供的一种晶圆缺陷分析方法的示意图；
[0029]图3为本专利技术实施例提供的另一种晶圆缺陷分析方法的示意图；
[0030]图4为本专利技术实施例提供的又一种晶圆缺陷分析方法的示意图；
[0031]图5为本专利技术实施例提供的另一种晶圆缺陷分析方法的流程示意图；
[0032]图6为本专利技术实施例提供的又一种晶圆缺陷分析方法的示意图；
[0033]图7为本专利技术实施例提供的又一种晶圆缺陷分析方法的示意图；
[0034]图8为本专利技术实施例提供的一种晶圆缺陷分析系统的结构示意图；
[0035]图9为本专利技术实施例提供的另一种晶圆缺陷分析系统的结构示意图；
[0036]图10为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0037]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0038]图1为本专利技术实施例提供的一种晶圆缺陷分析方法的流程示意图，如图1所示，晶圆缺陷分析方法包括：
[0039]S110、获取半导体制程工艺中每片晶圆的批次信息以及缺陷信息，缺陷信息包括热点缺陷信息。
[0040]晶圆是制造半导体器件的基础原材料，极高纯度的半导体经过拉晶、切片等工序制备成为晶圆，然后经过一系列半导体制程工艺形成极微小的电路结构，再经切割、封装、测试成为芯片，广泛应用到各类电子设备当中。在制备半导体器件过程中，通过在晶圆表面进行多道工艺步骤，最终在晶圆表面形成所需的电路结构，在此过程中，每一片晶圆需要经过多个工艺站点，在每个工艺站点进行相应的工艺膜层的制备。
[0041]由于工艺设备机台中承载晶圆的晶圆卡盘可能会因为工作环境或者外部因素造成卡盘表面存在污染，进而造成晶圆表面的污染。被污染的晶圆在进行缺陷检测时，会发现晶圆表面出现热点缺陷，这种由晶圆背面颗粒导致的热点缺陷是制程工艺中一个主要异常情形。传统的热点缺陷检测过程中，当检测到同一批次中在同一晶圆卡盘上连续作业的三片或五片晶圆在同一位置出现热点异常时，确认该热点异常是晶圆卡盘表面沾污引起的，该热点缺陷为晶圆卡盘缺陷，在追踪有此缺陷的晶圆时也仅限于同一批次晶圆的生产过程，在机台确认该热点缺陷为晶圆卡盘缺陷时光刻机自动清除承载台表面沾污之前，一个批次内已经有大于或等于三片或五片晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷分析方法，其特征在于，包括：获取半导体制程工艺中每片晶圆的批次信息以及缺陷信息，所述缺陷信息包括热点缺陷信息；设定热点缺陷特征，从所述热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息；根据所述批次信息，追踪与所述热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息所对应的第一片晶圆，确定缺陷源。2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述热点缺陷信息包括晶圆表面热点的横纵坐标。3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，各所述晶圆的批次信息包括各所述晶圆对应的晶圆卡盘信息，从所述热点缺陷信息中筛选出与热点缺陷特征相关联的目标热点缺陷信息包括：根据所述晶圆卡盘信息，筛选出与同一晶圆卡盘相对应的热点缺陷信息；在所述对应于同一晶圆卡盘的热点缺陷信息中筛选具有相同横纵坐标的热点缺陷信息；若具有相同横纵坐标热点缺陷信息连续出现次数超过设定数量，则判定所述热点缺陷信息的热点缺陷特征为晶圆卡盘缺陷，筛选出与所述晶圆卡盘缺陷相关联的目标热点缺陷信息。4.根据权利要求1所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，各所述晶圆的批次信息包括工艺膜层信息或产品信息。5.根据权利要求4所述的晶圆缺陷分析方法，其特征在于，所述晶圆缺陷分析方法还包括：根据所述目标热点缺陷信息对所述缺陷源进行分...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡孟勳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：