具有低K介质层的等离子显示板制造技术

一种包括低ｋ介质层的等离子显示板。在一个实施例中，该介质层包括掺杂氟的氧化硅层，例如ＳｉＯＦ层。在另一个实施例中，该介质层包括层。在某些实施例中，在该介质层上淀积覆盖层例如ＳｉＮ或者ＳｉＯＮ。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及等离子显示板，更具体地说，涉及采用低K介质层的等离子显示板。
技术介绍
众所周知，等离子显示板(“PDP”)是在例如高清晰度电视(HDTV)等等的大屏幕显示器中使用的非常薄的显示屏幕。PDP包括一对介质板，每个介质板上都具有平行的电极图形。该显示器通过在局部抽真空的环境内部在相交电极之间产生等离子体或者气体放电而工作。然而，该技术的限制之一在于使用高功率。例如，市场上出售的PDP将大约300-700瓦的功率用于显示。此外，这种显示器要求具有与该显示器相结合的风扇，以帮助散发其使用中产生的大量的热。决定PDP所使用的功率数值和由其产生的热量的一个参量是淀积在前部玻璃板电极上的介质层。通常，使用大约30微米厚的掺杂铅(Pb)的玻璃作为该介质层。该玻璃层的介电常数一般在大约12-16的范围内。应理解PDP的功耗和产生的热是该介质层的介电常数的直接函数。除了掺杂铅的玻璃所带来的高功率要求，铅还是一种公知的有毒材料，因此这些层的使用不仅给制造这些层的工人、而且给产品下线的组装工人都带来了风险。此外，需要有非常严格和精确的退火工序，以便由铅介质层得到好的结果。例如，据认本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子显示板，包括：其上淀积有第一组平行电极的第一板；其上淀积有第二组平行电极的第二板，所述第二组平行电极相对于所述第一组平行电极以直角定向；所述第一和第二板彼此平行定向，以便形成用放电气体填充的空间；和 用低ｋ介质层覆盖所述各组平行电极中的至少一组。

【技术特征摘要】
US 2001-6-18 09/886,1741.一种等离子显示板，包括其上淀积有第一组平行电极的第一板；其上淀积有第二组平行电极的第二板，所述第二组平行电极相对于所述第一组平行电极以直角定向；所述第一和第二板彼此平行定向，以便形成用放电气体填充的空间；和用低k介质层覆盖所述各组平行电极中的至少一组。2.根据权利要求1的等离子显示板，其中所述低k介质层是掺杂卤素的氧化硅层。3.根据权利要求2的等离子显示板，其中所述掺杂卤素的氧化硅层是掺杂氟的氧化硅层。4.根据权利要求3的等离子显示板，其中所述掺杂氟的氧化硅层是用生产气体形成的，所述生产气体由一种混合物构成，该混合物的成份选自这样一组来源其包括氟源、氧源和硅源。5.根据权利要求3的等离子显示板，其中所述掺杂氟的氧化硅层是SiOF层。6.根据权利要求5的等离子显示板，其中所述SiOF层具有大约在10至15微米之间的厚度。7.根据权利要求1的等离子显示板，其中所述低k介质层具有小于大约4.5的总介电常数。8.根据权利要求1的等离子显示板，其中所述低k介质层是用生产气体形成的，所述生产气体包括硅源，该硅源选自这样一组来源其包括三甲基硅烷和甲基硅烷及其混合物。9.根据权利要求8的等离子显示板，其中所述介质层包括BlackDiamondTM。10.根据权利要求8的等离子显不板，其中所述介质层具有大约在10至15微米之间的厚度。11.根据权利要求9的等离子显示板，其中所述介质层具有小于大约3.5的总介电常数。12.根据权利要求1的等离子显示板，进一步包括淀积在所述低k介质层上的覆盖层。13.根据权利要求12的等离子显示板，其中所述覆盖层是用硅源和氮源形成的。14.根据权利要求13的等离子显示板，其中所述覆盖层包含SiN。15.根据权利要求13的等离子显示板，其中所述覆盖层具有大约10至100纳米的厚度。16.根据权利要求13的等离子显示板，其中所述覆盖层是额外地用氧源形成的。17.根据权利要求16的等离子显示板，其中所述覆盖层包含SiON。18.根据权利要求16的等离子显示板，其中所述覆盖层具有大约10至1000纳米的厚度。19.一种制造等离子显示板的方法，所述方法包括以下步骤在处理室中使生产气体流过具有平行电极的玻璃衬底；给该室施加射频能量以便产生等离子；和在所述玻璃衬底上淀积低k介质层，其中所述介质层具有低k值。20.根据权利要求19的方法，其中所述使生产气体流动包括使至少一个氟源、至少一个硅源和至少一个氧源流动。21.根据权利要求20的方法，其中所述至少一个氟源选自这样一组氟源其包括SiF4、CF4、C2F6和NF3。22.根据权利要求20的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：KS劳，Q尚，T竹原，T元，WR哈什巴杰，D梅丹，
申请(专利权)人：应用材料有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]