穿透式电子显微镜试片的制备方法技术

一种穿透式电子显微镜试片的制备方法，至少包含：　　　　提供具有一第一孔洞的一第一基板，且该第一孔洞的开口位于该第一基板的一第一侧壁；　　　　以一胶合材料粘合该第一侧壁与一第二基板；　　　　超音波震荡该第一基板及该第二基板；　　　　将该第一基板及该第二基板置于一真空环境；以及　　　　磨薄该第一基板及该第二基板。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有高深宽比值孔洞的试片的制备方法。
技术介绍
集成电路是将各种电子组件与线路，一起缩小制作于微小的芯片上。随着集成电路的积集度增加，微小的芯片无法提供足够的面积来制作所需的内连线(interconnects)，多重金属层的设计便成为许多集成电路所必须采用的制程方式。在多重金属层制程中，有所谓接触窗(contact window)和介层窗(via window)的制程技术，接触窗用来直接接触金属层导线和晶体管的组件的各极(如闸极的硅化钛，源极/汲极的掺杂硅等)，而介层窗则是用来连络上下不同金属层之用。通常在接触窗或介层窗等孔洞结构形成之后，会以沉积或溅镀等方法将金属回填入接触窗或介层窗之中，以形成接触插塞(contact plug)或是中介插塞(via plug)等，使各层金属层成为一个完整的回路。然而，金属与硅之间的界面并不安定，因此通常会在其界面提供一阻障层(barrier layer)，例如氮化钛(TiN)，来隔离两者，以抑制「尖峰(Spiking)」现象的发生。此阻障层的阶梯覆盖(step coverage)的连续性以及均匀性越好本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张启华，李明，李日鑫，高强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：