一种发光薄膜及其制备方法与用途技术

本发明专利技术是一种发光薄膜及其制备方法与用途。发光薄膜其化学表达式为：Ｙ↓［３（１－ｘ－ｙ）］（Ａｌ↓［ｚ］Ｇａ↓［（１－ｚ）］）↓［５］Ｏ↓［１２］∶Ｔｂ↓［３ｘ］，Ａ↓［３ｙ］其中，０．０００１＜ｘ≤０．３；０．０００１＜ｙ≤０．３；０≤ｚ≤１；Ａ＝Ｇｄ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｔｍ，Ｐｒ或其中两种元素的混合。其制备方法为，根据需要烧制靶材料，采用电子束蒸发镀膜系统在经过清洗的衬底上生长发光薄膜，生长的时间由生长速度与厚度决定。最后将薄膜放入程序升温炉中，以１００℃／ｈ的温度加热到５００－７００℃，并且保留２－３小时。采用本方法制备的发光薄膜表面均匀、致密无开裂。薄膜颗粒大小均匀，而且薄膜的厚度可以控制，薄膜的发光性能优良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光物理材料与显示技术，尤其是一种发光薄膜及其制备方法与用途。技术背景发光材料制成的显示屏在阴极射线管、电致发光以及场发射显示器件中起着十分重要的作用。目前将发光粉末制成的显示屏应用于场发射显示器存在着诸多障碍。由于颗粒之间的接触电阻，导致屏的电导率不高。此外，颗粒之间以及颗粒与衬底之间的附着力问题，也是难以克服的。同时，这种方法制备的屏表面粗糙，致密及均匀性差，容易造成光的反射且稳定性不好，分辨力也较低。因此，制备性能优良的发光薄膜成为这一领域研究的一个重要方向。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术中的问题，而提供一种发光性能优良的发光薄膜，以及该发光薄膜的制备方法与用途。本专利技术为解决上述问题所采用的技术方案是提供一种发光薄膜，其特征在于它的化学表达式为Y3(1-x-y)(AlzGa(1-z))5O12∶Tb3x，A3y其中0.0001＜x≤0.3；0.0001＜y≤0.3；0≤z≤1；A＝Gd或Ce、Nd、Tm、Pr，或其中任两种元素的混合。本专利技术制备发光薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤1)将原料按照化学计量比混合并充分研磨，采用固态反应，在1400-1600℃高温下灼烧2小时，获得靶材料；靶材料经过压制成形，然后经600-800℃烧结2小时，制成直径为3mm的电子束蒸发靶；2)采用电子束蒸发镀膜系统，将衬底表面清洗后经掩模遮盖，装于旋转架上，放入电子束蒸发镀膜系统的反应室中，将电子束蒸发靶装入坩埚内；反应室真空度至少抽到10-5Torr，然后加热衬底，使衬底温度为100-400℃；确定真空度、基底温度，打开电子枪电源，进行蒸发；3)将通过电子束蒸发制备的薄膜放入程序升温炉中，以100℃/h的温度加热到500-700℃，并且保留2-3小时。本专利技术发光薄膜的用途，其特征在于发光薄膜应用于制作场发射显示器的显示屏。本专利技术制备的发光薄膜表面均匀、致密无开裂。薄膜颗粒大小均匀，而且薄膜的厚度可以控制。薄膜的发光性能优良。应用该发光薄膜制成的屏不但能够克服现有技术的缺点，而且还具有热稳定性高、放气率小、附着力强、表面平整度高等优点。具体实施方式本专利技术发光薄膜的化学表达式为(按摩尔比)Y3(1-x-y)(AlzGa(1-z))5O12∶Tb3x，A3y其中0.0001＜x≤0.3；0.0001＜y≤0.3；0≤z≤1；A可以是Gd或Ce、Nd、Tm、Pr，也可以是其中任两种元素的组合。本专利技术中所使用的原料，选用纯度为99.99％的Y2O3，Tb2O3，Ga2O3，Al2O3，Gd2O3，Ce2O3，Nd2O3，Tm2O3，Pr2O3。溶剂为水或乙醇。在该薄膜Y3(1-x-y)(AlzGa(1-z))5O12∶Tb3x，A3y化学表达式中，x，y，z的数值也可以是在以下范围0.0001＜x≤0.1；0.0001＜y≤0.1；0≤z≤1。或者x，y，z的数值在以下范围0.1＜x≤0.3；0.1＜y≤0.3；0≤z≤1。比较好的发光薄膜可以用以下化学表达式表达为(1)Y2.88(Al0.9Ga0.1)5O12∶Tb0.09，Gd0.03(2)Y2.4(Al0.6Ga0.4)5O12∶Tb0.3，Gd0.3发光薄膜的具体实施例还可以按下列表中的数据确定 本专利技术发光薄膜的制备按照化学计量比，将前述发光薄膜实施例配方中的Y2O3，Tb2O3，Ga2O3，Al2O3，Gd2O3等混合，并充分研磨，采用固态反应，在1500℃高温下灼烧2小时，获得靶材料，靶材料经过压制成形，然后经700℃烧结2小时，制成直径为3mm的电子束蒸发靶。采用电子束蒸发镀膜系统制备，选择ITO玻璃作为衬底，将衬底表面清洗后经掩模遮盖，装于旋转架上，放入电子束蒸发镀膜系统的反应室中，将电子束蒸发靶装入选定的坩埚内。反应室真空度抽到10-5Torr，然后加热衬底，使衬底温度为200℃，在确定真空度、温度在正常工作范围内、基底温度达到预定值的前提下，打开电子枪电源，进行蒸发。具体生长的时间由生长速度与厚度决定，本实施例的生长速度设定为5/s，薄膜的厚度为200nm。将电子束蒸发制备的薄膜放入程序升温炉中，以100℃/h的温度加热到600℃，并且保留3小时。即可得到表面均匀、致密无开裂，薄膜颗粒大小均匀的发光薄膜。发光薄膜的衬底材料除采用ITO玻璃外，还可以采用硅、蓝宝石或玻璃等。在电子束蒸发制备薄膜时，加热衬底，优选温度为200-300℃。权利要求1.一种发光薄膜，其特征在于其化学表达式为Y3(1-x-y)(AlzGa(1-z))5O12:Tb3x，A3y其中0.0001＜x≤0.3；0.0001＜y≤0.3；0≤z≤1；A＝Gd或Ce、Nd、Tm、Pr，或其中任两种元素的混合。2.按照权利要求1所述的薄膜，其特征在于所说的0.0001＜x≤0.1；0.0001＜y≤0.1；0≤z≤1。3.按照权利要求1所述的薄膜，其特征在于所说的0.1＜x≤0.3；0.1＜y≤0.3；0≤z≤1。4.按照权利要求3所述的薄膜，其特征在于其化学表达式为Y2.88(Al0.9Ga0.1)5O12:Tb0.09，Gd0.035.按照权利要求2所述的薄膜，其特征在于化学表达式为Y2.4(Al0.6Ga0.4)5O12:Tb0.3，Gd0.36.一种专用于制备权利要求1发光薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤1)将原料按照化学计量比混合并充分研磨，采用固态反应，在1400-1600℃高温下灼烧2小时，获得靶材料；靶材料经过压制成形，然后经600-800℃烧结2小时，制成直径为3mm的电子束蒸发靶；2)采用电子束蒸发镀膜系统，将衬底表面清洗后经掩模遮盖，装于旋转架上，放入电子束蒸发镀膜系统的反应室中，将电子束蒸发靶装入坩埚内；反应室真空度至少抽到10-5Torr，然后加热衬底，使衬底温度为100-400℃；确定真空度、基底温度，打开电子枪电源，进行蒸发；3)将通过电子束蒸发制备的薄膜放入程序升温炉中，以100℃/h的温度加热到500-700℃，并且保留2-3小时。7.一种权利要求1发光薄膜的用途，其特征在于发光薄膜应用于场发射显示器的显示屏。全文摘要本专利技术是一种发光薄膜及其制备方法与用途。发光薄膜其化学表达式为Y文档编号C09K11/77GK1632052SQ200410072629公开日2005年6月29日 申请日期2004年11月5日 优先权日2004年11月5日专利技术者李岚, 张晓松 申请人:天津理工大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光薄膜，其特征在于其化学表达式为：Ｙ↓［３（１－ｘ－ｙ）］（Ａｌ↓［ｚ］Ｇａ↓［（１－ｚ）］）↓［５］Ｏ↓［１２］∶Ｔｂ↓［３ｘ］，Ａ↓［３ｙ］其中：０．０００１＜ｘ≤０．３；０．０００１＜ｙ≤０．３；０≤ｚ≤１；Ａ＝Ｇｄ或Ｃｅ、Ｎｄ、Ｔｍ、Ｐｒ，或其中两种元素的混合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李岚，张晓松，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]