等离子体处理设备和等离子体处理方法技术

在对硅片（６）进行冷却的状态下对该硅片进行等离子体处理的等离子体处理设备中，由第一电极（３）借助于静电吸引保持粘接有保护膜（６ａ）的硅片（６），第一电极（３）的顶表面（３ｇ）由位于边界线（Ｐ２）内侧的顶表面中心区（Ａ）和包围顶表面中心区（Ａ）的环形顶表面周边区（Ｂ）构成，所述边界线从硅片（６）的外周边（Ｐ１）向内距离规定的长度，顶表面中心区中的导体被露出，环形顶表面周边区中的导体用绝缘涂层（３ｆ）覆盖。这种结构通过使硅片（６）与导体直接接触而可以利用足够的静电保持力来保持硅片（６），并且通过从硅片（６）向第一电极（３）传导热量可以提高冷却效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于等离子体处理如硅片之类的半导体衬底的。
技术介绍
在用于半导体器件的硅片的制造工艺中，随着半导体器件厚度的减小，正逐渐执行用于减小衬底厚度的减薄工艺。在减薄工艺中，在硅衬底的前表面上形成电路图形之后，对后表面即与电路形成表面相反的表面进行机械研磨。机械研磨之后，进行等离子体处理，从而刻蚀掉由于研磨形成在硅衬底的研磨表面上的受损层。在等离子体处理中，将硅片保持在如下状态由于硅片的处理对象表面(processing subject surface)(即后表面)必须位于上方，所以使它的电路形成表面朝向衬底安装部分的安装表面。为了防止电路与安装表面直接接触和由此而引起的损伤，在电路形成表面上粘接保护膜。用于保持这类硅片的一种方法是利用静电吸引(electrostatic absorption)的方法。在这种方法中，硅片被放置在衬底安装部分上，在衬底安装部分中导体的所述表面用薄绝缘层覆盖。在所述导体上施加DC电压，从而使衬底安装部分的所述表面成为静电吸引表面。借助于作用在硅片和位于绝缘层下面的导体之间的库仑力通过衬底安装部分来保持硅片。然而，在通过静电吸引保持粘接有保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子体处理衬底表面的等离子体处理设备，所述衬底具有处于前表面上的绝缘层并被容纳在处理室中，该处理设备包括：电极，该电极是导体并具有大于所述衬底的外部尺寸的顶表面；冷却所述电极的冷却装置；向所述电极施加ＤＣ电 压，以使所述电极的顶表面通过静电吸引保持所述衬底的ＤＣ电源部件；降低所述处理室内压力的降压装置；向所述处理室供给等离子体产生气体的等离子体产生气体供给部件；通过向所述电极施加射频电压在处理室中产生等离子体的射频功率部 件，其中，所述电极的所述顶表面具有位于边界线内侧的顶表面中心区和包围该顶...

【技术特征摘要】
JP 2002-7-18 209052/20021.一种用于等离子体处理衬底表面的等离子体处理设备，所述衬底具有处于前表面上的绝缘层并被容纳在处理室中，该处理设备包括电极，该电极是导体并具有大于所述衬底的外部尺寸的顶表面；冷却所述电极的冷却装置；向所述电极施加DC电压，以使所述电极的顶表面通过静电吸引保持所述衬底的DC电源部件；降低所述处理室内压力的降压装置；向所述处理室供给等离子体产生气体的等离子体产生气体供给部件；通过向所述电极施加射频电压在处理室中产生等离子体的射频功率部件，其中，所述电极的所述顶表面具有位于边界线内侧的顶表面中心区和包围该顶表面中心区的环形顶表面周边区，所述边界线从所述衬底的外周边向内距离规定长度，所述顶表面中心区内的导体被露出，所述环形顶表面周边区内的导体被绝缘涂层覆盖。2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，被所述电极的顶表面保持的所述衬底的所述绝缘层的外周边部分在所述外周边和所述边界线之间的区域中与所述绝缘涂层接触。3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，还包括覆盖所述环形绝缘涂层的外周边部分的绝缘部分。4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述绝缘涂层延伸成覆盖所述电极的部分侧表面。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：岩井哲博，有田洁，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]