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在对硅片（６）进行冷却的状态下对该硅片进行等离子体处理的等离子体处理设备中，由第一电极（３）借助于静电吸引保持粘接有保护膜（６ａ）的硅片（６），第一电极（３）的顶表面（３ｇ）由位于边界线（Ｐ２）内侧的顶表面中心区（Ａ）和包围顶表面中心区（Ａ...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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