场发射阴极和场发射装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种场发射阴极，其包括若干电子发射体和用于承载该若干电子发射体的导电承载体。其中，该导电承载体是一个由多个导电承载柱形成的网状结构，该若干电子发射体分别形成于各个导电承载柱的表面。解决了现有技术中电子发射体个体间隔紧密导致其电子屏蔽效应增加的问题，因而使得整个阴极的场发射电压降低，发射性能得到改善。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场发射装置，尤其涉及一种场发射阴极。
技术介绍
请参阅图1，传统的二极型场发射装置6通常包括一平面型的阴极60和一个与其相对的阳极64，两者之间设有绝缘的阻隔壁63。阴极60通常包括一由导电薄膜或导电板形成的平板型基底61和分布于其上的多个电子发射端62。例如，2001年5月30日公开的第00130372.4号中国专利技术专利申请揭示了一种具有类似结构的采用垂直排列的碳纳米管的场致发射显示装置及其制造方法。另外，业界还有一种三极型场发射装置，主要是在上述二极型场发射装置6基础上，在阴极60和阳极64之间增设一栅极。请参阅图2，2001年3月7日公开的第00121140.4号中国专利技术专利申请揭示了一种利用碳纳米管的场发射显示装置7。在该场发射显示装置7中，一个用作阴极的第一金属膜71形成一个下基底70上，一个绝缘膜模板72和一个第二金属膜模板73形成在该第一金属膜7 1上，其中绝缘膜模板72和第二金属膜模板73均具有多个细孔(未标示)以便暴露该第一金属膜71。一种液态导电高聚合物膜74形成在该细孔内。用作发射器顶端的碳纳米管75垂直排列在该聚合物膜74上。该第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射阴极，包括若干电子发射体和用于承载该若干电子发射体的导电承载体，其特征在于，该导电承载体是一个由多个导电承载柱形成的网状结构，该若干电子发射体分别形成于各个导电承载柱的表面。

【技术特征摘要】
1.一种场发射阴极，包括若干电子发射体和用于承载该若干电子发射体的导电承载体，其特征在于，该导电承载体是一个由多个导电承载柱形成的网状结构，该若干电子发射体分别形成于各个导电承载柱的表面。2.如权利要求1所述的场发射阴极，其特征在于，所述的若干电子发射体分别基本垂直于其所在的导电承载柱表面。3.如权利要求1所述的场发射阴极，其特征在于，所述的导电承载柱由导电纤维形成。4.如权利要求3所述的场发射阴极，其特征在于，所述的导电纤维为金属丝、碳纤维或有机导电纤维。5.如权利要求1所述的场发射阴极，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛雷梅，柳鹏，魏洋，潜力，唐洁，刘亮，陈丕瑾，胡昭复，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]