场发射显示器的电子发射源表面活化的方法技术

一种场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，在阴极结构制作并高温烧结后，进行电子发射源表面活化制作。利用喷涂技术，该喷涂技术包括有喷涂装置，该喷涂装置利用高压空气将待喷涂的溶液均匀喷涂灌注在该阴极结构的表面上；此时该溶液将覆盖闸极电极层，并由穿孔及凹陷区域渗入电子发射源表面上，形成喷涂批覆层；再使其干燥成膜后，利用滚筒式脱膜装置进行脱膜处理。该滚筒式脱膜装置具有两滚筒，上述两滚筒中的一滚筒内具有加热单元，在滚压该阴极结构的批覆层时，该滚筒先对该批覆层进行加热软化，让另一滚筒可以轻易将批覆层剥除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种利用喷涂技术的高压空气将溶液均匀喷涂灌注在阴极结构的各像素内，待其干燥成膜后，再将干燥后的批覆膜利用剥膜设备移除，以到达活化电子发射源表面的效果的。
技术介绍
公知的三极场发射显示器，其结构主要包括阳极结构与阴极结构。在阳极结构与阴极结构之间设置有支撑器(spacer)，作为阳极结构与阴极结构间真空区域的间隔，并作为该阳极结构与阴极结构间的支撑。该阳极结构包括阳极基板、阳极导电层及荧光粉体层(phosphors layer)；而该阴极结构包括阴极基板、阴极导电层、电子发射源层、介电层及闸极层；其中，该闸极层被提供电位差以汲引电子发射源层的电子射出，由阳极导电层所提供的高电压使电子束加速，使电子有足够的动能撞击(impinge)阳极结构上的荧光粉体层激发而使其发光。为了使电子在场发射显示器中移动，需以真空设备将显示器保持至少10-5托(torr)以下的真空度，使电子获得良好的平均自由行程(mean free path)，同时应避免电子发射源和荧光粉区的污染及毒化。另外，为使电子有足够能量去撞击荧光粉，故在两板间需有适当间隙，使电子有足够的加速空间来撞本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，用以活化电子发射源表面的方法，其特征在于，所述方法包括：ａ）先取烧结后的阴极结构；ｂ）利用喷涂装置将溶液喷涂在所述阴极结构，以形成批覆层；ｃ）待所述阴极结构上所形成的批覆层 干燥后，利用脱膜装置将所述阴极结构表面的批覆层脱模，以移除阴极结构的电子发射源表面的残余碳材或有机氧化物。

【技术特征摘要】
1.一种场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，用以活化电子发射源表面的方法，其特征在于，所述方法包括a)先取烧结后的阴极结构；b)利用喷涂装置将溶液喷涂在所述阴极结构，以形成批覆层；c)待所述阴极结构上所形成的批覆层干燥后，利用脱膜装置将所述阴极结构表面的批覆层脱模，以移除阴极结构的电子发射源表面的残余碳材或有机氧化物。2.如权利要求1所述的场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，其特征在于所述阴极结构为三极场发射显示器。3.如权利要求2所述的场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，其特征在于所述阴极结构至少包括有基板，在所述基板上形成有电极层，在所述电极层上形成有介电层，在所述介电层上形成有闸极电极层，在所述闸极电极层上形成有穿孔以及用于暴露所述电极层的凹陷区域，再利用纳米碳管在所述电极层上形成有所述电子发射源。4.如权利要求1所述的场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，其特征在于所述喷涂装置为高压空气填充罐。5.如权利要求1所述的场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，其特征在于所述喷涂装置为喷枪。6.如权利要求5所述的场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，其特征在于所述喷枪以高压空气的压送方式将涂料雾化喷涂在所述阴极结构的电子发射源表面上。7.如权利要求5所述的场发射显示器的电子发射源表面活化的方法，其特征在于所述喷枪为了配合使用涂布溶液及悬浮的固含量比例，选用的涂装喷枪空气进气流量至少大于200l/min。8.如权利要求1所述的场发射显示器的电子发射源表面活化的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国荣，
申请(专利权)人：东元奈米应材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]