制作等离子体显示器的电极的方法技术

一种制作等离子体显示器的电极的方法，包括提供一具有透明电极的前透明基板，涂敷负光致抗蚀剂型态的黑色感光胶层和主要感光导电胶层在透明电极上，进行曝光，以定义辅助电极在透明基板上，其中作用于辅助电极的主要区域的第一曝光能量大于作用于辅助电极的边缘区域的第二曝光能量，对黑色感光胶层以及主要感光导电胶层进行显影，以形成辅助电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示器的电极的制作方法，尤其涉及一种避免电极发生边缘翘曲情况的制作方法，以提高等离子体显示器的品质。
技术介绍
近年来，因多媒体应用领域迅速发展，导致使用者有大量的娱乐设备需求。在过去普遍应用阴极射线管(cathode ray tube，CRT)显示器，然而，因阴极射线管显示器体积大，所以并不符合多媒体科技的需求。因此，许多平面显示器技术被研发出来，例如液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、等离子体显示器和场发射显示器(field emission display，FED)。这些显示器技术能制造出轻薄短小的屏幕，因此将成为未来科技的主流。在这些技术中，等离子体显示器是最引人注目的，其为一个全彩显示器装置，又具有大尺寸的显示区域，特别广为使用在大尺寸电视或户外平面显示器中。这是因为它为一个自发光型的显示器，且具有广视角和短响应时间的特性，所以是一个高品质显示器，再者，等离子体显示器的工艺简单，所以可轻易提高它的尺寸规格。彩色等离子体显示器利用气体放电产生紫外光激发荧光体射出可见光，以完成显示动作。一般来说，一个三电极型的等离子体显示器包含有一公共电极(common electrode)、一扫描电极(scan electrode)和一寻址电极(addresselectrode)应用在交流型态的等离子体显示器中。在传统的三电极交流型等离子体显示器中，寻址电极位于两个平行阻隔壁(barrier rib)的后基板(rear substrate)上，多个导电电极对平行设置于前基板上，每一对导电电极包含一公共电极和一扫描电极，设置于垂直寻址电极和阻隔壁的方向上，因此形成多个发光单元于其中。公共电极和扫描电极包含透明电极和辅助电极，透明电极的材料为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)(例如，氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)的混合物)。透明电极的导电性比金属低，因此会在透明电极上增加一宽度较窄的导电层，如辅助电极，以增加导电性。公共电极和扫描电极之间的间隙为得到优选的起始电压所设置。另外，一维持电压施加于公共电极和扫描电极中，以驱动等离子体显示器。根据上述，电极是等离子体显示器的主要元件，因此制作电极的方法是非常重要的。请参考图1至图3，图1至图3为现有技术的制作等离子体显示器电极的工艺示意图。如图1所示，提供一前基板(front substrate)10，如玻璃或其它透明板，透明电极12、14利用氧化铟锡制作而成，且设置在前基板10上，一放电间隙16位于透明电极12、14之间，一具有负型光致抗蚀剂特性的黑色感光胶层18及主要感光导电胶层20涂敷在前基板10、透明电极12和透明电极14上。之后，利用一掩模22，进行一曝光工艺，其中掩模22包含一遮蔽区24和一开口区26，在曝光工艺中，光线27，如视准紫外光(collimated ultraviolet)可穿过开口区26，但被遮蔽区24所阻挡。如图2所示，在曝光工艺之后，进行一显影工艺，以图案化黑色感光胶层18和主要感光导电胶层20。因为黑色感光胶层18和主要感光导电胶层20都是负光致抗蚀剂型态，被掩模遮蔽区24涂敷的区域被移除，以形成辅助电极28、30。显影后的辅助电极28、30的底层区域小于上层区域。当上面的边缘比下面的边缘宽的时候，辅助电极28、30看起来像梯形。如图3所示，进行一烧结工艺，当高温烧结时，一张力(tensile force)产生，使得辅助电极28、30的边缘无法良好的贴合于透明电极12、14上。因此辅助电极会发生边缘翘曲32、34、36、38的现象。现有技术中，边缘翘曲32、34、36和38的高度为1-10微米(micron)，辅助电极28、30的厚度为2-20微米，在有边缘翘曲32、34、36、38的情况下，介电层不容易被形成，且会有气泡的产生，导致边缘翘曲周围遭受电压破坏，这样会严重影响等离子体显示器的品质。目前有两种方式可以改善边缘翘曲32、34、36、38的程度，一为降低辅助电极28、30的厚度，另一为改变黑色感光胶层18及主要感光导电胶层20的组成，以使得辅助电极28、30和透明电极12、14之间的黏着力增加。然而，两种方法都会影响到电极的电阻。
技术实现思路
本专利技术的目的为提供一种等离子体显示器的电极的制作方法，以避免电极发生边缘翘曲情况，以提高等离子体显示器的品质。根据本专利技术的一种制作等离子体显示器电极的方法，其包括以下步骤第一步骤，提供一具有多个透明电极的前透明基板。第二步骤，负光致抗蚀剂型态的黑色感光胶层涂敷在透明电极上。第三步骤，负光致抗蚀剂型态的主要感光导电胶层涂敷在黑色感光胶层上。第四步骤，对黑色感光胶层和主要感光导电胶层进行曝光，以定义多个对应于透明电极的辅助电极，其中作用于辅助电极的主要区域的第一曝光能量大于作用于辅助电极的边缘区域的第二曝光能量。第五步骤，对黑色感光胶层以及主要感光导电胶层进行显影，以形成辅助电极，其中辅助电极的边缘区域的第一厚度小于辅助电极的主要区域的第二厚度。第六步骤，对显影后的黑色感光胶层和主要感光导电胶层进行一烧结工艺。本专利技术的优点为本专利技术所制作的辅助电极和寻址电极可以避免边缘翘曲的发生，以及降低于辅助电极和寻址电极边缘的介电层发生电压破坏。附图说明图1至图3为现有技术制作等离子体显示器电极的工艺示意图。图4至图6为本专利技术第一优选实施例的等离子体显示器电极制作方法的示意图。图7为曝光能量与对应位置的示意图。图8至图9为本专利技术第二优选实施例的等离子体显示器电极制作方法示意图。图10至图12为本专利技术第三优选实施例中等离子体显示器电极制作方法示意图。图13至图14为本专利技术第四优选实施例等离子体显示器电极的制作流程示意图。图15至图18为本专利技术第五优选实施例的等离子体显示器电极制作方法示意图。图19至图20为本专利技术第六优选实施例等离子体显示器电极制作方法的示意图。主要元件符号说明10、50、130、200、266 前基板12、14、52、54、126、128 透明电极16、56 放电间隙 18、58、122、202、262 黑色感光胶层20、60、124、204、264 主要感光导电胶层22、62、206、304 掩模24 遮蔽区26 开口区27、104、156、247、292、366、432 光线28、30、106、108、158、160、248、250、294、296 辅助电极32、34、36、38 边缘翘曲64、66、132、134、208、210、268、270、306、308、310、396、398、400 开口区域68、70、136、138、212、214、272、274、312、314、316、402、404、406 主要区域72、74、76、78、216、218、220、222、318、320、322、324、326、328 栅栏区域80、82、84、86、148、150、152、154、224、226、228、230、284、286、288、290、330、332、334、336、338、340、420、422、424、426、428、430 边缘区域88、90、92本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作等离子体显示器的电极的方法，包括：提供一前透明基板；涂敷负光致抗蚀剂型态的一黑色感光胶层在该前透明基板上；涂敷负光致抗蚀剂型态的一主要感光导电胶层在该黑色感光胶层上；进行一曝光工艺，对该黑色感光胶层和 该主要感光导电胶层进行曝光，以定义多个辅助电极在该前透明基板上，其中作用于该等辅助电极的多个主要区域的一第一曝光能量大于作用于该等辅助电极的多个边缘区域的一第二曝光能量；进行一显影工艺，对曝光后的该黑色感光胶层以及该主要感光导电胶层 进行显影，以形成该等辅助电极，其中该等辅助电极的该等边缘区域的一第一厚度小于该等辅助电极的该等主要区域的一第二厚度；以及进行一烧结工艺，以烧结显影后的该黑色感光胶层和该主要感光导电胶层。

【技术特征摘要】
US 2005-4-18 10/907,8321.一种制作等离子体显示器的电极的方法，包括提供一前透明基板；涂敷负光致抗蚀剂型态的一黑色感光胶层在该前透明基板上；涂敷负光致抗蚀剂型态的一主要感光导电胶层在该黑色感光胶层上；进行一曝光工艺，对该黑色感光胶层和该主要感光导电胶层进行曝光，以定义多个辅助电极在该前透明基板上，其中作用于该等辅助电极的多个主要区域的一第一曝光能量大于作用于该等辅助电极的多个边缘区域的一第二曝光能量；进行一显影工艺，对曝光后的该黑色感光胶层以及该主要感光导电胶层进行显影，以形成该等辅助电极，其中该等辅助电极的该等边缘区域的一第一厚度小于该等辅助电极的该等主要区域的一第二厚度；以及进行一烧结工艺，以烧结显影后的该黑色感光胶层和该主要感光导电胶层。2.如权利要求1所述的方法，其中应用于该曝光工艺中的一掩模具有多个开口区域以对应于该等辅助电极的该等主要区域，及多个栅栏区域以对应于该等辅助电极的该等边缘区域。3.如权利要求2所述的方法，其中该曝光工艺光线穿过该等栅栏区域受到一干涉效果影响，使得作用于该等辅助电极的该等边缘区域的该第二曝光能量小于作用于该等辅助电极的该等主要区域的该第一曝光能量。4.如权利要求1所述的方法，其中该曝光工艺具有一半色调掩模，包括多个开口区域以对应于该等辅助电极的该等主要区域，以及多个半色调区域以对应于该等辅助电极的该等边缘区域。5.如权利要求4所述的方法，其中该曝光工艺光线穿过该等半色调区域时被减弱，以使作用于该等辅助电极的该等边缘区域的该第二曝光能量小...

【专利技术属性】
技术研发人员：林清辉，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]