本申请提供了一种LED发光装置，包括：封装基板、第一LED芯片、至少一个第二芯片和封装层，其特征在于，所述封装基板第一表面可以限定为x方向和y方向，并且垂直于所述第一表面的方向为z方向，所述第一LED芯片在所述x方向或所述y方向上与所述封装基板边缘的最短距离大于至少一个所述第二芯片在同一方向上与所述封装基板边缘的最短距离，其中，至少一个所述第二芯片上表面设置有缓冲层。本申请通过在一个至少一个第二芯片上表面设置缓冲层，第二芯片与封装层不完全直接接触，使LED发光装置在老化过程中封装层存留的应力释放时，缓冲层可以起到缓解在第二芯片上的应力作用，从而降低第二芯片和被拔晶的风险，提高LED发光装置的可靠性。可靠性。可靠性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种LED发光装置
[0001]本专利技术涉及LED封装
，特别是涉及一种LED发光装置。
技术介绍
[0002]LED芯片因为其优良的性能得到快速发展。其中紫外光LED特别是深紫外光LED的巨大的应用价值，尤其是在杀菌消毒方面的应用，引起了人们的高度关注，成为了新的研究热点。
[0003]现有的常规深紫外LED封装结构，主要是采用陶瓷碗杯作为承载基板和石英玻璃封装罩体。但是由于空腔，且陶瓷碗杯存有一定的厚度，因此封装结构存在着体积过大，且价格昂贵的缺点，又由于LED芯片发出的光先从衬底（如蓝宝石衬底，折射率约1.76）到空气（一般认为折射率为1），再到石英玻璃（折射率约1.4），所以导致封装结构的出光效率低下。
[0004]另外还有一些用平面陶瓷基板，模制硅胶的封装形式。这种封装形式主要缺点是深紫外光(290nm以下)对硅胶具有很强的破坏性，长时间照射容易胶裂，而且硅胶对深紫外光透射率相对来说比较低。
[0005]技术解决方案鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种LED发光装置，包括：封装基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一LED芯片，设置在所述封装基板第一表面上，所述第一LED芯片包括第一导电型半导体层、设置在所述第二导电型半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；至少一个第二芯片，设置在所述封装基板第一表面上，所述第二芯片具有相对设置的远离封装基板一侧的上表面和下表面以及设置在上表面和下表面之间的侧表面；封装层，设置在所述封装基板第一表面上，所述第一LED芯片和第二芯片被封装在所述封装基板和所述封装层之间；其特征在于，所述封装基板第一表面可以限定为x方向和y方向，并且垂直于所述第一表面的方向为z方向，所述第一LED芯片在所述x方向或所述y方向上与所述封装基板边缘的最短距离大于至少一个所述第二芯片在同一方向上 与所述封装基板边缘的最短距离，其中，至少一个所述第二芯片上表面设置有缓冲层。
[0006]根据本申请的另一方面，提供了一种LED发光装置，包括：封装基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一LED芯片，设置在所述封装基板第一表面上，所述第一LED芯片包括第一导电型半导体层、设置在所述第二导电型半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；至少一个第二芯片，设置在所述封装基板第一表面上，所述第二芯片具有相对设置的远离封装基板一侧的上表面和下表面以及设置在上表面和下表面之间的侧表面；封装层，设置在所述封装基板第一表面上，所述第一LED芯片和第二芯片被封装在所述封装基板和所述封装层之间；其特征在于，在所述封装基板第一表面垂直方向上，所述第一LED芯片的高度比所述至少一个第二芯片的高度高，其中，至少一个所述第二芯片上表面设置有缓冲层。
[0007]有益效果
与现有技术相比，本申请的有益效果至少如下：（1）本申请通过在一个至少一个第二芯片上表面设置缓冲层，第二芯片与封装层不完全直接接触，使LED发光装置在老化过程中封装层存留的应力释放时，缓冲层可以起到缓解在第二芯片上的应力作用，从而降低第二芯片被拔晶的风险，提高LED发光装置的可靠性；（2）本申请通过在一个至少一个第二芯片上表面设置缓冲层，使得第二芯片上具有缓冲层和封装层，由于两种膜层材料存在折射率渐变差，从而提高第一LED芯片的亮度。
附图说明
[0008]图1是根据第一实施例的LED发光装置的剖视图；图2是根据第一实施例的LED发光装置省略了缓冲层和封装层的平面图；图3是根据第一实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图；图4是根据第一实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图；图5是根据第一实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图图6是根据第一实施例的LED发光装置另一实施例省略了缓冲层和封装层的平面图；图7是根据第一实施例的LED发光装置另一实施例省略了缓冲层和封装层的平面图；图8是根据第一实施例的LED发光装置另一实施例省略了缓冲层和封装层的平面图；图9是根据第二实施例的LED发光装置的剖视图；图10是根据第二实施例的LED发光装置省略了缓冲层和封装层的平面图；图11是根据第二实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图；图12是根据第二实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图；图13是根据第二实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图；图14是根据第二实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图；图15是根据第二实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图；图16是根据第二实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图；图17是根据第二实施例的LED发光装置另一实施例的剖视图。
[0009]附图标记说明：100：LED发光装置；110：封装基板；121:第一LED芯片；122、123、124：第二芯片；123：静电保护芯片；124：可见光LED芯片；130:缓冲层；140：封装层；1101：第一表面；1102：第二表面；111：电极焊盘；113：功能区；114：非功能区；115：间隙；116：凹槽； 117：金属层；115D1：第一段；115D2：第二段本专利技术的实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0010]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量、位置关系及比例可在实现本方技术方案的前提下随意改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
[0011]在本申请的附图中，封装基板110第一表面1101可以限定为x方向和y方向，并且垂直于封装基板110第一表面1101的方向为z方向。在本实施例中，封装基板110第一表面1101沿x方向的水平宽度可以等于沿y方向的水平宽度，但不限于此。
[0012]第一实施例图1是根据本专利技术第一实施例的LED发光装置100的剖视图，图2为在图1中示出的根据第一实施例的LED发光装置100省略了缓冲层130和封装层140的平面图。
[0013]如图1所示，本专利技术的LED发光装置100包括封装基板110、设置在封装基板110上第一表面1101的第一LED芯片121和第二芯片122、缓冲层130和封装层140。
[0014]本实施例的封装基板110可包括具有优秀的支撑强度、散热性、绝缘性等的材料。封装基板110可包括具有高导热率的材料。此外，封装基板110可以由具有良好散热性质的材料制成，使得从芯片产生的热可被有效地排放到外部。在可选实施例中，封装基板110可包括绝缘材料。例如，封装基板110可包括陶瓷材料。封装基板110可包括低温共烧陶瓷(LTCC)或高温共烧陶瓷(HTCC)。在另一可选实施例中，封装基板110可以设置有硅树脂、环氧树脂、包括塑料材料本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种LED发光装置，包括：封装基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一LED芯片，设置在所述封装基板第一表面上，所述第一LED芯片包括第一导电型半导体层、设置在所述第二导电型半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；至少一个第二芯片，设置在所述封装基板第一表面上，所述第二芯片具有相对设置的远离封装基板一侧的上表面和下表面以及设置在上表面和下表面之间的侧表面；封装层，设置在所述封装基板第一表面上，所述第一LED芯片和第二芯片被封装在所述封装基板和所述封装层之间；其特征在于，所述封装基板第一表面可以限定为x方向和y方向，并且垂直于所述第一表面的方向为z方向，所述第一LED芯片在所述x方向或所述y方向上与所述封装基板边缘的最短距离大于至少一个所述第二芯片在同一方向上与所述封装基板边缘的最短距离，其中，至少一个所述第二芯片上表面设置有缓冲层。2.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，至少一个所述第二芯片的侧表面设有缓冲层。3.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述缓冲层的厚度介于10 μm至200μm之间。4.根据权利要求3所述的LED发光装置，其特征在于，所述缓冲层的厚度介于10 μm至50μm之间。5.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述缓冲层的材料为硅胶或者环氧树脂或者全氟聚醚。6.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述第一LED芯片的发光波长为200
‑
380nm或780
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1000nm之间。7.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，至少一个所述第二芯片为的发光波长为380nm
‑
420nm或者440nm至475nm或者490nm至570nm或者625nm至740nm之间。8.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，至少一个所述第二芯片为静电保护芯片。9.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述第二芯片为可见光LED芯片和/或静电保护芯片，所述第一LED芯片在所述x方向或所述y方向上与所述封装基板边缘的最短距离大于所述可见光LED芯片和/或静电保护芯片在同一方向上与所述封装基板边缘的最短距离。10.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述第一LED芯片具有相对设置的上表面和下表面以及设置在上表面和下表面之间的侧表面，所述第一LED芯片的上表面设有缓冲层。11.根据权利要求10所述的LED发光装置，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：白文华，陈顺意，黄森鹏，刘健，余长治，黄永特，徐宸科，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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