纳米金属粒子及其纳米碳管与其发光元件的制备方法技术

本发明专利技术的纳米金属粒子的制备方法是将一导电衬底浸泡于一包含金属离子的电镀液中，再进行一电镀工艺以还原所述金属离子而形成纳米金属粒子于所述导电衬底之上。其次，本发明专利技术可利用所述纳米金属粒子为催化剂，进行一化学气相沉积工艺以形成纳米碳管于所述导电衬底上。之后，本发明专利技术可形成一荧光物质于所述纳米碳管之上而形成一发光元件。当施加一预定电压于所述导电衬底与所述荧光物质之间，所述导电衬底上的纳米碳管将因尖端放电效应而射出电子，其轰击所述荧光物质产生光束。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米金属粒子的制备方法及其纳米碳管的制备方法与其发光元件的 制备方法，尤其涉及一种利用电镀工艺还原金属离子的纳米金属粒子的制备方法及其纳 米碳管的制备方法与其发光元件的制备方法。背景技水研究人员根据不同的原理，目前已经开发出许多种纳米金属粒子阵列技术，例如电 子束刻写法、阳极氧化铝模板法、微接触印刷法及团联式高分子模板法。电子束刻写法(参见J. Mater. Res.， Vol. 16， p3246 ，2001)虽然可任意精准地布植纳米 金属粒子，然而其刻写程序相当耗时，不适于讲求效率及大面积的批量生产工艺。此外 ,电子束刻写法还必须使用复杂的曝光光刻蚀刻工艺，因而其批量生产及大面积化的制 造成本相当昂贵。阳极氧化铝模板法(参见Appl. Phys. Lett., Vol. 75, p367， 1999)利用预先制作的模具 在高纯度的铝衬底上压印出小圆柱孔洞阵列，再将此表面图案化的铝衬底浸入化学电镀 液中当作阳极，进行氧化铝的单晶沉积。由于铝衬底表面具有圆孔洞，导致氧化铝的外 延晶片速度不同，因而可形成一圆柱孔洞阵列。然而，阳极氧化铝模板法仅可适用于纯 铝衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米金属粒子的制备方法，其特征在于包含：　　　　浸泡一导电衬底于一包含金属离子的电镀液中；以及　　　　进行一电镀工艺以还原所述金属离子而形成纳米金属粒子于所述导电衬底之上。

【技术特征摘要】
1.一种纳米金属粒子的制备方法，其特征在于包含浸泡一导电衬底于一包含金属离子的电镀液中；以及进行一电镀工艺以还原所述金属离子而形成纳米金属粒子于所述导电衬底之上。2. 如权利要求l所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于所述导电衬底的表面粗 糙度介于纳米尺度。3. 如权利要求2所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于所述表面粗糙度介于5纳米至10微米之间。4. 如权利要求l所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于所述导电衬底具有导电区域及非导电区域。5. 如权利要求l所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于所述导电衬底包含铟锡 氧化物。6. 如权利要求l所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于所述金属离子为磁性金 属离子。7. 如权利要求l所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于所述金属离子为铁离子、 钴离子或镍离子。8. 如权利要求l所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于另外包含在所述导电衬 底表面进行一表面粗化工艺，使得所述导电衬底的表面粗糙度介于纳米尺度。9. 如权利要求8所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于所述表面粗化工艺为一 抛光工艺或等离子轰击工艺。10. 如权利要求l所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于所述电镀工艺为一循环 电位电镀工艺。11. 如权利要求l所述的纳米金属粒子的制备方法，其特征在于所述纳米金属粒子的尺 寸介于1纳米至150纳米之间。12. —种纳米碳管的制备方法，其特征在于包含-浸泡一导电衬底于一包含金属离子的电镀液中；进行一电镀工艺以还原所述金属离子而形成纳米金属粒子于所述导电衬底之上；以及利用所述纳米金属粒子为催化剂，进行一化学气相沉积工艺以形成纳米碳管于所 述导电衬底上。13. 如权利要求12所述的纳米碳管的制备方法，其特征在于所述导电衬底的表面粗糙度 介于纳米尺度。14. 如权利要求13所述的纳米碳管的制备方法，其特征在于所述表面粗糙度介于5纳米 至10微米之间。15. 如权利要求12所述的纳米碳管的制备方法，其特征在于所述导电衬底具有导电区域 及非导电区域。16. 如权利要求12所述的纳米碳管的制备方法，其特征在于所述导电衬底包含铟锡氧化 物。17. 如权利要求12所述的纳米碳管的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾宇璨，林正轩，萧柏龄，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]