二维四极离子阱制造技术

提供了一种线性离子阱的孔设计，其中优化该孔以尽量减小可能的轴向场不均匀同时保持四极杆的结构整体性。一般地，本发明专利技术提供一种俘获随后发射离子的线性离子阱。该线性离子阱包括限定内阱体的多根杆，该内阱体具有纵向延伸的轴。一根或多根杆包括径向延伸通过杆且纵向延着杆延伸的孔。该孔配置为使得离子从内阱体通过该孔到达内阱体外部的区域。在孔附近设置至少一个槽，其沿着杆纵向延伸并且正对内阱体，该槽在径向上不延伸通过杆。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】二维四极离子阱
所公开的本专利技术实施例总体涉及二维离子阱。技术背景四极离子阱是一种设备，其中通过向杆施加射频(RF )电压、直流(DC ) 电压或者其组合而产生的实质四极静电压，将离子引入或形成并容纳在由 多个电极或者杆结构形成的阱体内。为形成实质四极电压，该杆形状通常 为双曲线。两维或者线性离子阱通常包括两对电极或者杆，其通过利用二维RF 四极阱电压同时在第三维采用非-四极DC俘获场来容纳离子。位于四极 结构末端的简单平透镜可提供DC俘获场。当在线性离子阱中采用质量选择不稳定扫描时，离子最有效地从阱中 以径向发射。 一些研究者在四极杆的两极之间发射了离子。但是，由于高 的场梯度，离子损失巨大。为提高效率，通过在杆中引入孔而经过杆发射 离子。对于线性离子阱， 一种可引入孔的方式为沿着杆的长度。当孔(或 者多个孔)被切削为 一个或多个线性离子阱电极以允许离子从设备发射 时，电压从理论四极电压降低，并且因此该孔的存在能够影响几个重要的 性能因子。因此，该孔的特征是很重要的。向线性离子阱中引入孔不仅可降低理论四极电压，而且可有助于降低 杆本身的结构整体性，从而导致轴方向上的机械偏差并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线性离子阱，用于俘获并随后发射离子，包括：限定内阱体的多根杆，该内阱体具有纵向延伸的轴，一根或多根杆包括径向延伸通过杆的孔，该孔配置为使得离子能够从内阱体通过该孔到达内阱体外部的区域；以及在一根或多个杆中形成且在孔附近设 置的至少一个槽，其沿着杆纵向延伸，朝内阱体开口，所述槽不在径向上延伸通过杆。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-8-4 11/197,0831.一种线性离子阱，用于俘获并随后发射离子，包括限定内阱体的多根杆，该内阱体具有纵向延伸的轴，一根或多根杆包括径向延伸通过杆的孔，该孔配置为使得离子能够从内阱体通过该孔到达内阱体外部的区域；以及在一根或多个杆中形成且在孔附近设置的至少一个槽，其沿着杆纵向延伸，朝内阱体开口，所述槽不在径向上延伸通过杆。2. 根据权利要求1的线性离子阱，其中该多根杆为多极杆，使其成形为在内阱体内提供实质四极电压。3. 根据权利要求1的线性离子阱，其中 该槽直4妄连至孔。4. 根据权利要求1的线性离子阱，其中 该至少一个槽为至少两个槽。5. 根据权利要求1的线性离子阱，其中 该槽具有轴向延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔W赛恩科，杰C施瓦兹，
申请(专利权)人：塞莫费尼根股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]