高性能微制造静电四极透镜制造技术

本发明专利技术提供了在微型四极静电透镜的几何形状中排列圆柱电极组的方法，所述微型四极静电透镜可以用作四极质谱仪中的质量过滤器。电极成对安装于由绝缘基底上的导电部分形成的微制造支撑上。导电部分的完全分割提供了在共面圆柱电极之间的低电容耦合，并且允许并入Ｂｒｕｂａｋｅｒ预过滤器以提高在给定质量分辨率下的灵敏度。完整的四极由通过另外的导电间隔物间隔开的两个这样的支撑构成。间隔物在电极周围连续以提供导电屏蔽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及质谱学，且具体地涉及具有高范围、低噪声和高灵敏度的 微型静电四极质量过滤器的提供。
技术介绍
微型质谱仪可用作检测生化战剂、毒品、爆炸物和污染物的便携器件、 用作空间探索的仪器以及用作残留空气分析仪。质i普仪包括三个主要的子系统离子源、离子过滤器和离子计数器。 最成功的变体之一是使用四极静电透镜作为质量过滤器的四;WH普仪。传 统的四极透镜包括四个圆柱电极，这些电极精确地平行安装且它们的中心 到中心的间隔与它们的直径有明确定义的比率[Batey 1987。离子被注入到电极之间的光瞳中并且在随时间变化的双曲线静电场 的影响之下与电极平行地行进。该电场包含直流(DC)和交流(AC)分 量。AC分量的频率是固定的，且DC电压与AC电压之比也是固定的。对在此电场中的离子的动力学研究已经表明只有特定质荷比的离子 才会越过四极而不向这些棒之一放电。因而该器件用作质量过滤器。可以 检测成功离开过滤器的离子。如果DC和AD电压混在一起(ramp together),则检测到的信号是出现在离子流中的不同质量的谞。可以检测 到的最M量取决于可以施加的最大电压。四极过滤器的分辨率取决于两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
由第一和第二微制造基座形成的静电四极透镜，每个基座具有绝缘基底，该绝缘基底上形成有被配置为分别接纳第一和第二电极的第一和第二安装部件，所述第一和第二安装部件物理上是彼此区分的。

【技术特征摘要】
GB 2007-1-31 0701809.61.由第一和第二微制造基座形成的静电四极透镜，每个基座具有绝缘基底，该绝缘基底上形成有被配置为分别接纳第一和第二电极的第一和第二安装部件，所述第一和第二安装部件物理上是彼此区分的。2. 如权利要求l所述的透镜，其中每个基座还包括至少一个间隔物， 该至少一个间隔物的高度高于第一或第二安装部件的高度。3. 如权利要求2所述的透镜，其中每个安装部件由两个支撑部件形 成，所述支撑部件物理上;lL彼此区分的。4. 如权利要求2或者3所述的透镜，其中，所述支撑部件的每一个 形成为在所述绝缘基底上的岛状物，各島状物被沿所述基座的纵轴和横轴 形成的沟槽所分隔。5. 如权利要求4所述的透镜，其中每个安装部件的支撑部件位于基 底上的第一和第二位置并且通过间隔物4皮彼此分开，所述间隔物形成位于 所述第一与第二位置之间的屏蔽，使得接纳的电极穿过该屏蔽。6. 如权利要求5所述的透镜，其中所述屏蔽包括具有基本上与电极 平行的纵轴线的屏蔽沟槽。7. 如权利要求6所述的透镜，其中所述屏蔽沟槽具有导电表面，所 述屏蔽沟槽具有的深度使得在电极穿过所述屏蔽时，与该屏蔽的导电表面 物理上是分开的。8. 如权利要求2至7中任一项所述的透镜，其中，所述第一和第二 安装部件的每一个在其上表面上具有导电表面，使得当电极被接纳并且位 于所述第一和第二安装部件上时，实现所述电极与其相应的安装部件之间 的电接触。9. 如权利要求8所述的透镜，其中插入的电极能被接纳于位于所述 第一和第二安装部件中的任一个的上表面中的定位结构内。10. 如权利要求9所述的透镜，在从属于权利要求6时，所述定位结 构的深度小于在屏蔽中形成的沟槽的深度，使得电^l^被接纳于蚀刻结构 中时悬在所述沟槽之上。11. 如权利要求2至10中任一项所述的透镜，具有被接纳于每个安 装部件内的电极。12. 如权利要求11所述的透镜，其中第一和第二基座被布置为夹层 结构，使得所述第一和第二基座的各自的绝缘基底在所述结构的相对侧并 且提供其外表面。13. 如权利要求12所述的透镜，其中在形成夹层结构时，用于第一 和第二基座中的每一个的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德西姆斯，
申请(专利权)人：麦克诺塞伊可系统有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]