【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种质^C和一种质镨测定方法。
技术介绍
质量扫描四极质量过滤器/分析器是普遍存在的分析设备。然而，质 量扫描四极质量过滤器/分析器的主^点在于这样的设备由于具有不良占空比而具有低灵敏度。如果四极质量过滤器/分析器以y道尔顿(Da) 的质量分辨率或J^值宽度扫描x道尔顿的质量范围，则四极质量过滤器/ 分析器的占空比将为y/x。通常，常规四极质量过滤器/分析器可以以质量 分辨率1扫描1000道尔顿的质量范围。因而，常规四极质量过滤器/分析 器的占空比可能仅为1/1000或0.1 % 。结果，四极质量过滤器/分析器在任 何特定瞬间仅能够向前传送四极质量过滤器/质量分析器接收到的离子的 总质量范围的0.1%。除了在该特定瞬间被向前传送的那些离子以外的所 有离子将具有经过四极质量过滤器/分析器的不稳定轨道并且因此将被四 极质量过滤器/分析器衰减。
技术实现思路
才艮据本专利技术的一方面，提供一种质#义，该质脊仗包括包括多个电极的质量或质荷比选择离子捕获器；布置在质量或质荷比选择离子捕获器的下游的第一质量过滤器/分析 器或质镨仪；以及控制装置，被布置成和适合于...
【技术保护点】
一种质谱仪，包括： 包括多个电极的质量或质荷比选择离子捕获器； 布置在所述质量或质荷比选择离子捕获器的下游的第一质量过滤器／分析器或质谱仪；以及 控制装置，被布置成和适合于： （ｉ）使得离子根据它们的质量或质荷比从所述离子捕获器有选择地喷出或释放；以及 （ｉｉ）以与离子从所述离子捕获器的有选择喷出或释放基本上同步的方式扫描所述第一质量过滤器／分析器或质谱仪。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2005-7-21 0514964.6;US 2005-7-21 60/701,4661.一种质谱仪，包括包括多个电极的质量或质荷比选择离子捕获器；布置在所述质量或质荷比选择离子捕获器的下游的第一质量过滤器/分析器或质谱仪；以及控制装置，被布置成和适合于(i)使得离子根据它们的质量或质荷比从所述离子捕获器有选择地喷出或释放；以及(ii)以与离子从所述离子捕获器的有选择喷出或释放基本上同步的方式扫描所述第一质量过滤器/分析器或质谱仪。2. 如权利要求1所述的质镨仪，其中所述第一质量过滤器/分析器或 质*包括质量或质荷比扫描质量过滤器/分析器或质#^。3. 如权利要求1或2所述的质镨仪，其中所述第一质量过滤器/分析 器或质脊义包括四极质量过滤器/分析器或质脊汊。4. 如权利要求1、 2或3所述的质镨仪，其中所述第一质量过滤器/ 分析器或质#^包括四极杆集质量过滤器/分析器或质#^。5. 如权利要求1或2所述的质谱仪，其中所述第一质量过滤器/分析 器或质脊汊包括磁式扇形质量过滤器/分析器或质脊义。6. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，其中所述离子捕获器具有从 以下分辨率中选择的质量或质荷比分辨率(0<1; (ii)l-5; (iii) 5-10;(iv) 10-15; (v) 15-20; (vi) 20-25; (vii) 25-30; (viii) 30-35; (ix) 35-40; (x)40-45; (xi)45-50; (xii)50-100; (xiii) 100-150; (xiv) 150-200;(xv) 200-250; (xvi) 250-300; (xvii) 300-350; (xviii) 350-400; (xix) 400-450; (xx) 450-500; (xxi) 500-600; (xxii) 600-700; (xxiii) 700-800;(xxiv) 800-卯0; (xxv)卯0-1000;以及(xxvi) >1000。7. 如任何前述权利要求所述的质谱仪，其中所述第一质量过滤器/ 分析器或质镨仪具有从以下分辨率中选择的质量或质荷比分辨率(i) <100; (ii) 100-200; (iii) 200-300; (iv) 300-400; (v) 400-500; (vi) 500-600; (vii) 600-700; (viii) 700-800; (ix) 800-900; (x) 900-1000;(xi) 1000-1500; (xii) 1500-2000; (xiii) 2000-2500; (xiv) 2500-3000;以及(xv) >3000。8. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，其中所述第一质量过滤器/ 分析器或质镨仪的质量或质荷比分辨率大于所述离子捕获器的质量或质 荷比分辨率。9. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，其中所述第一质量过滤器/ 分析器或质镨仪的质量或质荷比分辨率相对于所述离子捕获器的质量或 质荷比分辨率的倍因数选自于(i)l國2; (ii) 2-3; (iii) 3画4; (iv) 4-5;(v) 5-6; (vi) 6國7; (vii) 7画8; (viii) 8画9; (ix) 9國10; (x) 10-11; (xi) 11-12; (xii) 12-13; (xiii) 13-14; (xiv) 14-15; (xv) 15-16; (xvi) 16-17; (xvii) 17-18; (xviii) 18-19; (xix) 19-20; (xx) 20-50; (xxi) 50-100; (xxii) 100-150; (xxiii) 150-200; (xxiv) 200-250;以及(xxv) >250。10. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，其中所述第一质量过滤器/ 分析器或质镨仪被布置成接收已从所述离子捕获器有选择地喷出或释放 的离子。11. 如任何前^利要求所述的质*，其中所述控制装置被布置成 和适合于使得离子根据它们的质量或质荷比从所述离子捕获器依次地或 渐i^喷出或释放。12. 如任何前述权利要求所述的质^，其中所述控制装置被布置成 和适合于以基本上连续和/或线性和/或渐进和/或规则方式扫描所述第一 质量过滤器/分析器或质*^。13. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，其中所述控制装置被布置成 和适合于以基本上非连续和/或阶跃式和/或非线性和/或非渐进和/或不规 则方式扫描所述第一质量过滤器/分析器或质镨仪。14. 如任何前述权利要求所述的质谱仪，其中所述控制装置被布置成 和适合于使离子从所述离子捕获器的有选择喷出或释放与所述第 一质量 过滤器/分析器或质*的质量或质荷比传送窗的扫描同步。15. 如任何前a利要求所述的质镨仪，其中从所述离子捕获器有选 择地喷出或释放的离子中的至少一些离子由所述第 一质量过滤器/分析器 或质镨仪向前传送。16. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，还包括布置在所述离子捕获 器和/或所述第一质量过滤器/分析器或质镨仪的上游和/或下游的一个或 多个离子检测器。17. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，还包括布置在所述离子捕获 器和/或所述第一质量过滤器/分;f斤器或质镨仪的下游和/或上游的又一质 量分析器。18. 如权利要求17所述的质*，其中所述又一质量分析器选自于 (i)傅立叶变换(FT)质量分析器；(ii)傅立叶变换离子回旋共振 (FTICR,，)质量分析器；(iii)飞行时间(TOF)质量分析器;(iv)正交加速飞行时间(oaTOF)质量分析器；(v)轴向加速飞行时间质量 分析器；(vi)磁式扇形质镨仪；(vii)保罗(Paul)或3D四极质量分析 器；(viii) 2D或线性四财量分析器；(ix)彭宁(Penning)捕获器质量分析器；(x)离子捕获器质量分析器；(xi)傅立叶变换轨道捕获器；(xii) 静电傅立叶变M镨仪；以及(xiii)四极质量分析器。19. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，其中所述离子捕获器被布置 成在一工作模式下释放具有第一质荷比范围的离子而基本上保留所述离 子捕获器内具有所述第一范围之外的质荷比的离子。20. 如权利要求19所述的质镨仪，其中所述第一质荷比范围落在从 以下范围中选择的一个或多个范围内(i )<100; (ii )100-200; (iii )200-300;(iv)300-400; (v)400-500; (vi)500-600; (vii)600-700; (viii)700-800;(ix) 800-卯0; (x)卯0-1000; (xi) 1000-1100; (xii) 1100-1200; (xiii) 1200-1300; (xiv) 1300-1400; (xv) 1400-1500; (xvi) 1500-1600; (xvii) 1600-1700; (xviii) 1700-1800; (xix) 1800-1900; (xx) 1900-2000;以及(xxi) >2000。21. 如任何前述权利要求所述的质谱仪，其中所述离子捕获器包括离 子引导装置。22. 如任何前述权利要求所述的质谱仪，其中所述离子捕获器包括 RF电极集。23. 如权利要求22所述的质脊仗，其中所述RF电极集包括至少一 对RF电极堆。24. 如权利要求23所述的质脊仗，其中每对RF电极堆中的堆跨气 体单元间隔开，且每个堆中的RF电极沿着离子提M径堆叠。25. 如权利要求22、 23或24所述的质语仪，其中所述RF电极集包 括沿着离子提^J^H更置的RF电极的子集。26. 如权利要求25所述的质镨仪，其中通过向RF电极的所述子集施加的振荡RF电势的周期性、沿着所述离子捕获器的轴产生一个或多个 势垒。27. 如任何前i^K利要求所述的质^，还包括用于向RF电极的子 集中的多个相邻RF电极施加同相的振荡RF电势以使得在所述子集中的 RF电极组之间建立振荡RF电势的周期性的装置。28. 如任何前i^K利要求所述的质谱仪，还包括如下装置，该装置用 于向所述电极施加振荡RF电势以便(i)大致沿着横向于离子提M径 的至少一个轴生成质动力离子捕获电势；以及(ii)沿着离子提M径至 少部分地生成有效电势，其中所述有效电势包括至少一个势垒，所述至少 一个势垒的量值依赖于离子供应中的离子的质荷比并且基本上独立于沿 着所述横向轴的离子的位置，其中所述至少一个势垒由向所述电极施加的 振荡RF电势的周期性引起。29. 如任何前a利要求所述的质剩义，还包M布置成和适合于向 所述多个电极中的至少一些电;fefe加AC或RF电压的AC或RF电压装30. 如权利要求29所述的质镨仪，其中所述AC或RF电压装置被 布置成和适合于向所述多个电极中的至少一些电极施加所述AC或RF电 压以《更将至少 一些离子径向P艮制于所述离子捕获器内。31. 如权利要求29或30所述的质镨仪，其中所述AC或RF电压装 置4皮布置成和适合于向所述多个电极中的至少1%、 5%、 10o/。、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95%或100%施加AC或 RF电压。32. 如权利要求29、 30或31所述的质镨仪，其中所述AC或RF电 压装置被布置成和适合于供应具有从以下幅度中选择的幅度的AC或RF 电压(i)〈50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii) 100國150V峰-峰值； (iv) 150-200V峰-峰值；(v) 200-250V峰-峰值；(vi) 250-300V 峰—峰值；(vii) 300-350V峰—峰值；(viii) 350-400V峰—峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x) 450-500V峰-峰值；以及(xi) >500V峰 - 峰 值。33. 如权利要求29-32中任何权利要求所述的质谱仪，其中所述AC 或RF电压装置被布置成和适合于供应具有从以下频率中选择的频率的 AC或RF电压(i) <100kHz; (ii) 100-200kHz; (iii) 200-300kHz; (iv)300國400kHz; (v)400-500kHz; (vi)0,5誦1.0MHz; (vii) 1.0-1.5MHz; (viii) 1.5誦2.0MHz; (ix) 2.0-2.5MHz; (x) 2.5-3.0MHz; (xi) 3.0誦3.5MHz; (xii) 3.5隱4.0MHz; (xiii) 4.0画4,5MHz; (xiv) 4.5-5.0MHz; (xv) 5.0隱5.5MHz;(xvi) 5.5-6.0MHz; ( xvii) 6.0-6.5MHz; ( xviii) 6.5画7.0MHz; ( xix ) 7.0画7,5MHz; (xx) 7.5-8.0MHz; (xxi) 8.0-8.5MHz; (xxii) 8.5-9.0MHz;(xxiii) 9.0画9,5MHz; (xxiv) 9.5-10.0MHz;以及(xxv) >10.0MHz。34. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，其中所述离子捕获器包括用 于将离子径向限制于所述离子捕获器内的装置。35. 如任何前a利要求所述的质镨仪，其中所述离子捕获器包括用 于生成质动力或RF离子捕获电势的装置。36. 如权利要求35所述的质镨仪，其中在交叉或正交于气体和/或离 子流过所述离子捕获器的方向的方向上生成所述质动力或RF离子捕获电势。37. 如权利要求35或36所述的质剩义，其中在与静电或DC离子捕 获电势的方向正交的方向上生成所述质动力或RF离子捕获电势。38. 如权利要求35、 36或37所述的质镨仪，其中在与沿着所述离子 捕获器的长度施加的轴向电场的方向正交的方向上生成所述质动力或RF 离子捕获电势。39. 如任何前a利要求所述的质镨仪，其中所述离子捕获器包括用 于生成具有周期性的多个轴向伪势阱的装置。40. 如权利要求39所述的质镨仪，其中所述轴向伪势阱的幅度依赖 于离子的质荷比。41. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，还包括用于生成静电或DC 离子捕获势阱的装置。42. 如权利要求41所述的质镨仪，其中在交叉或正交于气体和/或离 子流过所述离子捕获器的方向的方向上生成所述静电或DC离子捕获势 阱。43. 如权利要求41或42所述的质镨仪，其中在与生成质动力或RF 电势所沿着的方向正交的方向上生成所述静电或DC离子捕获势阱。44. 如权利要求41、 42或43所述的质^f义，其中在与沿着所述离子 捕获器的长度施加轴向电场的方向正交的方向上生成所述静电或DC离子捕获势阱。45. 如权利要求41-44中任何权利要求所述的质镨仪，其中用于生成 静电或DC离子捕获势阱的所述装置包括至少一对电极，所述至少一对电 极中的电极跨气体单元间隔开。46. 如权利要求41-45中任何权利要求所述的质镨仪，其中用于生成 静电或DC离子捕获势阱的所述装置包括一系列对沿着气体单元设置的 电极。47. 如任何前述权利要求所述的质静义，还包括用于生成另外电势以 提供防止离子从所述离子捕获器的提取区被提取的有效电势的装置。48. 如权利要求47所述的质镨仪，其中所述离子捕获器被布置成使 得防止离子从所述提取区被提取的所述有效电势的特性至少部分地由质 动力或RF离子捕获电势的生成所引起。49. 如任何前述权利要求所述的质 ^，还包括用于沿着所述离子捕 获器的轴向长度的至少5%、 10%、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40 %、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95°/。或100%施加轴向电场的装置。50. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，其中所述离子捕获器还包括 用于沿着离子^^径施加漂移电势的装置。51. 如权利要求50所述的质镨仪，还包括用于变化所述漂移电势的 量值以便有选择地提取离子的装置。52. 如任何前a利要求所述的质^义，其中所述离子捕获器包括气 体单元，气体本体中的离子供应在使用时位于所述气体单元中。53. 如权利要求52所述的质镨仪，其中所述气体单元的至少一部分 包括可以输送气流中携带的离子的气流导管，所述导管具有气流方向。54. 如权利要求53所述的质镨仪，还包括用于提供所述气流的气流 装置。55. 如任何前述权利要求所述的质谱仪，其中所述离子捕获器包括限 定离子提^径的离子提取体积。56. 如权利要求55所述的质镨仪，其中所述离子提取体积包括具有 宽度、高度和长度的长方体。57. 如权利要求56所述的质镨仪，其中所述长方体的宽度与高度之 比选自于(i)a; (ii)a.l; (iii)^1.2; (iv)^l,3; (v)a.4; (vi)^1.5;(vii)^1.6; (viii)^1.7; (ix) ^L.8; (x) ^1.9;以及(xi) $2.0。58. 如任何前述权利要求所述的质谱仪，还包括用于从所述离子捕获 器的提取区有选择地提取具有预定质荷比或离子迁移率的离子的离子提 取装置。59. 如^r前a利要求所述的质a,还包括用于空间有选择地提取位于所述离子捕获器内预定空间位置的离子群体的离子提取装置。60. 如权利要求58或59所述的质*(义，其中所述离子提取装置包括 跨气体单元设置并且其中形成有孔的离子垒。61. 如权利要求60所述的质镨仪，还包括用于施加提取场以通过所 述孔提取离子的装置。62. 如权利要求60或61所述的质镨仪，其中所述离子捕获器还包括 与所述孔连通的由漏电^h质材料形成的向内延伸管。63. 如任何前a利要求所述的质脊义，还包括用于变化或扫描沿着 所述离子捕获器的轴向长度产生的多个轴向伪势阱的装置。64. 如任何前述权利要求所述的质^f义，还包括用于变化有效电势以 便允许从所述离子捕获器有选择地提取预定质荷比或离子迁移率的离子 的装置。65. 如权利要求64所述的质镨仪，其中用于变化所述有效电势的所 述装置变化振荡RF电势以便有选择地提取离子。66. 如权利要求64或65所述的质谱仪，其中用于变化所述有效电势 的所述装置变化所述离子捕获器内的质动力或RF离子捕获电势以便使得 所选离子群体移动到预定空间位置。67. 如权利要求64、 65或66所述的质*(义，其中用于变化所述有效 电势的所述装置变化所述离子捕获器内的静电或DC离子捕获势阱以便 使得所选离子群体移动到预定空间位置。68. 如权利要求64-67中任何权利要求所述的质镨仪，还包括用于变 化气体本体的压力以便使得所选离子群体移动到预定空间位置的装置。69. 如任何前述权利要求所述的质谱仪，其中所述离子捕获器包括如 下设备，在所述设备中，离子被携带于载体气体的层流中并且被捕获于其中跨所述层;絲加电场的垒区中。70. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，其中所述离子捕获器包括被 布置成和适合于在第一工作模式下沿着所述离子捕获器的轴向长度的至 少一部分维持一个或多个DC、真实或静态势阱或基本上静态非均匀电场 的第一装置。71. 如权利要求70所述的质^仪，其中所述第一装置被布置成和适 合于沿着所述离子捕获器的轴向长度的至少一部分维持至少1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10或>10个势阱。72. 如权利要求70或71所述的质镨仪，其中所述第一装置被布置成 和适合于沿着所述离子捕获器的轴向长度的至少一部分维持一个或多个 基本上二次势阱。73. 如权利要求70或71所述的质镨仪，其中所述第一装置被布置成 和适合于沿着所述离子捕获器的轴向长度的至少一部分维持一个或多个 基本上非二次势阱。74. 如权利要求70-73中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述第一 装置被布置成和适合于沿着所述离子捕获器的轴向长度的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95%或100 %维持一个或多个势阱。75. 如权利要求70-74中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述第一 装置被布置成和适合于维持具有从以下深度中选择的深度的 一个或多个 势阱)<10V; (ii)10画20V; (iii)20画30V; (iv)30誦40V; (v) 40-50V;(vi) 50-60V; (vii) 60-70V; (viii) 70-80V; (ix) 80-90V; (x)卯画100V; 以及(xi) >100V。76. 如权利要求70-75中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述第一 装置被布置成和适合于在所述第一工作模式下沿着所述离子捕获器的轴 向长度维持其中最小值位于第一位置的一个或多个势阱。77. 如权利要求76所述的质镨仪，其中所述离子捕获器具有离子入 口和离子出口，并且其中所述第一位置位于所述离子入口下游距离L处 和/或所述离子出口上游if巨离L处，并且其中L选自于以下距离(i) <20mm; (ii) 20-40mm; (iii) 40-60mm; (iv) 60國80mm; (v) 80-100mm;(vi) 100-120mm; (vii) 120誦140mm; (viii) 140-160mm; (ix) 160-180mm; (x) 180-200mm;以及(xi) >200mm。78. 如权利要求70-77中任何权利要求所述的质谱仪，其中所述第一 装置包括用于向所述电极的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95%或100%供应一个或多个DC电压 的一个或多个DC电压源。79. 如权利要求70-78中任何权利要求所述的质谱仪，其中所述第一 装置被布置成和适合于提供具有沿着所述离子捕获器的轴向长度的至少 一部分变化或增大的电场强度的电场。80. 如权利要求70-79中任何权利要求所述的质脊仗，其中所述第一 装置被布置成和适合于提供具有沿着所述离子捕获器的轴向长度的至少 1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95%或100%变化或增大的电场强度的电场。81. 如权利要求70-80中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述离子 捕获器包括被布置成和适合于在所述第一工作模式下沿着所述离子捕获 器的轴向长度的至少一部分维持随时间变化的基本上均匀轴向电场的第82. 如权利要求81所述的质镨仪，其中所述第二装置被布置成和适 合于沿着所述离子捕获器的轴向长度的至少i%、 5o/。、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95 %或100 %维持所述随时 间变化的均勻轴向电场。83. 如权利要求81或82所述的质镨仪，其中所述第二装置包括用于 向所述电极的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、 90%、 95%或100。/。供应一个或,个DC电压的一个或多个 DC电压源。84. 如权利要求81、 82或83所述的质剩义，其中所述第二装置被布 置成和适合于在所述第一工作模式下生成在任何时间点沿着所述离子捕 获器的轴向长度的至少一部分具有^上恒定电场强度的轴向电场。85. 如权利要求81-84中任何权利要求所述的质诿仪，其中所述第二 装置被布置成和适合于在所述笫一工作模式下生成在任何时间点沿着所 述离子捕获器的轴向长度的至少1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95%或100%具有基本上恒定电场强度 的轴向电场。86. 如权利要求81-85中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述第二装置被布置成和适合于在所述第 一工作模式下生成具有随时间变化的电 场强度的轴向电场。87. 如权利要求81-86中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述第二 装置^L布置成和适合于在所述第一工作模式下生成具有随时间变化至少 1%、 5%、 10%、 20%、 30%、 40%、 50%、 60%、 70%、 80%、卯％、 95 %或100 %的电场强度的轴向电场。88. 如权利要求81-87中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述第二 装置被布置成和适合于在所述第一工作模式下生成随时间改变方向的轴 向电场。89. 如权利要求81-88中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述第二 装置被布置成和适合于生成具有随时间改变的偏移的轴向电场。卯.90.如权利要求81-89中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述笫二 装置被布置成和适合于以笫一频率&或在第一频率fi变化所述随时间变 化的基本上均匀轴向电场，其中fi选自于(0<5kHz; (ii)5-10kHz; (iii) 10國15kHz; (iv)15國20kHz; (v)20國25kHz; (vi)25國30kHz; (vii)30-35kHz; (viii) 35-40kHz; (ix) 40-45kHz; (x) 45誦50kHz; (xi) 50誦55kHz; (xii) 55-60kHz; (xiii) 60-65kHz; (xiv) 65誦70kHz; (xv) 70-75kHz; (xvi) 75國80kHz; (xvii) 80-85kHz; (xviii) 85-卯kHz; (xix) 90-95kHz; (xx) 95-100kHz;以及(xxi) >100kHz。91. 如权利要求卯所述的质镨仪，其中所述第一频率&大于位于所 述离子捕获器内离子捕获区内的离子的至少5%、 10%、 15%、 20%、 25 %、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%或100%的谐振或基波频率。92. 如权利要求90或91所述的质镨仪，其中所述第一频率&比位于 所述离子捕获器内离子捕获区内的离子的至少5%、 10°/。、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75 %、 80%、 85%、卯％、 95%或100。/。的谐4Ml基波频率大至少5%、 10 %、 15%、 20%、 25%、 30%、 35%、 40%、 45%、 50%、 55%、 60%、 65%、 70%、 75%、 80%、 85%、卯％、 95%、 100%、 110%、 120%、 130%、 140。/。、 150%、 160。/。、 170%、 180 。/q、 190%、 200°/。、 250%、 300 % 、 350 % 、 400 % 、 450 %或500 % 。93. 如权利要求70-92中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述离子捕获器包括被布置成和适合于在一工作模式下以基本上非谐振方式从所 述离子捕获器的捕获区喷出至少一些离子而其它离子被布置成基本上保 #^1捕获于所述离子捕获器的所述捕获区内的喷出装置。94. 如权利要求93所述的质發K，其中所述喷出装，被布置，和适95. 如权利要求94所述的质镨仪，其中所述喷出装置被布置成和适 合于增大所述随时间变化的基本上均匀轴向电场的幅度。96. 如权利要求94或95所述的质镨仪，其中所述喷出装置被布置成 和适合于以基本上连续和/或线性和/或渐进和/或规则方式增大随时间变 化的基本上均匀轴向电场的幅度。97. 如权利要求94或95所述的质镨仪，其中所述喷出装置被布置成 和适合于以基本上非连续和/或非线性和/或非渐进和/或不规则方式增大 所述随时间变化的基本上均匀轴向电场的幅度。98. 如权利要求93-97中任何权利要求所述的质谱仪，其中所述喷出 装置被布置成和适合于更改和/或变化和/或扫描所述随时间变化的基本上 均匀轴向电场的调制或振荡的频率。99. 如权利要求98所述的质诿仪，其中所述喷出装置被布置成和适 合于减小所述随时间变化的基本上均匀轴向电场的调制或振荡的频率。100. 如权利要求98或99所述的质#^，其中所述喷出装置被布置 成和适合于以基本上连续和/或线性和/或渐进和/或规则方式减小所述随 时间变化的基本上均匀轴向电场的调制或振荡的频率。101. 如权利要求98或99所述的质镨仪，其中所述喷出装置被布置 成和适合于以基本上非连续和/或非线性和/或非渐进和/或不规则方式减 小所述随时间变化的基本上均匀轴向电场的调制或振荡的频率。102. 如任何前述权利要求所述的质镨仪，还包括被布置成和适合于 从所述离子捕获器质量或质荷比有选^地喷出离子的喷出装置。103. 如权利要求93-102中任何权利要求所述的质镨仪，其中所述喷 出装置被布置成和适合于在所述第一工作模式下使得基本上所有具有低 于第一截止质荷比的质荷比的离子从所述离子捕获器的离子捕获区喷出。104. 如权利要求93-103中...
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