线性离子阱结构制造技术

本发明专利技术提供一种线性离子阱结构，其至少包括：用于连接强射频电压的正极的第一电极；与所述第一电极围合形成离子运行空间且有开口的第二电极，用于连接强射频电压的负极或地；以及贴近所述第二电极外侧设置且有狭缝的第三电极，用于耦合辅助射频电压，其中，所述狭缝相对于所述开口设置。本发明专利技术的优点包括：有效增强离子的稳定性，能提高离子的激发分辨力等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术质谱分析领域，特别是涉及一种线性离子阱结构。
技术介绍
传统的离子阱质量分析器属于旋转对称的双曲面三维离子阱。早期三维离子阱由德国科学家Wolfgang Paul和美国科学家Hans Georg Dehmelt等于1950年代研制并专利化(1989年诺贝尔化学奖)。此时的射频离子阱为三维离子阱，它由两片端盖电极和一个环电极组，可以由数控车床加工而成。由于它具有z轴的旋转对称性，所以称之为三维离子阱。三维离子阱的z轴剖面具有双曲线结构。1990 年代，美国 Finnigan 公司的 Jae Schwartz 和 Michael Senko 以及 John Syka等人发展了二维线性离子阱，并取得了一系列的专利。这种离子阱与之前的三维离子阱的区别在于对称性不同，线型离子阱具有两个垂直的对称面，在形式上更接近于“四极杆”的对称性。在加工方面，线型离子阱采用了技术难度较高的曲面磨床，成本增加较多。线型离子阱的垂直于z轴剖面具有双曲线结构。线型离子阱的优势在于，理论完善(与双曲面三维离子阱数学上等同)，离子容量容量大、灵敏度高出三维离子阱10倍(理论上是200倍)。同一时期(199本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线性离子阱结构，其特征在于，所述线性离子阱结构至少包括：第一电极，用于连接强射频电压的正极；与所述第一电极围合形成离子运行空间且有开口的第二电极，用于连接强射频电压的负极或地；贴近所述第二电极外侧设置且有狭缝的第三电极，用于耦合辅助射频电压，其中，所述狭缝相对于所述开口设置。

【技术特征摘要】
1.一种线性离子阱结构，其特征在于，所述线性离子阱结构至少包括: 第一电极，用于连接强射频电压的正极； 与所述第一电极围合形成离子运行空间且有开口的第二电极，用于连接强射频电压的负极或地； 贴近所述第二电极外侧设置且有狭缝的第三电极，用于耦合辅助射频电压，其中，所述狭缝相对于所述开口设置。2.根据权利要求1所述的线性离子阱结构，其特征在于:第三电极呈平板状或弯折状。3.根据权利要求1或2所述的线性离子阱结构，其特征在于:第三电极黏...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐国宾，杨芃原，
申请(专利权)人：上海华质生物技术有限公司，
类型：发明
国别省市：