垂直存储器件制造技术

一种垂直存储器件包括：在衬底上的沟道，沟道在垂直于衬底的上表面的垂直方向上延伸；在沟道的外侧壁上的电荷存储结构，电荷存储结构包括在平行于衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的隧道绝缘图案、电荷存储图案和第一阻挡图案；以及在衬底上在该垂直方向上彼此间隔开的栅电极，每个栅电极围绕电荷存储结构。第一阻挡图案包括含有卤素元素的硅氧化物，包括在第一阻挡图案中的卤素元素的浓度从第一阻挡图案的面对栅电极中的相应栅电极的外侧壁朝向第一阻挡图案的面对电荷存储图案的内侧壁降低。壁降低。壁降低。

【技术实现步骤摘要】
垂直存储器件


[0001]本公开涉及存储器件，更具体地，涉及垂直存储器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]在制造VNAND闪存器件的方法中，可以通过模具形成沟道孔以暴露衬底的上表面，该模具包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层。包括硅氮化物的初步阻挡层可以形成在沟道孔的侧壁和底部上，并被氧化以形成阻挡层。如果初步阻挡层通过热氧化工艺被氧化，则包括在初步阻挡层中的氮可能不容易被去除，因此可以进行自由基氧化工艺。然而，在执行自由基氧化工艺时，包括氮化物的牺牲层的一部分也可能被氧化，使得阻挡层的表面可能在水平方向上不平坦，并且阻挡层可能在垂直方向上不均匀地形成。

技术实现思路

[0003]一种制造垂直存储器件的方法包括在衬底上交替和重复地堆叠绝缘层和牺牲层以形成模具。穿过模具形成沟道孔以暴露衬底的上表面。使用第一前驱体和第二前驱体两者执行第一沉积工艺，以在沟道孔的侧壁和底部上形成第一初步阻挡层。第一前驱体包括硅烷，第二前驱体包括硅烷和卤素元素。使用第一前驱体执行第二沉积工艺，以在沟道孔的侧壁和底部上形成第二初步阻挡层。第一初步阻挡层和第二初本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直存储器件，包括：在衬底上的沟道，所述沟道在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上延伸；在所述沟道的外侧壁上的电荷存储结构，所述电荷存储结构包括在平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上顺序堆叠的隧道绝缘图案、电荷存储图案和第一阻挡图案；以及在所述衬底上在所述垂直方向上彼此间隔开的多个栅电极，每个所述栅电极围绕所述电荷存储结构，其中所述第一阻挡图案包括含有卤素元素的硅氧化物，以及其中包括在所述第一阻挡图案中的所述卤素元素的浓度从所述第一阻挡图案的面对所述多个栅电极中的相应栅电极的外侧壁朝向所述第一阻挡图案的面对所述电荷存储图案的内侧壁降低。2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中在所述第一阻挡图案的所述内侧壁处的所述卤素元素的浓度小于或等于在所述第一阻挡图案的所述外侧壁处的所述卤素元素的浓度的1/5。3.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述第一阻挡图案中的所述卤素元素的所述浓度从所述外侧壁朝向所述内侧壁直到所述水平方向上的中心部分逐渐降低，并且从所述中心部分到所述内侧壁是均匀的。4.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述第一阻挡图案包括作为所述卤素元素的氯。5.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述第一阻挡图案不含氮。6.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述第一阻挡图案在所述水平方向上的厚度沿着所述垂直方向是均匀的，使得所述第一阻挡图案的所述外侧壁和所述内侧壁两者都是平坦的。7.根据权利要求1所述的垂直存储器件，进一步包括覆盖每个所述栅电极的下表面和上表面以及面对所述电荷存储结构的侧壁的第二阻挡图案，所述第二阻挡图案包括金属氧化物。8.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述多个栅电极中的最下面的栅电极是接地选择线，所述多个栅电极中的最上面的栅电极和直接在所述最上面的栅电极下方的至少一个栅电极分别用作串选择线，并且所述多个栅电极中的在所述接地选择线和所述串选择线之间的栅电极分别用作字线。9.一种垂直存储器件，包括：在衬底上的沟道，所述沟道在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上延伸；在所述沟道的外侧壁上的电荷存储结构，所述电荷存储结构包括在平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上顺序堆叠的隧道绝缘图案、电荷存储图案和第一阻挡图案，所述第一阻挡图案包括卤素元素；以及在所述衬底上在所述垂直方向上彼此间隔开的多个栅电极，每个所述栅电极围绕所述电荷存储结构，其中所述第一阻挡图案在所述水平方向上的厚度在所述垂直方向上是均匀的，使得所述第一阻挡图案的外侧壁和内侧壁两者都是平坦的，以及其中在所述第一阻挡图案的所述内侧壁处的所述卤素元素的浓度小于在所述第一阻
挡图案的所述外侧壁处的所述卤素元素的浓度。10.根据权利要求9所述的垂直存储器件，其中在所述第一阻挡图案的所述内侧壁处的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜相敏，H杨，崔至薰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：