三维存储器的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种三维存储器的制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有堆叠体，堆叠体的至少一端具有台阶结构；在衬底上形成覆盖台阶结构的层间介质层；在层间介质层上形成流体薄膜，使流体薄膜远离衬底的一侧具有第一表面；将流体薄膜固化，得到具有第二表面的平坦层；沿第二表面对层间介质层进行平坦化处理。在层间介质层上形成流体薄膜后，平坦化工艺的对象由现有技术中层间介质层的倾斜表面变成流体薄膜固化后得到的平坦层的平整表面，从而降低了平坦化工艺的难度，保证了表面处理后衬底表面的平整性。证了表面处理后衬底表面的平整性。证了表面处理后衬底表面的平整性。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种三维存储器的制作方法。

技术介绍

[0002]随着对集成度和存储容量的需求不断提高，3D NAND存储器应运而生。3D NAND存储器大大节省了硅片面积，降低制造成本，增加了存储容量。
[0003]在3D NAND存储器结构中，采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构，然而，其他的电路例如解码器(decoder)、页缓冲(page buffer)和锁存器(latch)等，这些外围电路都是CMOS器件形成的，CMOS器件的工艺无法与3D NAND器件集成在一起。目前工艺中，分别采用不同的工艺形成3D NAND存储器阵列和外围电路，然后通过键合技术将两者键合在一起。在形成3D NAND存储器阵列的工艺中，先形成牺牲层和隔离层交替的堆叠体，然后将牺牲层置换为控制栅结构，得到栅极堆叠结构，栅极堆叠结构包括核心存储区以及台阶区，台阶区中形成有贯穿至衬底的伪沟道阵列，用于在牺牲层置换时对台阶区起到支撑的作用。
[0004]在目前形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上具有堆叠体，所述堆叠体的至少一端具有台阶结构；在所述衬底上形成覆盖所述台阶结构的层间介质层；在所述层间介质层上形成流体薄膜，使所述流体薄膜远离所述衬底的一侧具有第一表面；将所述流体薄膜固化，得到具有第二表面的平坦层；沿所述第二表面对所述层间介质层进行平坦化处理。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述流体薄膜包括有机流体材料和/或无机流体材料。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述流体薄膜包括光阻剂和/或有机流体氧化硅。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在所述层间介质层上形成所述流体薄膜的步骤之前，所述制作方法还包括以下步骤：在所述层间介质层上覆盖刻蚀缓冲层。5.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，沿所述第二表面对所述层间介质层进行平坦化处理的步骤包括：沿所述第二表面顺序刻蚀所述平坦层和所述层间介质层，以去除所述平坦层和部分所述层间介质层；对剩余的所述层间介质层进行平坦化处理。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永刚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：