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本发明提供了一种三维存储器的制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有堆叠体，堆叠体的至少一端具有台阶结构；在衬底上形成覆盖台阶结构的层间介质层；在层间介质层上形成流体薄膜，使流体薄膜远离衬底的一侧具有第一表面；将流体薄膜固化，...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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