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一种垂直存储器件包括：在衬底上的沟道，沟道在垂直于衬底的上表面的垂直方向上延伸；在沟道的外侧壁上的电荷存储结构，电荷存储结构包括在平行于衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的隧道绝缘图案、电荷存储图案和第一阻挡图案；以及在衬底上在该垂直方向上彼...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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