积层陶瓷电容器结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种积层陶瓷电容器结构，系包括介电质本体及复数端电极所组成，其中介电质本体为具有复数陶瓷层，并于各陶瓷层间设置有复数呈交错间隔堆栈的第一内电极及第二内电极，而可将介电质本体上二端斜对角位置处的端电极分别与第一、第二内电极形成电性连接后，再焊固于电路板上的金属接点形成电性导通，以此，便可在不更改、延长原先设计所需尺寸大小的基础上增加介电质本体斜对角位置处的二端电极的电极间距，以有效避免因间距不足导致瞬间电压通过产生电弧效应或是跳火所引发短路、危险事情等问题与缺失发生，藉此可符合安规距离的要求，进而也可相对延长使用寿命的效用者。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种积层陶瓷电容器结构，属于电子、电器及电气信息 技术产品领域。具体说属于电容器结构，特别是陶瓷电容器结构的

技术介绍
现今电子产品及其外围相关的电子设备均需使用到主动组件与被动组件，其中，主动组件(如I c或c PU)可单独执行运算处理功能，而被动组件则是相对于主动组件在进行电流或电压改变时，使其电阻或阻抗不会随的改变的组件， 一般为以电阻(R e s i s t o r )、电容(C a p a c i t or)与电感(Inductor)合称作三大被动组件，然而，就以功能 而言，电容器是以静电模式储存电荷，且可在预定的时间内将电能释放或是 作为滤波、旁波协调使用；而电阻为可调整电路中的电压及电流使用；另外， 电感器是以过滤电流内噪声、防止电磁波干扰为主要功能，便可藉由三者相 互搭配应用于信息、通讯、消费电子或其它工业产品领域而达成电子回路控 制的功能。其次，被动组件的生产已朝向芯片化发展的趋势，随着积体电路高性能 化和高密度化的发展趋势，再加上高速组装功能的表面黏着技术(Surf ace Mount ingTechnology; SMT)开发，促使许 多电子组件逐渐改以芯片型表面黏着(SMT)取代传统插件型(Thro ugh Hole)的焊接方式，因此，芯片化的被动组件需求亦快速提升， 使其要求尺寸也愈來愈小，其中电容器为由二导电物质间以极薄的介质屏蔽 隔离，并将静电储存于其导电物质上而达成储存电荷、旁路、滤波、调谐及 震荡等功能，又电容器的材质可分为铝质电解电容器、陶瓷电容器、塑料薄膜电容器、钽质电容器以及云母电容器等，且可依不同介质大致区分为固定 电容器、可变电容器及芯片电容器三大类。此外，陶瓷电容器又可分为单层及积层陶瓷电容器(Mu 1 t i - L a yer Ceramic Capacitor，MLCC),其中，积层陶 瓷电容器为具有介电系数高、绝缘度好、耐热佳、体积小、适合批量生产且 稳定性及可靠度良好等特性，并因积层陶瓷电容器耐高电压和高热、运作温 度范围广的优点，再加上芯片化的积层陶瓷电容器可透过表面黏着技术(S MT)直接焊接，生产制造的速度与数量亦较电解电容器、钽质电容器来得快许多，而使积层陶瓷电容器成为电容器产业的主流，更为电子产品日益朝 小型化及多功能发展趋势下受到广泛且大量的使用。再者，积层陶瓷电容器成份为可由高介电性质的钛酸钡所组成，而其电 容值含量与产品表面积大小、陶瓷薄膜堆栈层数成正比，且内部为由一层电 极层、 一层介电层以及一层电极层呈交错间隔堆栈形成并联在一起的电容， 也就是每一陶瓷层都被上、下二平行的电极层夹住形成一平板电容后，再藉 由内部电极层与外部端电极相结合，使每一个电容并联起来，如此可提高电 容器的总储存电量，并于电容并联时，电压V-V1 = V2 = V3 = =且 因其带电量Q =电容量C *电压V,故电容量C = d + C2 + C3 +…+ Ci， 因此，积层陶瓷电容器的总电容量为各电容量的和，则并联可达到增加电容 量或储存电荷的效用。请参阅图6所示，系为习用的立体外观图，由图中可清楚看出，其中介 电体A为概呈一长方体，并由复数上、下依序呈交错间隔堆栈的陶瓷层A 1 、 第一内部电极A 2及第二内部电极A 3所构成，而介电质A本体二相对位置 处结合有端部电极B，且由二端部电极B分别与第一内部电极A2、第二内 部电极A3形成电性连接，由于电子产品为了符合高电压输出的需求，通常 会釆用高频变压器予以驱动，再加上电子产品皆朝轻、薄、短、小的设计需 求迈进，所以使得习用的积层陶瓷电容器亦必须随的微小化而缩短二端部电 极B直线间距d2，此时，便会产生有较高的瞬间电压通过，同时容易造成二端部电极B之间有电弧效应或是短路所引发跳火的危险情况，更严重时则 会导致习用的积层陶瓷电容器毁损或烧融因而起火燃烧，不仅无法符合安全 规格标准认证(简称安规)的要求，且使用上也会有危害生命财产安全的疑 虑，故习用尚存在有较大的改善空间。是以，如何解决习用积层陶瓷电容器因二电极间距不足以致使较高的瞬 间电压通过产生有电弧效应或是跳火所引发短路、危险等问题与缺失，并在 不更改、延长原先设计所需的尺寸大小基础上而达到增加电极间距、更能符 合安规距离要求者，即为相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。
技术实现思路
本技术提供了一种可增加电极间距且防止相互感应产生电弧效应、 避免造成短路引发跳火的危险，提高耐雷击测试通过的次数、更能符合安规 距离的积层陶瓷电容器结构。以实现解决习用积层陶瓷电容器因二电极间距 不足以致使较高的瞬间电压通过产生有电弧效应或是跳火所引发短路、危险 等问题与缺失，并在不更改、延长原先设计所需的尺寸大小基础上而达到增 加电极间距、更能符合安规距离要求的目的。为到上述目的本技术积层陶瓷电容器结构所釆用的技术方案是 一种积层陶瓷电容器结构，尤指于介电质本体上呈斜对角位置处形成有 端电极的积层陶瓷电容器结构，包括介电质本体及复数端电极所组成，其中该介电质本体为具有复数陶瓷层，并于各陶瓷层间设置有复数呈交错间 隔堆栈的第一内电极及第二内电极，而第一内电极上设有第一电极接点，以 及第二内电极上设有第二电极接点，且各第一电极接点与第二电极接点呈斜对角的对应形式；该复数端电极为结合于介电质本体上，并对应电性连接于第一电极接点 及第二电极接点位置处，而于介电质本体上呈斜对角的对应形式。 该介电质本体的第一内电极、第二内电极端缘分别朝外延伸有对应位于陶瓷层呈斜对角位置处的第一电极接点及第二电极接点，而可供复数端电极 形成电性连接。该介电质本体为可由沾烧附方式将导电性良好的金属材质镀于第一内电 极及第二内电极呈斜对角位置处的第一电极接点、第二电极接点上以形成有 复数端电极。该介电质本体的第一内电极及第二内电极可分别为矩形、圆形或椭圆形 形状的片体。釆用本技术的技术方案-.由于介电质本体为具有复数陶瓷层，并于各陶瓷层间设置有复数呈交错 间隔堆栈的第一内电极及第二内电极，而可将介电质本体上斜对角位置处的 端电极分别与第一、第二内电极形成电性连接，则可在不更改、延长原先设 计所需尺寸大小的基础上增加二端电极的电极间距，以有效避免因间距不足 以致使瞬间电压通过产生有电弧效应或是跳火所引发短路、危险等问题与缺 失发生，藉此可符合安规距离的要求，进而达到相对延长使用寿命的效用。附图说明图l为本技术较佳实施例的立体外观图。图2为本技术较佳实施例的俯视剖面图。 图3为本技术较佳实施例的另一俯视剖面图。 图4为本技术敎佳实施例的侧视剖面图。 图5为本技术较佳实施例使用时的立体示意图。 图6为习用的立体外观图。主要元件符号说明1 介电质本体1 1 陶瓷层 1 3 第二内电极1 2 第一内电极 1 3 1 第二电极接点1 2 1 第一电极接点2 端电极3 电路板3 1 金属接点4 锡膏A 介电体Al 陶瓷层 A3 第二内部电极A 2 第一内部电极B 端部电极具体实施方式为达成上述目的及功效，本技术所釆用的技术手段及其构造，兹绘 图就本技术的较佳实施例详加说明其特征与功能如下。请参阅图l、图2、图3、图4所示，系分别为本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积层陶瓷电容器结构，尤指于介电质本体上呈斜对角位置处形成有端电极的积层陶瓷电容器结构，包括介电质本体及复数端电极所组成，其特征在于：　该介电质本体为具有复数陶瓷层，并于各陶瓷层间设置有复数呈交错间隔堆栈的第一内电极及第二内电极，而 第一内电极上设有第一电极接点，以及第二内电极上设有第二电极接点，且各第一电极接点与第二电极接点呈斜对角的对应形式；　该复数端电极为结合于介电质本体上，并对应电性连接于第一电极接点及第二电极接点位置处，而于介电质本体上呈斜对角的对应形式 。

【技术特征摘要】
1、一种积层陶瓷电容器结构，尤指于介电质本体上呈斜对角位置处形成有端电极的积层陶瓷电容器结构，包括介电质本体及复数端电极所组成，其特征在于该介电质本体为具有复数陶瓷层，并于各陶瓷层间设置有复数呈交错间隔堆栈的第一内电极及第二内电极，而第一内电极上设有第一电极接点，以及第二内电极上设有第二电极接点，且各第一电极接点与第二电极接点呈斜对角的对应形式；该复数端电极为结合于介电质本体上，并对应电性连接于第一电极接点及第二电极接点位置处，而于介电质本体上呈斜对角的对应形式。2、 如权利要求l所述的积层...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐锦荣，叶辉邦，陈瑞祥，黄宜晨，凌溢骏，陈志荣，
申请(专利权)人：禾伸堂企业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]