高功率电阻及其制造方法技术

本发明专利技术的高功率电阻制造方法是在基板上设置一阻抗层后，先在阻抗层上设置一种子层，才在种子层上设置二端电极，移除电阻图案以外的种子层及阻抗层，最后移除电阻图案以内的多余种子层，完成阻抗层的电阻图案；本发明专利技术避免了传统以印刷及烧结制造阻抗层及电极层因导通面积小且接面不规则容易因收缩应力产生裂缝的问题；此一制法完成的电阻的端电极叠合设置于阻抗层上，且以种子层作为中介设置于阻抗层上，与阻抗层有大接触面积，端电极与阻抗层间结合力及导通性良好且散热能力佳，在高功率操作下导通质量稳定不易产生高温损害。操作下导通质量稳定不易产生高温损害。操作下导通质量稳定不易产生高温损害。

【技术实现步骤摘要】
高功率电阻及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种电阻及其制造方法，尤指一种高功率电阻及其制造方法。

技术介绍

[0002]请参阅图12所示现有技术的芯片电阻，其中，一芯片电阻主要包含有设置于一基板80上的印刷阻抗层81，及用于导通印刷阻抗层81以与外部电路形成电连接的二个印刷电极层82。现有的芯片电阻制造方法中，该二印刷电极层82及印刷阻抗层81主要是先后分别使用印刷制程在基板80上进行印刷而形成，再进行烧结成型的制程以固定印刷制程所完成的印刷阻抗层81及印刷电极层82层。一般来说，该二印刷电极层82设置于印刷阻抗层81的相对两侧，且分别与印刷阻抗层81的相对二侧的侧面相接触并形成电性连接，以承载由印刷阻抗层81的其中一侧流向另一端的电流。该二印刷电极层82与之间的该印刷阻抗层81形成串联形式的电性连接关系。
[0003]在完成印刷电极层82后，但在对印刷电极层82进行烧结定型之前，因其材料特性的缘故，印刷电极层82的边缘易形成倾斜塌陷，使得后续形成印刷阻抗层81时，印刷阻抗层81自然披覆于印刷电极层82的倾斜的边缘上，在烧结定型后形成一倾斜的接触面810。然而，印刷制程产生的印刷阻抗层81及印刷电极层82厚度皆约为50nm
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15μm，因此印刷阻抗层81与印刷电极层82的接触面仅有约50nm
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15μm的宽度。当较大电流流经印刷阻抗层81与印刷电极层82两个不同材料的接触位置时，热能容易累积于该接触面810上，且因该接触面宽度及面积微小，经多次发热及热涨冷缩的应力影响，容易导致该印刷阻抗层81与印刷电极层82之间发生裂隙，降低该芯片电阻的可靠性。
[0004]请参阅图13所示，另有现有技术的芯片电阻(以下简称为前案)公开一种具有低电阻的芯片电阻器及其制造方法，其公开的芯片电阻器包含有基板90、电阻层91、导电层92、保护层93、第一覆盖层94与第二覆盖层95。其中，该导电层92设置于该电阻层91上。然而，前案仅提及该等导电层92以电镀方式设置于该电阻层91上，且导电层92的材料为铜金属。由于前案的电阻层91并非与铜金属相同的良导体，由前案的教示中无法得知铜金属如何直接电镀于电阻层上91，即使进行电镀，该导电层92亦无法紧密稳固的形成于阻抗层上，且因其附着不稳定，增长厚度亦有限制，不易达到导电层92用于导通电阻层91与外部电路的极低阻抗的良导体的目的。再者，其侧面电极也缺乏良好结合性，不容易阻隔银金属游离进入电阻内部的疑虑。

技术实现思路

[0005]有鉴于现有的芯片电阻的印刷阻抗层与印刷电极之间的连接结构不稳定，本专利技术提供一种高功率电阻制造方法，包含以下步骤：
[0006]准备一基板，在该基板的一第一表面上设置一阻抗层；
[0007]在该阻抗层上设置一种子层；
[0008]在该种子层上设置二端电极；
[0009]移除部分的种子层及部分的阻抗层，使该种子层及该阻抗层形成一电阻图案；
[0010]将该电阻图案中未被该二端电极覆盖的另一部分的种子层移除，外露该电阻图案的阻抗层。
[0011]本专利技术还提供一种高功率电阻，通过上述高功率电阻制造方法完成，包含有：
[0012]一基板，具有一第一表面；
[0013]一阻抗层，设置于该基板的第一表面上；
[0014]二端电极，设置于该阻抗层上；
[0015]一种子层，设置于该阻抗层及该二端电极之间。
[0016]本专利技术的高功率电阻制造方法中，在该基板上完成阻抗层后，先在该阻抗层上设置一种子层，才进一步在该种子层上设置端电极。由于先设置该种子层，该端电极能够通过挂镀等金属披覆制程设置于该种子层上。如此一来，该端电极位于该阻抗层上并与该阻抗层叠合设置，而非仅与该阻抗层的边缘侧面相接。本专利技术的高功率电阻中，该端电极与该阻抗层的接触面积为该端电极垂直该基板的投影面积，接触面积远大于现有技术中印刷端电极层与印刷阻抗层的接触面积仅限于边缘侧面，因此本专利技术的高功率电阻中电流在阻抗层与端电极之间流通的接面阻抗被大幅降低。此外，由于本专利技术的制程中不包含以印刷制程设置阻抗层及电极层，也因此避免了印刷制程后必须执行的烧结制程，同时由于阻抗层与端电极的接面大幅增加，进而避免了在印刷、烧结制程中阻抗层与导电层的接面发生崩溃的情形，整体制程稳定、精度高且产品的良率提高。
[0017]本专利技术的高功率电阻由前述高功率电阻制造方法制成，用于连接外部电源的端电极通过该阻抗层上的种子层叠合设置于该阻抗层上，因此该二端电极与该阻抗层的接触面积为该二端电极至该基板的垂直投影面积，该面积远大于印刷阻抗层与印刷端电极层的侧面接触面积。当该电阻承受高功率，阻抗层与该二端电极之间的大电流通过产生的热能能够平均分散于较大的接触面积中，避免温度过高产生热损害，使得该高功率电阻整体能够承受更大的功率。进一步而言，由于有该种子层的媒合，该二端电极与该阻抗层的附着结构及电性连接稳定，降低阻抗层与端电极之间的阻抗，而使得该高功率电阻产品质量稳定，不易因阻抗层与端电极的制程浮动导致质量不稳定。
[0018]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0019]图1至图5B为本专利技术高功率电阻制造方法的制造流程剖面示意图。
[0020]图6为本专利技术的高功率电阻的一俯视示意图。
[0021]图7至图9为本专利技术高功率电阻制造方法的进一步制造流程剖面示意图。
[0022]图10为本专利技术的高功率电阻的一较佳实施例的剖面示意图。
[0023]图11为本专利技术高功率电阻简化电路示意图。
[0024]图12为一现有芯片电阻的剖面示意图。
[0025]图13为现有芯片电阻的一实施例示意图。
具体实施方式
[0026]下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：
[0027]请参阅图1至图8所示，本专利技术提供一种高功率电阻制造方法，及由该制造方法制造的高功率电阻。该高功率电阻制造方法包含以下步骤：
[0028]准备一基板10，在该基板10的一第一表面11上设置一阻抗层20；
[0029]在该阻抗层20上设置具导电性的一种子层21；
[0030]在该种子层21上设置二端电极31；
[0031]移除部分的种子层21及部分的阻抗层20，使该种子层21及阻抗层20形成一电阻图案；
[0032]将该电阻图案中未被该二端电极31覆盖的另一部分的种子层21移除，外露该电阻图案的阻抗层20。
[0033]请参阅图1所示，在本专利技术的一实施例中，该阻抗层20以溅镀制程设置于该第一表面11上。更详细的说，在该基板10的第一表面11上设置一阻抗层20的步骤中，利用溅镀制程将阻抗层20材料完全覆盖于该基板10的该第一表面11上。较佳的，亦同时在该基板10相对该第一表面11的一第二表面12上亦设置另一阻抗层20，以同时进行该高功率电阻的另一侧的连接电极的设置制程，惟本专利技术不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率电阻制造方法，其特征在于，包含以下步骤：准备一基板，在该基板的一第一表面上设置一阻抗层；在该阻抗层上设置具导电性的一种子层；在该种子层上设置二端电极；移除部分的种子层及部分的阻抗层，使该种子层及该阻抗层形成一电阻图案；将该电阻图案中未被该二端电极覆盖的另一部分的种子层移除，外露该电阻图案的阻抗层。2.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，在该基板的第一表面上设置阻抗层的步骤中，以一溅镀制程将该阻抗层完全覆盖于该基板的第一表面上。3.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，在该阻抗层上设置该种子层的步骤中，以一溅镀制程将该种子层完全覆盖于该阻抗层上。4.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，在该种子层上设置二端电极的步骤中，包含以下子步骤：在该种子层上覆盖局部一图案化光阻层，该图案化光阻层外露部分的种子层；进行一电镀制程，在该种子层局部外露于该图案化光组层的部分上形成该二端电极，然后移除该图案化光阻层。5.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，移除部分的种子层及部分的阻抗层，使该种子层及阻抗层形成一电阻图案的步骤中，包含以下子步骤：在该种子层及该二端电极上覆盖一第一图案化光阻层，该第一图案化光阻层为该电阻图案；移除未被该第一图案化光阻层覆盖的部分的该种子层及部分的该阻抗层，然后移除该第一图案化光阻层。6.如权利要求5所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，将该电阻图案中未被该二端电极覆盖的另一部分的种子层移除，外露该电阻图案的阻抗层的步骤中，包含以下子步骤：在该基板上设置一第二图案化光阻层，该第二图案化光阻层覆盖该基板上的电阻图案以外的部分表面及该二端电极；移除未被该第二图案化光阻层覆盖的部分的该种子层，外露该电阻图案区中未被该二端电极覆盖的部分阻抗层，然后移除该第二图案化光阻层。7.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，在完成外露该电阻图案的阻抗层的步骤后，进一步包含以下步骤：在该阻抗层上设置一第一保护层，该第一保护层包覆该二端电极之间的阻抗层的表面，且该第一保护层接触端电极的一边缘的高度低于该二端电极的顶面的高度；在该第一保护层上设置一第二保护层。8.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，在完成外露该电阻图案的阻抗层的步骤后，进一步包含以下步骤；在该基板的相对二侧面分别形成一侧面种子层，该二侧面种子层由该第一表面延伸至该基板相对该第一表面的一第二表面，且在该第一表面上的二端电极及该第二表面上的二底电极之间形成电性连接；
在该二侧面种子层上设置二第一导电层；在二第一导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑞祥，黄桂芳，江義弘，颜堃展，
申请(专利权)人：禾伸堂企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：