一种窑炉和玻璃生产方法技术

本发明专利技术实施例提供一种窑炉和玻璃生产方法，该窑炉包括：进料口，用于接收玻璃液样品；窑炉池，与进料口连通，窑炉池包括依次连接的生料区、加热区以及澄清区，窑炉池设置有烧枪和电极，烧枪和电极用于加热玻璃液样品，使得玻璃液样品转化为玻璃液；出料口，与窑炉池连通，用于排出所述玻璃液；根据生料区、加热区以及澄清区的温度变化趋势，调节烧枪和电极。该窑炉实现了炉内热点后移，促使炉内水平、垂直环流向后的方法，提高窑炉熔融温度达到超高温的生产需求，同时增强炉内后区澄清能力，解决气泡不良的问题。气泡不良的问题。气泡不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种窑炉和玻璃生产方法


[0001]本专利技术涉及玻璃生产
，具体地涉及一种窑炉和玻璃生产方法。

技术介绍

[0002]随着科学技术的进步，TFT
‑
LCD基板玻璃在市场上的占有率不断减少，取而代之的是生产技术水平更高、性能更好的超高温型玻璃。现有的玻璃窑炉在生产制造中存在以下几个问题：熔化温度达不到超高温的要求，无法满足新型超高温玻璃的生产。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种窑炉和玻璃生产方法，该窑炉具有更高的加热温度。所述窑炉包括：进料口，用于接收玻璃液样品；窑炉池，与所述进料口连通，所述窑炉池包括依次连接的生料区、加热区以及澄清区，所述窑炉池设置有烧枪和电极，所述烧枪和电极用于加热所述玻璃液样品，使得所述玻璃液样品转化为玻璃液；出料口，与所述窑炉池连通，用于排出所述玻璃液；根据所述生料区、所述加热区以及所述澄清区的温度变化趋势，调节所述烧枪和电极。
[0004]可选的，所述烧枪和电极分别位于窑炉池内壁的两侧。
[0005]可选的，所述生料区设置两个电极、两个烧枪；所述加热区设置两个电极、一个烧枪；所述澄清区设置一个电级和一个烧枪；调节所述生料区、加热区和澄清区中一者或多者的电极和烧枪，以控制所述生料区的温度在第一温度范围内、所述加热区的温度在第二温度范围内、所述澄清区的温度在第三温度范围内。
[0006]可选的，所述第一温度范围为：T1*99％
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T1*101.5％，T1为生料区温度预设值；所述第二温度范围为：T2*99.5％
‑
T2*100.5％，T2为加热区温度预设值；所述第三温度范围为：T3*99.5％
‑
T3*101％，T3为澄清区温度预设值。
[0007]可选的，所述加热区温度预设值大于所述澄清区温度预设值，所述澄清区温度预设值大于所述生料区温度预设值。
[0008]可选的，控制所述生料区的温度变化的速率在第一速率范围内；控制所述加热区的温度变化的速率在第二速率范围内；控制所述澄清区的温度变化的速率在第三速率范围内。
[0009]可选的，所述第一速率范围为：0.1*T1℃/h
‑
0.5*T1℃/h，T1为生料区温度预设值；所述第二速率范围为：0.1*T2℃/h
‑
0.2*T2℃/h，T2为加热区温度预设值；所述第三速率范围为：0.1*T3℃/h
‑
0.2*T3℃/h，T3为澄清区温度预设值。
[0010]可选的，所述澄清区的面积分别大于所述生料区的面积和所述加热区的面积。
[0011]可选的，所述窑炉为双胸墙托铁。
[0012]相应的，本专利技术实施例还提供一种高温玻璃生产方法，该方法利用上述所述的任一项所述的窑炉，包括：玻璃液样品从进料口进入窑炉池，依次通过生料区、加热区以及澄清区后从出料口流出；根据生料区、加热区以及澄清区的温度变化趋势，调节烧枪和电极，
使得窑炉池内温度恒定。
[0013]可选的，根据生料区、加热区以及澄清区的温度变化趋势，调节烧枪和电极。
[0014]可选的，所述生料区设置两个电极、两个烧枪；所述加热区设置两个电极、一个烧枪；所述澄清区设置一个电级和一个烧枪；调节所述生料区、加热区和澄清区中一者或多者的电极和烧枪，以控制所述生料区的温度在第一温度范围内、所述加热区的温度在第二温度范围内、所述澄清区的温度在第三温度范围内。
[0015]通过上述技术方案，本专利技术实现炉内热点后移，促使炉内水平、垂直环流向后的方法，提高窑炉熔融温度达到超高温的生产需求，同时增强炉内后区澄清能力，解决气泡不良的问题。
[0016]本专利技术实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0017]附图是用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术实施例，但并不构成对本专利技术实施例的限制。在附图中：
[0018]图1是本专利技术的一种窑炉与传统窑炉区域温度分布示意图；
[0019]图2是本专利技术的一种窑炉的正视图；
[0020]图3和图4是本专利技术的一种窑炉的侧视图。
[0021]附图标记说明
[0022]1第一胸墙托铁
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2胸墙
[0023]3池壁
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4第二胸墙托铁
[0024]5进料口
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6出料口
[0025]21生料区第一烧枪
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22生料区第二烧枪
[0026]23加热区烧枪
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24澄清区烧枪
[0027]31生料区第一电极
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32生料区第二电极
[0028]33加热区第一电极
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34加热区第二电极
[0029]35澄清区电极
具体实施方式
[0030]以下结合附图对本专利技术实施例的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术实施例，并不用于限制本专利技术实施例。
[0031]图2是本专利技术的一种窑炉的正视图，图3和图4是本专利技术的一种窑炉的侧视图。所述窑炉用于高温玻璃生产，其特征在于，包括：进料口5、出料口6和窑炉池，所述窑炉池，与所述进料口连通，用于接收玻璃液样品所述窑炉池包括依次连接的生料区、加热区以及澄清区，所述窑炉池设置有烧枪和电极，所述烧枪和电极用于加热所述玻璃液样品，使得所述玻璃液样品转化为玻璃液；所述烧枪和电极分别位于窑炉池内壁的两侧。所述出料口6与所述窑炉池连通，用于排出所述玻璃液如图2、3、4所示，窑炉池壁3随玻璃液流向上安装5对电极，所示电极优选电极砖，分别为生料区第一电极31、生料区第二电极32、加热区第一电极33、加热区第二电极34和澄清区电极35，其中澄清区电极35与加热区第二电极34的间距大
于其他电极间距(例如生料区第一电极31和生料区第二电极32的间距、生料区第二电极32和加热区第一电极33的间距、加热区第一电极33和加热区第二电极34的间距)。同时胸墙2上配对4组纯氧烧枪，分别为生料区第一烧枪21、生料区第二烧枪22、加热区烧枪23和澄清区烧枪24，其中生料区第一烧枪21、生料区第二烧枪22匹配生料区第一电极31、生料区第二电极32上方位置，加热区烧枪23设计在加热区第一电极33、加热区第二电极34上方位置，澄清区烧枪24匹配加热区第二电极34上方位置。所述窑炉为双胸墙托铁，包括一胸墙托铁1、第二胸墙托铁4，避免单胸墙托铁纵向受力加大，导致窑炉在长时间、高温环境下使用会出现严重的形变，甚至会导致胸墙塌落等问题。以上述设计构建一种以电能为主要能量来源，辅以纯氧燃烧的一种新型混本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种窑炉，用于玻璃生产，其特征在于，包括：进料口，用于接收玻璃液样品；窑炉池，与所述进料口连通，所述窑炉池包括依次连接的生料区、加热区以及澄清区，所述窑炉池设置有烧枪和电极，所述烧枪和电极用于加热所述玻璃液样品，使得所述玻璃液样品转化为玻璃液；出料口，与所述窑炉池连通，用于排出所述玻璃液；根据所述生料区、所述加热区以及所述澄清区的温度变化趋势，调节所述烧枪和电极。2.根据权利要求1所述的窑炉，其特征在于，所述烧枪和电极分别位于窑炉池内壁的两侧。3.根据权利要求1所述的窑炉，其特征在于，所述生料区设置两个电极、两个烧枪；所述加热区设置两个电极、一个烧枪；所述澄清区设置一个电级和一个烧枪；调节所述生料区、加热区和澄清区中一者或多者的电极和烧枪，以控制所述生料区的温度在第一温度范围内、所述加热区的温度在第二温度范围内、所述澄清区的温度在第三温度范围内。4.根据权利要求3所述的窑炉，其特征在于，所述第一温度范围为：T1*99％
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T1*101.5％，T1为生料区温度预设值；所述第二温度范围为：T2*99.5％
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T2*100.5％，T2为加热区温度预设值；所述第三温度范围为：T3*99.5％
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T3*101％，T3为澄清区温度预设值。5.根据权利要求4所述的窑炉，其特征在于，所述加热区温度预设值大于所述澄清区温度预设值，所述澄清区温度预设值大于所述生料区温度预设值。6.根据权利要求1所述的窑炉，其特征在于，控制所述生料区的温度变化的速率在第一速率范围内；控制所...

【专利技术属性】
技术研发人员：童其亮，董耀阔，李兆廷，石志强，李震，何怀胜，许伟，
申请(专利权)人：东旭光电科技股份有限公司东旭集团有限公司，
类型：发明
国别省市：