【技术实现步骤摘要】
本技术涉及陶瓷电容器
，特别是适用于额定电压在直流250V以上的中高电压的多层片式结构的陶瓷电容器。
技术介绍
在制作高压电容器
，两个重要的技术指标必须考虑，一是电容器的尺寸，二是电容器的抗电击穿强度。虽然现在已经可以生产很小尺寸的电容器，但在不增加外形尺寸的条件下，想提高它们的抗高压击穿强度却十分困难。现有技术中常用的中高压多层片式结构的陶瓷电容器的结构是采用陶瓷材料制成的，带两种类型内电极形式的数多片介质层和两端外电极组成。其中一类介质层的内电极为两个小矩形、间隔布列并使各内电极一的外边缘分别与两端外电极连接，二类介质层的内电极二呈一个大矩形与内电极一的两个小矩形的印刷位置对应。将上述二类的数多片介质层依次叠加而形成整体的陶瓷电容器，如图1所示。这种多层片式结构的陶瓷电容器的边缘电场分布示意图，如图2所示。由于各层内电极之间的边缘电场的畸变，所以此类陶瓷电容在应用中的缺点是，抗电击穿强度不够理想，已不能满足电子
的高速发展。
技术实现思路
为了解决上述现有技术中存在的问题，本技术的目的是提供一种用于中高电压的多层片式结构的陶瓷电容器，它可以很大程度的降低边缘电场畸变引发的击穿几率，大幅度的提高抗高压击穿强度。为了达到上述的专利技术目的，本技术的技术方案以如下方式实现用于中高压多层片式结构的陶瓷电容器，其结构特点是，它包括用陶瓷材料制成的、带三种类型内电极形式的数多片介质层和两端外电极。其中一类介质层的内电极一的形状为二至N个矩形、间隔布列并使排列在两侧边的内电极一的外边缘分别与两端外电极连接，二类介质层的内电极二的形状为二至二乘以N减...
【技术保护点】
用于中高电压的多层片式结构的陶瓷电容器，其特征在于，它包括用陶瓷材料制成的、带三种类型内电极形式的数多片介质层和两端外电极，其中一类介质层（１）的内电极一（２）的形状为二至Ｎ个矩形、间隔布列并使排列在两侧边的内电极一（２）的外边缘分别与两端外电极连接，二类介质层（３）的内电极二（４）的形状为二至二乘以Ｎ减二个环式四边形，三类介质层（５）的内电极三（６）的形状为一至Ｎ减一个矩形、间隔布列，其中Ｎ为大于二的自然数，上述三类数多片介质层依次叠加。
【技术特征摘要】
1.用于中高电压的多层片式结构的陶瓷电容器，其特征在于，它包括用陶瓷材料制成的、带三种类型内电极形式的数多片介质层和两端外电极，其中一类介质层(1)的内电极一(2)的形状为二至N个矩形、间隔布列并使排列在两侧边的内电极一(2)的外边缘分别与两端外电极连接，二类介质层(3)的内电极二(4...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉岸，王晓慧，陈仁政，张力，
申请(专利权)人：清华同方股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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