多层电容器及其安装结构制造技术

一种多层电容器，其中ＥＳＬ减小ＥＳＲ增加。在电容器主体（８）中，在第一电容器部（１１）和第二电容器部（１２）沿重叠的方向排列的同时，第一电容器部（１１）位于层叠方向上的至少一端，并且第一电容器部（１１）位于更接近于安装面（２５）的一侧上。组成第一电容器部（１１）的第一和第二内部电极（１３，１４）的第一和第二引出部（１７，１８）的对数可小于组成第二电容器部（１２）的第三和第四内部电极（１５，１６）的第三和第四引出部的对数。因此，在允许第一电容器部（１１）促进ＥＳＬ减小的同时，允许第二电容器部（１２）促进ＥＳＲ的增加。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及单片电容器以及单片电容器的安装结构。更具体地，本专利技术涉及适合用于高频电路的单片电容器以及单片电容器的安装结构。
技术介绍
作为用于在例如约几GHz的高频范围内的微处理单元(MPU)等的电源电路的去耦合电容器，已知的有具有在日本未审查专利申请公开第11-144996号(专利文献1)中描述的结构的单片电容器。在该单片电容器中，多个端子设置成使相邻端子极性的相反。因此，从正端子到负端子的电流路径变短，并且电流以各种方式流动。此外，使电流以彼此相反的方向流动，以抵消磁通量，由此减小等效串联电感(ESL)。 然而，在上述专利文献1中描述的单片电容器中，等效串联电阻(ESR)也随着ESL的减小而减小。因此，产生了阻抗特性陡变的问题。 作为另一个例子，根据日本未审查专利申请公开第2001-284170号(专利文献2)中提出的技术，对于设置在主电容器单元中用于形成电容器的每一个内部电极，仅设置了一个向外延伸到主电容器单元的外表面并电连接到外部端子电极的引出部，因此增加了单片电容器的ESR。 然而，根据专利文献2所述的结构，虽然可增加ESR，但ESL也增加。这导致高频特性的劣化问题。 专利文献1日本未审查专利申请公开第11-144996号专利文献2日本未审查专利申请公开第2001-284170号
技术实现思路
本专利技术要解决的问题因此，本专利技术的一个目的是提供一种单片电容器，在这种电容器中在可减小ESL的同时可增加ESR。 本专利技术的另一个目的是提供一种单片电容器的安装结构，以便使单片电容器的低ESL特性得以充分地展现，其中ESL以如上所述的方式减小。 解决问题的手段根据本专利技术的单片电容器包括具有由多层介电层的叠层组成的单片结构的主电容器单元。根据本专利技术，为了解决上述的技术问题，单片电容器被构造成如下所述。 包含于单片电容器中的主电容器单元包括第一和第二电容器部。 第一电容器部包括经由诸介电层中的预定的一层彼此相对以形成电容的至少一对第一和第二内部电极。第一内部电极具有形成于其上、向外延伸到主电容器单元的外表面的多个第一引出部，而第二内部电极具有形成于其上、向外延伸到主电容器单元的外表面的多个第二引出部。 第二电容器部包括经由介电层中预定的一层彼此相对以形成电容的至少一对第三和第四内部电极，第三内部电极具有形成于其上、向外延伸到主电容器单元的外表面的至少一个第三引出部，而第四内部电极具有形成于其上、向外延伸到主电容器单元的外表面的至少一个第四引出部。 在主电容器单元的外表面上，形成有各自电连接到第一、第二、第三和第四引出部的第一、第二、第三和第四外部端子电极。 在上述条件下，根据本专利技术的第一实施例，一对第三和第四内部电极的第三和第四引出部的对数小于一对第一和第二内部电极的第一和第二引出部的对数。 在根据本专利技术的第一实施例的单片电容器中，通常，用于第三内部电极的第三引出部的数量和用于第四内部电极的第四引出部的的数量中的至少一个小于用于第一内部电极的第一引出部的数量和用于第二内部电极的第二引出部的数量。 在这种情况下，第三内部电极和第四内部电极中的任意一个可具有与第一内部电极和第二内部电极中的任意一个相同的图案。 在根据本专利技术的第一实施例的单片电容器中，较佳地是，第三内部电极的第三引出部的数量和第四内部电极的第四引出部的数量小于第一内部电极的第一引出部的数量和第二内部电极的第二引出部的数量。 根据本专利技术的第二实施例，第一电容器部的谐振频率高于第二电容器部的谐振频率，并且由包含于第二电容器部中的一对第三和第四内部电极以及介电层中插入的一层给出的每一层的等效串联电阻高于由包含于第一电容器部中的一对第一和第二内部电极以及介电层中插入的一层给出的每一层的等效串联电阻。 在根据本专利技术的第二实施例的单片电容器中，第三内部电极和第四内部电极中的任意一个可具有与第一内部电极和第二内部电极中的任意一个相同的图案。 第一和第二外部端子电极中的至少一个可以是第三和第四外部端子电极中的至少一个。 较佳地是，第一外部端子电极和第二外部端子电极交替地排列。 较佳地是，在主电容器单元中，第一电容器部和第二电容器部沿叠层的方向排列，且第一电容器部位于叠层方向上的至少一端上。在这种情况下，更佳地是，在主电容器单元中，第二电容器部在叠层方向上夹在两个第一电容器部之间。 本专利技术还涉及单片电容器的安装结构，其中根据关于上述沿叠层方向排列的第一和第二电容器部的较佳实施例的单片电容器被安装到预定的安装面上。在根据本专利技术的单片电容器的安装结构中，安装单片电容器，使主电容器单元排列成使得第一电容器部更接近安装面。 优点在根据本专利技术的第一实施例的单片电容器中，主电容器单元分为第一和第二电容器部，并且第一电容器部中的一对第三和第四外电极的第三和第四引出部的对数被选为小于第二电容器部中的一对第一和第二内部电极的第一和第二引出部的对数。因此，在第一电容器部中ESL可进一步减小，使得有可能使第一电容器部的谐振频率高于第二电容器部的谐振频率。因此，第一电容器部影响主电容器单元的组合特性中的较高频率范围的频率特性。因此，反映了第一电容器部的ESL特性，使得主电容器单元的ESL可减小。 此外，因为主电容器单元分为第一和第二电容器部，并且第一电容器部的谐振频率不同于第二电容器部的谐振频率，所以主电容器单元的ESR根据第一电容器部的ESR和第二电容器部的ESR的组合特性来确定。如上所述，因为第一电容器部中的一对第三和第四内部电极的第三和第四引出部的对数被选为小于第二电容器部中的一对第一和第二内部电极的第一和第二引出部的对数，所以在第二电容器部中ESR可进一步增加。因此第二电容器部用于增加主电容器单元的ESR。 因此，可获得同时满足低ESL和高ESR的单片电容器。 在根据本专利技术的第一实施例的单片电容器中，为了如上所述地使第三和第四引出部的对数小于第一和第二引出部的对数，通过使第三内部电极的第三引出部的数量和第四内部电极的第四引出部的数量小于第一内部电极的第一引出部的数量和第二内部电极的第二引出部的数量，即可必定无疑地实现因第一电容器部引起的ESL减小和因第二电容器部引起的ESR增加。 在根据本专利技术的第二实施例的单片电容器中，主电容器单元分为第一和第二电容器部，且第一电容器部的谐振频率高于第二电容器部的谐振频率。因此，第一电容器部影响主电容器单元的组合特性中较高频率范围的频率特性。因此，反映第一电容器部的ESL特性，使得主电容器单元的ESL可减小。 此外，因为主电容器单元分为第一和第二电容器部且第一电容器部的谐振频率不同于第二电容器部的谐振频率，所以主电容器单元的ESR根据第一电容器部的ESR和第二电容器部的ESR的组合特性来确定。这用于增加ESR。 因此，可获得既满足低ESL又满足高ESR的单片电容器。 在根据本专利技术的单片电容器中，当第一和第二外部端子电极交替地排列时，从正端子向负端子的电流路径变得短了，而且可更有效地抵消磁通量。因此，可进一步减小第一电容器部中的ESL。 在主电容器单元中，当第一电容器部和第二电容器部沿叠层方向排列、且第一电容器部位于叠层方向上的至少一端、且单片电容器安装的方式是排列主电容器单元使得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单片电容器，包括具有由多层介电层的叠层组成的单片结构的主电容器单元，其中所述主电容器单元包括第一电容器部和第二电容器部，其中所述第一电容器部包括经由所述介电层中预定的一层彼此相对以形成电容的至少一对第一和第二内部电极，其中所述第一内部电极在其上形成向外延伸到所述主电容器单元的外表面的多个第一引出部，而所述第二内部电极在其上形成向外延伸到所述主电容器单元的外表面的多个第二引出部，其中所述第二电容器部包括经由所述介电层中预定的一层彼此相对以形成电容的至少一对第三和第四内部电极，其中所述第三内部电极在其上形成向外延伸到所述主电容器单元的外表面的至少一个第三引出部，而所述第四内部电极在其上形成向外延伸到所述主电容器单元的外表面的至少一个第四引出部，其中各自电连接到所述第一、第二、第三和第四引出部的第一、第二、第三和第四外部端子电极形成于所述主电容器单元的外表面上，且其中用于一对第三和第四内部电极的第三和第四引出部的对数小于用于一对第一和第二内部电极的第一和第二引出部的对数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-12-24 373167/2004;JP 2004-12-24 373166/2001.一种单片电容器，包括具有由多层介电层的叠层组成的单片结构的主电容器单元，其中所述主电容器单元包括第一电容器部和第二电容器部，其中所述第一电容器部包括经由所述介电层中预定的一层彼此相对以形成电容的至少一对第一和第二内部电极，其中所述第一内部电极在其上形成向外延伸到所述主电容器单元的外表面的多个第一引出部，而所述第二内部电极在其上形成向外延伸到所述主电容器单元的外表面的多个第二引出部，其中所述第二电容器部包括经由所述介电层中预定的一层彼此相对以形成电容的至少一对第三和第四内部电极，其中所述第三内部电极在其上形成向外延伸到所述主电容器单元的外表面的至少一个第三引出部，而所述第四内部电极在其上形成向外延伸到所述主电容器单元的外表面的至少一个第四引出部，其中各自电连接到所述第一、第二、第三和第四引出部的第一、第二、第三和第四外部端子电极形成于所述主电容器单元的外表面上，且其中用于一对第三和第四内部电极的第三和第四引出部的对数小于用于一对第一和第二内部电极的第一和第二引出部的对数。2.如权利要求1所述的单片电容器，其特征在于，用于所述第三内部电极中的每一个的所述第三引出部的数量和用于所述第四内部电极中的每一个的所述第四引出部的数量中的至少一个小于用于所述第一内部电极中的每一个所述第一引出部的数量和用于所述第二内部电极中的每一个的所述第二引出部的数量。3.如权利要求2所述的单片电容器，其特征在于，所述第三内部电极或者所述第四内部电极具有与所述第一内部电极或者所述第二内部电极相同的图案。4.如权利要求1所述的单片电容器，其特征在于，用于所述第三内部电极中的每一个的所述第三引出部的数量和用于所述第四内部电极中的每一个的所述第四引出部的数量小于用于所述第一内部电极中的每一个的所述第一引出部的数量和用于所述第二内部电极中的每一个的所述第二引出部的数量。5.一种单片电容器，包括具有由多层介电层的叠层组成的单片结构的主电容器单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：高岛宽和，上冈浩，高木义一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]