多层陶瓷电容及其生产方法技术

一种多层陶瓷电容器，其包括有包含主结晶相和次生相的烧结体。主结晶相主要包含ＣａＴｉＯ↓［３］和ＣａＺｒＯ↓［３］；次生相主要包含钙（Ｃａ）、硅（Ｓｉ）。次生相中的钙含有量等于或小于３０ｍｏｌ％。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多层陶瓷电容的生产方法，特别是生产由CaTiO3/CaZrO3构成的多层陶瓷电容，这种多层陶瓷电容是在中性或还原气氛中烧制而成的。在日本未审定专利申请63-126117中公开了一种介电陶瓷组合物，其能够在中性或还原气氛中烧制用于温度补偿。此组合物的主要成分表示为(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3，这里变量x、y和m分别满足0≤x≤0.6，0≤y≤0.6，0.85≤m≤1.30。另外，相对于重量一百份的主要成分，提供重量0.5-8份的MnO2和重量0.5-8份的包含TiO2、SiO2和类似成分的玻璃成分。根据该专利公报，通过控制该介电陶瓷组合物的Ti/Zr比，能够大范围地控制多层陶瓷电容的温度特性。其温度特性表示温度与电容之间的一种变化率，通常称作温度系数，由ppm/℃表示。温度系数的定义可按下式得出温度系数＝(Ci-C0)×106/(Ti-T0)，这里Ci和C0分别是温度为Ti和T0时的电容值。温度补偿陶瓷电容器的温度特性是由组合的两个字母字符表达的，一个代表温度系数，另一个代表温度系数的允许误差。按照该公报所述的介电陶瓷组合物实现了具有在CG和S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电容器，其中包括： 烧结陶瓷体，其包括主要包含ＣａＴｉＯ↓［３］和ＣａＺｒＯ↓［３］的主结晶相和主要包含钙Ｃａ和硅Ｓｉ的次生相； 在烧结陶瓷体内放置的内部电极，其中次生相的钙含有量等于或小于３０ｍｏｌ％。

【技术特征摘要】
JP 2001-3-7 2001-0638371.一种多层陶瓷电容器，其中包括烧结陶瓷体，其包括主要包含CaTiO3和CaZrO3的主结晶相和主要包含钙Ca和硅Si的次生相；在烧结陶瓷体内放置的内部电极，其中次生相的钙含有量等于或小于30mol％。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：西野敬之，西山俊树，米田康信，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]