电容器用聚酯薄膜制造技术

提供聚２，６－萘二羧酸乙二醇酯为主成分，当基于ｔ℃温度的薄膜纵向（ＭＤ）长度ＬＭＤ（ｔ），在Ｔ℃温度的薄膜纵向热变形率ＲＭＤ（Ｔ）定义为ＲＭＤ（Ｔ）＝｛［ＬＭＤ（Ｔ）－ＬＭＤ（３５）］／ＬＭＤ（３５）｝×１００（％）时，在１５０℃温度的薄膜纵向热变形率ＲＭＤ（１５０）为－１．５％≤ＲＭＤ（１５０）≤０．０％的双轴取向薄膜，其具有优异的绝缘特性，而不降低加工特性、特别是热压过程中的特性，并且适于作为电容器用电介质。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容器用聚酯薄膜。本专利技术的目的是解决上述现有技术的问题，并提供包含聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯为主成分和具有优异的绝缘特性和加工特性的电容器用聚酯薄膜。本申请以日本专利申请No.2000-362612、2000-362613和2000-362614为基础要求优先权，并将这些申请的内容并入本专利技术。本专利技术以下述权利要求1构成，并包含权利要求2至1 4作为优选模式。第1项.一种电容器用聚酯薄膜，其为以聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯为主成分，和当基于t℃温度的薄膜纵向(MD)长度LMD(t)，T℃温度的纵向热变形率RMD(T)定义为RMD(T)＝{[LMD(T)-LMD(35)]/LMD(35)}×100(％)时，150℃温度的薄膜纵向热变形率RMD(150)为-1.5％≤RMD(150)≤0.0％的双轴取向膜。第2项.第1项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，当基于t℃温度的薄膜横向(TD)长度LTD(t)，T℃温度的薄膜纵向热变形率RTD(T)定义为RTD(T)＝{[LTD(T)-LTD(35)]/LTD(35)}×100(％)时，150℃温度的薄膜横向热变形率RTD(150)为-1.0％≤RTD(150)≤0.0％。第3项.第2项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，210℃温度的的热变形率RMD(210)和RTD(210)为-3.5％≤RMD(210)≤0.0％，和-3.5％≤RTD(210)≤0.0％。第4项.第3项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，薄膜的纵向5％变形强度与薄膜横向5％变形强度的比率为0.90或以上和1.40或以下。第5项.第1至第4项任一项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，平均直径超过60μm的碟型区的个数为20个碟型区/m2或以下。第6项.第1至第5项任一项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，平均直径超过30μm的碟型区的个数为10个碟型区/m2或以下。第7项.第1至第6项任一项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，薄膜中存在的最大直径超过40μm的粗大粒子个数为10个粗大粒子/m2或以下。第8项.第5项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，其中含有0.03～2重量％的平均粒径为0.2～5μm的碳酸钙粒子和0.03～1重量％的平均粒径为0.1～2μm的板状硅酸铝粒子。第9项.第8项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，最大直径超过35μm的粗大粒子个数为10个粗大粒子/m2或以下。第10项.第7项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，其中含有多孔二氧化硅和球状二氧化硅，所述多孔二氧化硅粒子的平均粒径为0.5～5μm，所述球状二氧化硅粒子的平均粒径为0.05～1.5μm且小于薄膜厚度，而且所述球状二氧化硅粒子的粒径比为1.0～1.2，所述多孔二氧化硅粒子的含量为0.05～2重量％和所述球状二氧化硅粒子的含量为0.01～1重量％。第11项.第10项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，平均直径超过55μm的碟型区个数为15个碟型区/m2或以下。第12项.第6项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，其中含有二种平均直径不同的球状二氧化硅粒子。第13项.第12项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，其中平均粒径不同的二种球状二氧化硅为平均粒径为0.5～3.0μm的球状二氧化硅粒子(A)和平均粒径为0.01～1.5μm的球状二氧化硅粒子(B)，球状二氧化硅粒子(A)和球状二氧化硅粒子(B)各自的粒径比为1.0～1.2，球状二氧化硅粒子(A)的含量为0.03～1.5重量％和球状二氧化硅粒子(B)的含量为0.05～2重量％。第14项.第9、11和13项任一项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，所述薄膜按照同时双轴拉伸方法制造。以下为详细说明。《聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯》本专利技术的电容器用聚酯薄膜以聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯为主成分。另一方面，通常的电容器用聚酯薄膜以聚对苯二甲酸乙二醇酯为主成分，并且在80℃或以上的温度范围电介质损耗因数增加，介电损耗引起自身发热并引起热失控。因此通常的电容器用聚酯薄膜作为电容器的使用温度的上限为约80℃。与此不同，本专利技术的聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯的电介质损耗因数的增加由120℃附近开始，因此使用温度的上限约为120℃。因此，本专利技术的电容器用聚酯薄膜比通常的电容器用聚酯薄膜于更高的温度环境中使用。用于本专利技术的聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯是主要的二羧酸成分为萘二羧酸和主要的二醇成分为乙二醇的聚酯。萘二羧酸的例子包括2，6-萘二羧酸、2，7-萘二羧酸和1，5-萘二羧酸。其中2，6-萘二羧酸是优选的。在本专利技术中，“以聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯为主成分”指构成薄膜的聚合物的构成成分中全部重复单元的至少90mol％、优选至少95mol％为2，6-萘二羧酸乙二醇酯。可以确保绝缘特性、机械特性和热尺寸稳定性的聚合物，可以用作构成本专利技术电容器用聚酯薄膜的聚合物，并且该聚合物可以是包含聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯为主成分的共聚物或共混物。当使用共聚物时，分子内具有二个酯形成官能基团的化合物可以用作共聚成分，其与作为主成分的2，6-萘二羧酸乙二醇酯构成所述共聚物。所述化合物的例子包括二羧酸如草酸、己二酸、邻苯二甲酸、癸二酸、十二烷二羧酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、1，4-环己烷二羧酸、4，4′-联苯二羧酸、苯基茚满二羧酸、2，7-萘二羧酸、1，2，3，4-四氢化萘二羧酸、十氢化萘二羧酸和二苯醚二羧酸；羟基羧酸如p-羟基苯甲酸和p-羟基乙氧基苯甲酸；二元醇如丙二醇、三亚甲基二醇、四亚甲基二醇、己二醇、环己烷亚甲基二醇、新戊二醇、双酚砜的环氧乙烷加成物、双酚A的环氧乙烷加成物、二乙二醇、聚环氧乙烷二醇等。可以使用一种这类化合物和使用其二种或以上的混合物。此成分中优选的二羧酸为间苯二甲酸、对苯二甲酸、4，4′-联苯二羧酸、2，7-萘二羧酸和p-羟基苯甲酸，和优选的二醇成分为三亚甲基二醇、己二醇、新戊二醇和双酚砜的环氧乙烷加成物。聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯的一部分或全部末端羟基和/或羧基基团可以用单官能化合物例如苯甲酸或甲氧基聚亚烷基二醇封端，或为具有极少量具有三个或以上官能团的酯形成化合物如甘油或季戊四醇的共聚物，其范围为可得到基本线性的聚合物。本专利技术的电容器用聚酯薄膜的聚合物可以是共混物，然而，当所述聚合物是共混物时，聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯可含有机聚合物。此时聚合物中优选含90mol％或以上的聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯。有机聚合物的例子包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚4，4′-四亚甲基二苯基二羧酸乙二醇酯、聚2，7-萘二羧酸乙二醇酯、聚2，6-萘二羧酸丙二醇酯、聚-2，6-萘二羧酸新戊二醇酯和聚(双(4-亚乙氧基苯基)砜)-2，6-萘二羧酸酯等其中，优选的是聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚2，6-萘二羧酸丙二醇酯和聚(双(4-亚乙氧基苯基)砜)-2，6-萘二羧酸酯。可以使用所述有机聚合物的一种或二种或以上的混合物。聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯可由普通公知的方法制造。例如，通过二羧酸与二醇反应直接得到低聚合度聚酯的方法制造聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯，或二羧酸的低级烷基酯与二醇使用酯交换催化剂进行酯交换反应，然后使用聚合催化剂进行聚合来制造。例如，酯交换催化剂可使用一种或多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器用聚酯薄膜，其为以聚２，６－萘二羧酸乙二醇酯为主成分，和当基于ｔ℃温度的薄膜纵向（ＭＤ）长度ＬＭＤ（ｔ），Ｔ℃温度的纵向热变形率ＲＭＤ（Ｔ）定义为ＲＭＤ（Ｔ）＝｛［ＬＭＤ（Ｔ）－ＬＭＤ（３５）］／ＬＭＤ（３５）｝×１００（％）时，１５０℃温度的薄膜纵向热变形率ＲＭＤ（１５０）为 －１．５％≤ＲＭＤ（１５０）≤０．０％ 的双轴取向膜。

【技术特征摘要】
JP 2000-11-29 362612/00;JP 2000-11-29 362613/00;JP1.一种电容器用聚酯薄膜，其为以聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯为主成分，和当基于t℃温度的薄膜纵向(MD)长度LMD(t)，T℃温度的纵向热变形率RMD(T)定义为RMD(T)＝{[LMD(T)-LMD(35)]/LMD(35)}×100(％)时，150℃温度的薄膜纵向热变形率RMD(150)为-1.5％≤RMD(150)≤0.0％的双轴取向膜。2.权利要求1的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，当基于t℃温度的薄膜横向(TD)长度LTD(t)，T℃温度的薄膜纵向热变形率RTD(T)定义为RTD(T)＝{[LTD(T)-LTD(35)]/LTD(35)}×100(％)时，150℃温度的薄膜横向热变形率RTD(150)为-1.0％≤RTD(150)≤0.0％。3.权利要求2的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，210℃温度的的热变形率RMD(210)和RTD(210)为-3.5％≤RMD(210)≤0.0％，和-3.5％≤RTD(210)≤0.0％。4.权利要求3的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，薄膜的纵向5％变形强度与薄膜横向5％变形强度的比率为0.90或以上和1.40或以下。5.权利要求1至4任一项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，平均直径超过60μm的碟型区的个数为20个碟型区/m2或以下。6.权利要求1至5任一项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，平均直径超过30μm的碟型区的个数为10个碟型区/m2或以下。7.权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：古谷幸治，楠目博，饭田真，
申请(专利权)人：帝人株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]