电介质瓷器及叠层陶瓷电容器以及它们的制造方法技术

本发明专利技术提供叠层陶瓷电容器及其制造方法。通过使以钛酸钡为主成分的晶粒的平均粒径在０．２μｍ以下、并且将以由所述晶粒的Ｘ射线衍射图谱求得的晶格常数（ａ、ｂ、ｃ）的积表示的每个单位晶格的体积Ｖ设为０．０６４３ｎｍ↑［３］以下，就可以获得具有高介电常数的电介质瓷器。叠层陶瓷电容器具备将由所述电介质瓷器构成的电介质层与内部电极层交互地层叠而构成的电容器主体、形成于该电容器主体的两个端部的外部电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电介质瓷器及使用了它的叠层陶瓷电容器以及它们的制造方法。
技术介绍
近年来，随着携带电话和移动机器的普及、作为个人电脑等的主要部件的半导体器件的高速高频化，对于搭载于此种电子机器中的叠层陶瓷电容器的小型、高容量化的要求逐渐提高。为了响应此种要求，在叠层陶瓷电容器(MLC)中，通过将电介质层薄层化来提高静电容量，并且增大叠层数，来实现小型、高容量化。由此构成叠层陶瓷电容器的电介质层为了响应电介质层的所述的薄层化及高叠层化的要求，对于构成电介质瓷器的电介质粉末实现了微粒化和介电常数的提高(例如特开2004-210636号公报)。根据所述公报，记载有如下的情况，即，例如作为电介质粉末的代表例的钛酸钡是通过将氢氧化钡水溶液和烷氧基Ti溶液混合，在其混合容器内老化给定时间后，脱水、干燥，而获得微粒状态的钛酸钡。但是，利用所述的液相法得到的钛酸钡粉末的混合、老化后的干燥为110℃、3小时的条件，由于只简单地采用将混合液中所含的水分除去的条件，因此在所得的钛酸钡粉末中，就会存在有很多的结晶水、氢氧化物之类的杂质。由此，所得的钛酸钡粉末虽然被制成平均粒径小至0.05μm(50nm)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电介质瓷器，其中，含有平均粒径为０．２μｍ以下并且以钛酸钡为主成分的晶粒，所述晶粒的、以由该晶粒的Ｘ射线衍射图谱求得的晶格常数（ａ、ｂ、ｃ）的积表示的每个单位晶格的体积Ｖ在０．０６４３ｎｍ↑［３］以下。

【技术特征摘要】
JP 2004-10-27 2004-312454;JP 2004-11-26 2004-341661.一种电介质瓷器，其中，含有平均粒径为0.2μm以下并且以钛酸钡为主成分的晶粒，所述晶粒的、以由该晶粒的X射线衍射图谱求得的晶格常数(a、b、c)的积表示的每个单位晶格的体积V在0.0643nm3以下。2.根据权利要求1所述的电介质瓷器，其中，晶粒的平均粒径在0.15μm以下。3.根据权利要求1所述的电介质瓷器，其中，晶粒中立方晶和正方晶共存。4.根据权利要求1所述的电介质瓷器，其中，晶格常数的c/a比为1.005～1.01。5.根据权利要求1所述的电介质瓷器，其中，由如下的峰位置的偏移求得的应力，以绝对值表示在1MPa以上，即，该峰位置的偏移，是由电介质瓷器表面的X射线衍射得到的衍射图谱的与钛酸钡单晶的X射线衍射图谱的比较中的峰位置的偏移。6.一种电介质瓷器的制造方法，包括(a)利用液相法获得平均粒径为0.1μm以下的电介质坯料粉末的工序、(b)对该电介质坯料粉末在大气压下、在温度300～500℃的气氛中，使用沸石类干燥剂进行干燥热处理而得到电介质粉末的工序、(c)使用该电介质粉末制成给定形状的成形体，将该成形体烧成的工序。7.一种叠层陶瓷电容器，包括将由权利要求1所述的电介质瓷器构成的电介质层与内部电极层交互地层叠而成的电容器主体、形成于该电容器主体的两个端部的外部电极。8.一种叠层陶瓷电容器，是包括多个晶粒被夹隔晶界层烧结的电介质层与内部电极层交互地层叠而成的电容器主体、形成于该电容器主体的两个端部的外部电极的叠层陶瓷电容器，其中，(a)构成所述电介质层的晶粒的平均粒径在0.2μm以下，(b)所述晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎洋一，伊东裕见子，神垣耕世，松原圣，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]