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本发明提供叠层陶瓷电容器及其制造方法。通过使以钛酸钡为主成分的晶粒的平均粒径在０．２μｍ以下、并且将以由所述晶粒的Ｘ射线衍射图谱求得的晶格常数（ａ、ｂ、ｃ）的积表示的每个单位晶格的体积Ｖ设为０．０６４３ｎｍ↑［３］以下，就可以获得具有高介电...
该专利属于京瓷株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过京瓷株式会社授权不得商用。

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