电子部件制造技术

多层陶瓷电容器１，其具有以钛酸钡或钛酸钡钙为主成分的电介质层２。在电介质层是钛酸钡的情况下，在形成电介质层２的多个电介质粒子２０中，相邻的电介质粒子２０间存在的晶粒界面２２的厚度为１ｎｍ或以下的粒子比例为全部的３０％－９５％。在电介质层２是钛酸钡钙的情况下，在形成电介质层２的多个电介质粒子２０中，相邻的电介质粒子２０间存在的晶粒界面２２的厚度为１ｎｍ或以下的粒子比例为全部的２０％－７０％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多层陶瓷电容器等电子部件，更详细地说，涉及介电常数等电特性优异，即使在电介质层薄的情况下，也能得到温度特性优异、可靠性高的小型大容量的电子部件。
技术介绍
近年来，电气产品越来越要求小型化和高性能化，伴随而来的是对电子部件也强烈要求小型化和高性能化。作为电子部件一例的多层陶瓷电容器，尤其要求高容量和高可靠性。然而，为了得到小型且高容量的多层陶瓷电容器，电介质陶瓷层、内部电极层的薄层化是必不可少的，但是伴随而来的是可靠性变差。另一方面，为了得到小型且高可靠性的多层陶瓷电容器，必须使电介质陶瓷层、内部电极层变厚，但这样无法获得高容量。作为得到高容量且显示出高可靠性的多层陶瓷电容器的方法，例如在文献1(特开平5-9066号公报)中，提出了满足EIA标准的X7R特性，还显示出高介电常数，且绝缘电阻高的电介质陶瓷组合物。然而，在该文献1所示的方法中，例如将电介质陶瓷层薄层化为3μm或以下时，未必能得到满足市场要求的可靠性。此外，在文献2(特开2001-316176号公报)中，公开了通过在以BaTiO3为主成分的电介质粉末中使用微细的材料，以及限定其最大粒径、粒度分布，从而得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件，其是具有以钛酸钡为主成分的电介质层的电子部件，其特征在于，在形成上述电介质层的多个陶瓷粒子中，相邻的陶瓷粒子间存在的晶粒界面的厚度为１ｎｍ或以下的粒子比例为全部的３０％－９５％。

【技术特征摘要】
JP 2005-4-1 2005-106477;JP 2005-4-1 2005-1064951.一种电子部件，其是具有以钛酸钡为主成分的电介质层的电子部件，其特征在于，在形成上述电介质层的多个陶瓷粒子中，相邻的陶瓷粒子间存在的晶粒界面的厚度为1nm或以下的粒子比例为全部的30％-95％。2.一种电子部件，其是具有以钛酸钡为主成分的电介质层的电子部件，其特征在于，在形成上述电介质层的多个陶瓷粒子中，相邻的陶瓷粒子间存在的晶粒界面的厚度为0.75nm或以下的粒子比例为全部的40％-90％。3.如权利要求1或2中所述的电子部件，其中上述电介质层的厚度为3μm或以下。4.如权利要求1或2中所述的电子部件，其中上述陶瓷粒子的平均粒径为0.3μm或以下。5.如权利要求1或2中所述的电子部件，其特征在于，在上述电介质层中，含有镁氧化物作为副成分，相对于100mol钛酸钡，镁氧化物的含量为0～2mol(其中不包括0)。6.如权利要求1或2中所述的电子部件，其特征在于，在上述电介质层中，含有锰氧化物和/或铬氧化物作为副成分，相对于100mol钛酸钡，换算成MnO和Cr2O3，锰氧化物和铬氧化物的总量为0～0.5mol(其中不包括0)。7.如权利要求1或2中所述的电子部件，其特征在于，在上述电介质层中，含有稀土类氧化物作为副成分，相对于100mol钛酸钡，稀土类氧化物的含量为0～4mol(其中不包括0和4)。8.如权利要求1或2中所述的电于部件，其特征在于，在上述电介质层中，含有钒氧化物、钨氧化物、钽氧化物和/或铌氧化物作为副成分，相对于100mol钛酸钡，钒氧化物、钨氧化物、钽氧化物和铌氧化物的总量为0～0.5mol(其中不包括0)。9.如权利要求1或2中所述的电子部件，其特征在于，在上述电介质层中，含有玻璃成分，相对于100mol钛酸钡，玻璃成分的含量为0.5～12mol。10.如权利要求1或2中所述的电子部件，其为具有相互层压有上述电介质层和内部电极层的元件主体的多层陶瓷电容器。11.如权利要求10中所述的电子部件，其中上述内部电极层以贱金属为主成分...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田裕二，上田智子，藤川佳则，佐藤阳，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]