一种处理槽制造技术

本实用新型专利技术提供了一种处理槽，包括：槽体，所述槽体具有凹槽，所述凹槽包括底壁和至少两个相对设置的侧壁，并用于容纳液体；以及第一气体鼓泡器件，所述第一气体鼓泡器件靠近所述两个侧壁中的一个，所述第一气体鼓泡器件包括至少一个鼓泡孔，所述鼓泡孔的出气方向背离所述第一气体鼓泡器件所靠近的侧壁。该处理槽可用于清洗晶圆，且清洗效率高。且清洗效率高。且清洗效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种处理槽


[0001]本技术涉及半导体制造工艺的设备，更具体的，涉及一种处理槽。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域中，半导体清洗工艺一直是半导体制程中至关重要的步骤之一。目前来说，半导体清洗工艺多种多样，大体包括湿式清洗和干式清洗两种。由于其实际的清洗效果及生产可行性，目前市面上湿式清洗占主流地位。
[0003]湿式清洗工艺通常采用槽式湿法清洗设备，包括溢流型清洗技术和喷淋式清洗技术，整个清洗设备由多个处理槽组成。在清洗工艺过程中晶片整体浸泡在充满化学溶液的处理槽内，化学溶液定期更换，以保证处理槽的清洁，从而保证产品的质量。例如在半导体工艺中，需要用超纯的去离子水，来保证在工艺处理过程中没有任何离子杂质对晶圆造成影响。
[0004]随着半导体器件工艺技术的关键尺寸不断缩小，使得清洗的工艺窗口变窄，要满足清洗效率并同时做到尽量少的表面刻损和结构损坏变得十分不容易。传统的批式处理方法已经越来越无法适应湿式清洗的实际应用，例如靠近清洗槽侧壁的液体流速较慢，进而清洗效果差，化学清洗作用时间比较长。特别地，具有深孔和深沟的晶片需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理槽，其特征在于，包括：槽体，所述槽体具有凹槽，所述凹槽包括底壁和至少两个相对设置的侧壁，并用于容纳液体；以及第一气体鼓泡器件，所述第一气体鼓泡器件靠近所述两个侧壁中的一个，所述第一气体鼓泡器件包括至少一个鼓泡孔，所述鼓泡孔的出气方向背离所述第一气体鼓泡器件所靠近的侧壁。2.根据权利要求1所述的处理槽，其特征在于，所述处理槽还包括第二气体鼓泡器件，所述第二气体鼓泡器件靠近所述两个侧壁中的另一个，所述第二气体鼓泡器件包括至少一个鼓泡孔，所述鼓泡孔的出气方向背离所述第二气体鼓泡器件所靠近的侧壁。3.根据权利要求2所述的处理槽，其特征在于，所述第一气体鼓泡器件和所述第二气体鼓泡器件靠近所述底壁。4.根据权利要求1所述的处理槽，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永刚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：