表面安装芯片电容器制造技术

一种表面安装芯片电容器，包括金属衬底；包括阀金属且部分围绕金属衬底的导电粉末元件，金属衬底自导电粉末向表面安装芯片电容器阳极末端延伸；至少部分围绕导电粉末元件的银阴极体；通过气相沉积形成的围绕银阴极体的涂层；形成在衬底的自导电粉末向外延伸的部分周围的绝缘材料；形成在表面安装芯片电容器阳极末端的金属衬底周围的导电涂层；电连接到表面安装芯片电容器的阳极末端的导电涂层的阳极末端端子；以及电连接到表面安装芯片电容器阴极末端的银阴极体的阴极末端端子。涂层优选包括聚对二甲苯或聚对二甲苯衍生物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电容器。更具体地，但并不排他地，本专利技术涉及改进的表 面安装芯片电容器及其制造方法。表面安装芯片电容器的一个例子公开于美国专利申请No.2005 / 0195558，通过引用的方式将其全部并入本文。
技术实现思路
由此，本专利技术的首要目标、特点或优点是通过提供一种改进的表面安 装电容器及其制造方法来改进现状。本专利技术另一个目标、特点或优点是提供一种使用导电粉末的表面安装本专利技术的另一目标、特点或优点是提供一种表面安装电容器，其使用 保形涂层(conformal coating),例如聚对二甲苯，以提供一种没有孔隙的均 匀涂层。然而，本专利技术的另一目标、特点或优点是提供一种在阳极末端的金属 衬底上使用金属涂层的表面安装电容器。本专利技术的另一目标、特点或优点是提供一种可以用于各种钽电容器的 保形涂层。本专利技术的这些或其它目标、特点或优点将在下面的说明书和权利要求 中明确记载。根据本专利技术的一个方面，表面安装芯片电容器具有阴极末端和与之相 对的阳极末端。表面安装电容器包括金属衬底和包括阀金属且部分环绕金 属衬底的导电粉末元件，金属衬底自导电粉末向表面安装芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有阴极末端和与之相对的阳极末端的表面安装芯片电容器，该表面安装芯片电容器包括：金属衬底；包括阀金属且部分围绕所述金属衬底的导电粉末元件，所述金属衬底自所述导电粉末向表面安装芯片电容器的所述阳极末端延伸；介电层、浸渍阴极和至少部分围绕所述导电粉末元件的银阴极体；围绕所述银阴极体的涂层；形成在所述衬底的自导电粉末向外延伸的部分周围的绝缘材料；形成在所述表面安装芯片电容器阳极末端的金属衬底周围的导电涂层；电连接到所述表面安装芯片电容器阳极末端的导电涂层的阳极末端端子；以及电连接到所述表面安装芯片电容器阴极末端的银阴极体的阴极末端端子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-12-2 11/293,6731.一种具有阴极末端和与之相对的阳极末端的表面安装芯片电容器，该表面安装芯片电容器包括金属衬底；包括阀金属且部分围绕所述金属衬底的导电粉末元件，所述金属衬底自所述导电粉末向表面安装芯片电容器的所述阳极末端延伸；介电层、浸渍阴极和至少部分围绕所述导电粉末元件的银阴极体；围绕所述银阴极体的涂层；形成在所述衬底的自导电粉末向外延伸的部分周围的绝缘材料；形成在所述表面安装芯片电容器阳极末端的金属衬底周围的导电涂层；电连接到所述表面安装芯片电容器阳极末端的导电涂层的阳极末端端子；以及电连接到所述表面安装芯片电容器阴极末端的银阴极体的阴极末端端子。2. 如权利要求1所述的表面安装芯片电容器，其中所述涂层是通过气 相沉积并聚合而形成的聚合物。3. 如权利要求2所述的表面安装芯片电容器，其中所述涂层包括聚对 二甲苯。4. 如权利要求2所述的表面安装芯片电容器，其中所述涂层包括聚对 二甲苯衍生物。5. 如权利要求3所述的表面安装芯片电容器，其中所述导电粉末的阀 金属是钽。6. 如权利要求1所述的表面安装芯片电容器，其中所述粉末通过电泳 沉积在所述金属衬底上。7. 如权利要求1所述的表面安装芯片电容器，其中所述金属衬底是钽箔。8. 如权利要求1所述的表面安装芯片电容器，其中所述表面安装芯片 电容器的厚度至少10微米。9. 如权利要求1所述的表面安装芯片电容器，其中所述导电粉末提供 的电容一电压至少为iocv。10. 如权利要求1所述的表面安装芯片电容器，其中所述导电粉末包 括作为金属氧化物的阀金属。11. 如权利要求1所述的表面安装芯片电容器，其中所述导电粉末包 括作为低价金属氧化物的阔金属。12. 如权利要求1所述的表面安装芯片电容器，其中所述阀金属是铌， 且所述导电粉末包括Nb、 NbO和Nb205。13. —种表面安装芯片电容器，包括金属衬底；包括阀金属且部分围绕所述金属衬底的导电粉末元件，所述金属衬底自所述导电粉末向所述表面安装芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：R卡特拉罗，L库什纳廖夫，N科亨，H戈德伯格，
申请(专利权)人：维莎斯普拉格公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]