一种改善大芯片分层的结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种改善大芯片分层的结构，包括框架、晶圆、焊料和铝线，晶圆一侧的框架上设有V形槽，V形槽一侧设有锁定槽，锁定槽包括垂直槽和位于垂直槽下方的燕尾槽，垂直槽向下设置于框架的内部，燕尾槽的小口端承接与垂直槽的底部。锁定槽上的垂直槽有效增加塑封料和框架之间的接触面积，并且能够形成塑封料冲进框架里加一倒扣效果，结合牢固，不易松动，增加框架的对塑封料的咬合力，有效防止芯片分层的现象的发生，并且垂直槽的设置可以促进塑封料进入到燕尾槽内。封料进入到燕尾槽内。封料进入到燕尾槽内。

【技术实现步骤摘要】
一种改善大芯片分层的结构


[0001]本技术涉及芯片制造领域，具体是一种改善大芯片分层的结构。

技术介绍

[0002]对于大尺寸芯片（芯片面积大于20mm^2）封装产品，在封装完成后，经过高温回流焊或环境温湿度变化后，容易产生芯片和基导之间的分层，继而影响产品寿命，或性能（阻抗超标）和失效。
[0003]V型槽为目前的业内通用做法，因为产品结构决定了，封装工艺过程中图示产品上端容易产生框架和塑封料的分层，并且分层会延申到芯片和框架之间。最后导致产品失效。V型槽设计对产品上端的锁封受温度变化，切割工艺拉扯应力等造成的分层风险不足以消除。单一V型槽形成的塑封料与框架间的咬合界面不够牢靠。
[0004]此外，在已经公开的现有技术CN201721603409，公开了一种通信用GaN基射频功放芯片，芯片包括由上向下依次设置且固定连接的第一管芯、第二管芯和封装基板，第二管芯上的焊盘借助键合引线与封装基板上的焊盘连接，关键是：位于第二管芯下方的封装基板上端面设置有凸台，凸台上端面开设有至少两个燕尾槽，所有的燕尾槽平行设置，第二管芯下端设置有燕尾条，燕尾条的高度小于燕尾槽的深度，第二管芯借助燕尾条和燕尾槽的配合与封装基板插接，燕尾条的侧壁与燕尾槽接触，燕尾条与燕尾槽的底面之间设置有粘接层。虽然在文中基板上也设有燕尾槽，但是基板上的燕尾槽结构是单一的，塑封料和燕尾槽之间的接触面为底面和斜侧面，仅仅依靠燕尾槽上顶部的支撑力，与塑封料之间的咬合力度是远远不够的，当塑封料和燕尾槽底部产生间隙分离的时候，塑封料极大可能还是会脱离燕尾槽，导致塑封料和基板之间的分离。

技术实现思路

[0005]之前的塑封料和框架之间的接触面积太小，受其它因素影响的时候，容易造成分离的问题，因此，本技术公开了一种改善大芯片分层的结构，有效提高框架和塑封料之间的结合力。
[0006]本技术的技术方案为：一种改善大芯片分层的结构，包括框架、晶圆、焊料和铝线，晶圆一侧的框架上设有V形槽， V形槽一侧设有锁定槽，锁定槽包括垂直槽和位于垂直槽下方的燕尾槽，垂直槽向下设置于框架的内部，燕尾槽的小口端承接与垂直槽的底部。
[0007]进一步地，燕尾槽的小口端在上，大口端在下，小口端的宽度小于大口端，垂直槽的深度大于燕尾槽的竖直方向的深度，燕尾槽的大口端的宽度小于垂直槽的水平方向的宽度。
[0008]进一步地，锁定槽的深度大于V形槽的深度，垂直槽的深度为0.145
‑
0.155mm，燕尾槽的深度为0.115
‑
0.125mm。
[0009]进一步地，V形槽位于晶圆和锁定槽之间的位置。
[0010]进一步地，晶圆通过焊料和框架底部相连，晶圆上表面通过铝线和另一侧的框架
引脚相连，另一侧的框架上方和底部都设有V形槽，焊料末端流入晶圆一侧的V形槽内，框架之间及上方的铝线上方填充有塑封料。
[0011]进一步地，塑封料填充到V形槽和锁定槽内。
[0012]本技术的有益之处：锁定槽上的垂直槽有效增加塑封料和框架之间的接触面积，并且能够形成塑封料冲进框架里加一倒扣效果，结合牢固，不易松动，增加框架的对塑封料的咬合力，有效防止芯片分层的现象的发生，并且垂直槽的设置可以促进塑封料进入到燕尾槽内。
附图说明
[0013]图1为本技术的结构示意图；
[0014]图2为本技术锁定槽的结构示意图；
[0015]其中：1、框架，2、焊料，3、晶圆，4、塑封料，5、铝线，6、锁定槽，61、垂直槽，62、燕尾槽，621、小口端，622、大口端，7、V形槽。
具体实施方式
[0016]为了加深对本技术的理解，下面结合附图详细描述本技术的具体实施方式，该实施例仅用于解释本技术，并不构成对本技术的保护范围的限定。
[0017]如图1
‑
2所示，一种改善大芯片分层的结构，包括框架1、晶圆3、焊料2和铝线5，晶圆3一侧的框架1上设有V形槽7，晶圆3通过焊料2和框架1底部相连，晶圆3上表面通过铝线5和另一侧的框架1引脚相连，另一侧的框架1上方和底部都设有V形槽7，焊料2末端流入晶圆3一侧的V形槽7内，焊料在焊接工艺过程中，在高温条件下，有流动性，向芯片四周扩散，流到V形槽内，框架1之间及上方的铝线5上方填充有塑封料4，塑封料4填充到V形槽7和锁定槽6内。
[0018] V形槽7一侧设有锁定槽6，V形槽7位于晶圆3和锁定槽6之间的位置，锁定槽6包括垂直槽61和位于垂直槽61下方的燕尾槽62，垂直槽61向下设置于框架1的内部，燕尾槽62的小口端621承接与垂直槽61的底部，垂直槽的设置可以促进塑封料进入到燕尾槽内。
[0019]燕尾槽62的小口端621在上，大口端622在下，小口端621的宽度小于大口端622，垂直槽61的深度大于燕尾槽62的竖直方向的深度，燕尾槽62的大口端的宽度小于垂直槽61的水平方向的宽度，锁定槽6的深度大于V形槽7的深度，垂直槽61的深度为0.145
‑
0.155mm，燕尾槽62的深度为0.115
‑
0.125mm。
[0020]框架上的锁定槽的结构能够增大和塑封料的接触面积，不仅形成X、Y、Z方向，有锁定效果，因为小口端的宽度小于大口端的宽度，Z方向同样有锁定效果。此种情况，当产品在从高温到低温，因热膨胀系数铜比塑封料小很多的情况下，塑封料收缩力在Z方向上，会因此结构锁定槽的锁定作用避免塑封料与铜的分层。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善大芯片分层的结构，包括框架、晶圆、焊料和铝线，所述晶圆一侧的框架上设有V形槽，其特征在于：所述V形槽一侧设有锁定槽，所述锁定槽包括垂直槽和位于垂直槽下方的燕尾槽，所述垂直槽向下设置于框架的内部，所述燕尾槽的小口端承接与垂直槽的底部。2.根据权利要求1所述的一种改善大芯片分层的结构，其特征在于：所述燕尾槽的小口端在上，大口端在下，小口端的宽度小于大口端，所述垂直槽的深度大于燕尾槽的竖直方向的深度，所述燕尾槽的大口端的宽度小于垂直槽的水平方向的宽度。3.根据权利要求2所述的一种改善大芯片分层的结构，其特征在于：所述锁定槽的深度大于V形槽的深度，所述垂直槽的深度为0.145...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐和生，宴长春，任文豪，王雨静，李勤建，梁光毅，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：