芯片框架和功率模块芯片制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种芯片框架和功率模块芯片。该芯片框架包括：基底，基底包括第一基岛区、第二基岛区、拉筋区和过渡区；拉筋区围绕第一基岛区、以及围绕第二基岛区；过渡区位于拉筋区之间、拉筋区和第一基岛区之间以及拉筋区和第二基岛区之间；基底对应过渡区的厚度小于基底对应第一基岛区的厚度，以及基底对应过渡区的厚度小于基底对应第二基岛区的厚度；其中，第一基岛区用于对应设置三个功率芯片的晶粒，第二基岛用于对应设置一个功率芯片的晶粒。利用本方案设计的芯片框架可以减小全桥的功率模块的设计体积，利用芯片框架替代部分全桥的功率模块的连接线路，便于后续实现全桥的功率模块的无外延引脚的封装设计。功率模块的无外延引脚的封装设计。功率模块的无外延引脚的封装设计。

【技术实现步骤摘要】
芯片框架和功率模块芯片


[0001]本专利技术实施例涉及芯片封装
，尤其涉及一种芯片框架和功率模块芯片。

技术介绍

[0002]目前全桥的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)功率模块，均是采用6个MOSFET单管或3个半桥封装的MOSFET单管(每一MOSFET单管内部封装有2个MOSFET晶粒)在水泵或电机控制板上进行组合，实现产生三相工作电压应用于泵或电机。通过采用6个MOSFET单管或3个半桥封装的MOSFET单管进行组合的功率模块不仅需要对各个MOSFET单管固定在水泵或电机控制板上，还需要对各个MOSFET单管进行线路连接，在该过程中会导致全桥的金属氧化物半导体场效应晶体管功率模块体积过大，并且线路复杂。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种芯片框架和功率模块芯片，以减小全桥的功率模块设计体积，简化全桥的功率模块线路连接，实现全桥的功率模块的无外延引脚的封装设计。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种芯片框架，该芯片框架包括：
[0005]基底，基底包括第一基岛区、第二基岛区、拉筋区和过渡区；拉筋区围绕第一基岛区、以及围绕第二基岛区；过渡区位于拉筋区之间、拉筋区和第一基岛区之间以及拉筋区和第二基岛区之间；基底对应过渡区的厚度小于基底对应第一基岛区的厚度，以及基底对应过渡区的厚度小于基底对应第二基岛区的厚度；
[0006]其中，第一基岛区用于对应设置三个功率芯片的晶粒，第二基岛用于对应设置一个功率芯片的晶粒。
[0007]可选地，第一基岛区包括首尾相连的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘，第二基岛区包括首尾相连的第五边缘、第六边缘、第七边缘和第八边缘；第一边缘与第七边缘平行且相邻设置；
[0008]拉筋区包括第一图案化结构、第二图案化结构以及第三图案化结构；
[0009]第一图案化结构设置于第一基岛区的第三边缘的外侧；第二图案化结构置于第一边缘和第七边缘之间；第三图案化结构设置于第二边缘的外侧，或者第三图案化结构设置于第四边缘的外侧。
[0010]可选地，第一图案化结构远离第三边缘的一侧设置有第一凹陷区；
[0011]芯片框架还包括第一焊盘，第一焊盘设置于第一凹陷区内。
[0012]可选地，芯片框架包括三个第二基岛区，三个第二基岛区相邻设置；
[0013]拉筋区还包括第四图案化结构、第五图案化结构以及第六图案化结构；
[0014]第四图案化结构的一部分设置于相邻的第二基岛区的第六边缘和第八边缘之间，第四图案化结构的另一部分设置于处于外侧的第二基岛区的第七边缘和第二图案化结构之间；第五图案化结构设置于第二基岛区的第五边缘的外侧；第六图案化结构设置于处于
外侧的第二基岛区的第六边缘的外侧，或者第六图案化结构设置于处于外侧的第二基岛区的第八边缘的外侧。
[0015]可选地，第五图案化结构远离第五边缘的一侧设置有第二凹陷区；
[0016]芯片框架还包括第二焊盘，第二焊盘设置于第二凹陷区内。
[0017]可选地，芯片框架还包括封装层；
[0018]封装层封装基底上除第一基岛区、第二基岛区、第一焊盘以及第二焊盘的所有部分。
[0019]可选地，过渡区的厚度为0.1mm
±
0.01mm，第一基岛区和第二基岛区的厚度为0.2mm。
[0020]可选地，基底对应拉筋区内的区域镂空。
[0021]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种功率模块芯片，包括实现如第一方面中任一项的芯片框架和金属氧化物半导体型场效应管；
[0022]金属氧化物半导体型场效应管设置于第一基岛区和第二基岛区。
[0023]可选地，第一基岛区上对应设置三个金属氧化物半导体型场效应管，第二基岛区上对应设置一个金属氧化物半导体型场效应管。
[0024]本实施例的技术方案，通过在基底上设置第一基岛区、第二基岛区和拉筋区，得到的芯片框架可以承载多个功率芯片的晶粒，利用本方案设计的芯片框架可以减小全桥的功率模块的设计体积，利用芯片框架替代部分全桥的功率模块的连接线路，实现简化全桥的功率模块的线路连接，便于后续实现全桥的功率模块的无外延引脚的封装设计。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本专利技术的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本专利技术的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本专利技术的权利要求范围之内。
[0026]图1为本专利技术实施例提供的一种芯片框架的结构示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例提供的另一种芯片框架的结构示意图。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]本专利技术实施例提供了一种芯片框架，图1为本专利技术实施例提供的一种芯片框架的结构示意图。如图1所示，该芯片框架包括：基底100，基底100包括第一基岛区110、第二基岛区120、拉筋区130和过渡区140；拉筋区130围绕第一基岛区110、以及围绕第二基岛区120；过渡区140位于拉筋区130之间、拉筋区130和第一基岛区110之间以及拉筋区130和第二基岛区120之间；基底100对应过渡区140的厚度小于基底100对应第一基岛区110的厚度，以及
基底100对应过渡区140的厚度小于基底100对应第二基岛区120的厚度；其中，第一基岛区110用于对应设置三个功率芯片的晶粒，第二基岛区120用于对应设置一个功率芯片的晶粒。
[0030]其中，基底100为集成电路的芯片载体，可以在基底100上刻画出不同的功能区，实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件也就是引线框架。引线框架可以起到固定芯片以及与外部装置连接的桥梁作用。具体地，第一基岛区110的主要功能为：1)可承载三个功率芯片的晶粒，例如第一基岛110区可以对应设置三个功率芯片的晶粒；2)与所承载的功率芯片的晶粒实现电连接，完成信号的传输。例如可以将功率芯片的晶粒的引脚或电极焊接在第一基岛区110，实现第一基岛区110对功率芯片的晶粒的承载的同时，也实现了第一基岛区110与所承载的功率芯片的晶粒的电连接。基底100上设置有三个第二基岛区120，第二基岛区120的主要功能为：1)每一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片框架，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一基岛区、第二基岛区、拉筋区和过渡区；所述拉筋区围绕所述第一基岛区、以及围绕所述第二基岛区；所述过渡区位于所述拉筋区之间、所述拉筋区和所述第一基岛区之间以及所述拉筋区和所述第二基岛区之间；所述基底对应所述过度区的厚度小于所述基底对应所述第一基岛区的厚度，以及所述基底对应所述过渡区的厚度小于所述基底对应所述第二基岛区的厚度；其中，所述第一基岛区用于对应设置三个功率芯片的晶粒，所述第二基岛用于对应设置一个所述功率芯片的晶粒。2.根据权利要求1所述的芯片框架，其特征在于，所述第一基岛区包括首尾相连的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘，所述第二基岛区包括首尾相连的第五边缘、第六边缘、第七边缘和第八边缘；所述第一边缘与所述第七边缘平行且相邻设置；所述拉筋区包括第一图案化结构、第二图案化结构以及第三图案化结构；所述第一图案化结构设置于所述第一基岛区的第三边缘的外侧；所述第二图案化结构置于所述第一边缘和所述第七边缘之间；所述第三图案化结构设置于所述第二边缘的外侧，或者所述第三图案化结构设置于所述第四边缘的外侧。3.根据权利要求2所述的芯片框架，其特征在于，所述第一图案化结构远离所述第三边缘的一侧设置有第一凹陷区；所述芯片框架还包括第一焊盘，所述第一焊盘设置于所述第一凹陷区内。4.根据权利要求3所述的芯片框架，其特征在于，包括三个所述第二基岛区，三个所述第二基岛区相邻设置；所述拉筋区还包括第四图案化结构、第五图案化结构以及第六图案化结构；所述第四图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小兵，廖光朝，
申请(专利权)人：深圳云潼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：