一种大行程电磁振动台的双磁路结构制造技术

本实用新型专利技术公开的大行程电磁振动台的双磁路结构，包括同轴线依次相连的第一磁体、第一中心磁环、中心磁极、第二中心磁环和第二磁体，第一磁体和第二磁体分别固定在外壳中，在中心磁极外同轴线套有筒状线圈和外磁极，外磁极的两端分别与外壳端口紧固。由于双磁体互补作用，使得气隙中产生了较大且较均匀的磁感应强度，该磁感应强度使得套在中心磁极外通电筒状线圈在磁场中受力并产生运动，改变线圈中所通电流的大小及其频率即可改变振动台输出的振级和振动频率。本实用新型专利技术利用双磁路结构，在保持同样磁感应强度及均匀性的条件下，气隙长度大大增加，振动台因此可同时实现大推力、大行程及低波形失真度的技术指标。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电磁振动台的磁路结构，尤其是应用在大行程电磁振 动台的磁路结构。
技术介绍
传统电磁振动台的磁路结构由安装在软铁导磁体中的单一永磁体或励磁体 以及中心磁极和气隙组成，气隙中的通电线圈受到电磁力产生运动，电磁力的 大小和气隙中磁感应强度的大小成正比。对于大行程的电磁振动台要求具有较 长的气隙长度，采用传统电磁振动台的磁路结构，则磁感应强度随着行程的增 长会减小，同时磁感应强度的不均匀度也会增大，进而使振动台输出电磁力减 小，波形易发生畸变。
技术实现思路
本技术的目的是为大行程电磁振动台提供一种能够'输出较大推力，振 动波形失真度较小的双磁路结构。本技术的大行程电磁振动台的双磁路结构，包括同轴线依次相连的第 一磁体、第一中心磁环、中心磁极、第二中心磁环和第二磁体，第一磁体和第 二磁体分别固定在外壳中，在中心磁极外同轴线套有筒状线圈和外磁极，外磁 极的两端分别与外壳端口紧固。为了方便装配，本技术的进一步特征是第一磁体和第二磁体分别用 非导磁螺栓固定在与外壳紧固的定位底座上。上述的第一磁体、第二磁体同极相对，可以是永久磁铁，也可以是电磁铁； 第一中心磁环、第二中心磁环、中心磁极、外磁极、外壳和定位底座均为导磁 率较高的导磁体。在这个磁路中，磁力线分别从两个磁体出发，由于两个磁体同极相对，所以 两路磁力线在中心磁极中间部位交汇，并通过气隙、外磁极、外壳形成闭合磁 路。由于两块磁体分别形成两个磁路，故称之为双磁路结构。由于双磁体互补 作用，使得气隙中产生了较大且较均匀的磁感应强度，该磁感应强度使得套在 中心磁极外的与振动台动圈相连的通电线圈在磁场中受力并产生运动，改变线 圈中所通电流的大小及其频率即可改变振动台输出的振动强度和振动频率。本技术的有益效果是，利用双磁路结构，在保持同样磁感应强度及均匀性的条件下，气隙长度大大增加；同时双磁路结构使得磁路系统的漏磁降低， 磁体利用率提高；双磁路结构磁场均匀，可使振动台输出波形的失真度得到极大的改善。附图说明图l是本技术的双磁路结构剖面图。具体实施方式以下结合附图对本技术进一步说明。参照图l，大行程电磁振动台的双磁路结构包括同轴线依次相连的第一磁体5、第一中心磁环6-l、中心磁极3、第二中心磁环6-2和第二磁体9，图示具体实 例中，第一磁体和第二磁体为永久磁铁；第一中心磁环、第二中心磁环、中心 磁极、外磁极、外壳和定位底座均为导磁率较高的纯铁制成。第一磁体5和第二 磁体9分别用非导磁螺栓2固定在与外壳8紧固的定位底座1上，外壳8与定位底座 l之间可以采用冷套或拼接方式相连。在中心磁极3外同轴线套有筒状线圈7和外 磁极4，外磁极4的两端分别与外壳8端口紧固，整个结构左右对称。线圈7处于中心磁极3与外磁极4之间形成的气隙中，第一'、第二磁体同极相 对，可在气隙中形成较强且较均匀的磁感应强度，改变中心磁极的长度可以调 节电磁振动台的行程。上述具体实施方式用来解释说明本技术，而不是对本技术进行限 制，在本技术的精神和权利要求的保护范围内，对本技术作出的任何 修改和改变，都落入本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大行程电磁振动台的双磁路结构，其特征是包括同轴线依次相连的第一磁体（５）、第一中心磁环（６－１）、中心磁极（３）、第二中心磁环（６－２）和第二磁体（９），第一磁体（５）和第二磁体（９）分别固定在外壳（８）中，在中心磁极（３）外同轴线套有筒状线圈（７）和外磁极（４），外磁极（４）的两端分别与外壳（８）端口紧固。

【技术特征摘要】
1.一种大行程电磁振动台的双磁路结构，其特征是包括同轴线依次相连的第一磁体(5)、第一中心磁环(6-1)、中心磁极(3)、第二中心磁环(6-2)和第二磁体(9)，第一磁体(5)和第二磁体(9)分别固定在外壳(8)中，在中心磁极(3)外同轴线套有筒状线圈(7)和外磁极(4)，外磁极(4)的两端分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：何闻，韩冬，贾叔仕，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：86[]