磁控电抗器型动态无功补偿装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种磁控电抗器型动态无功补偿装置，包括磁控电抗器，所述磁控电抗器包括第一铁芯和第二铁芯，两个铁芯上各设有两个绕组且交叉并联,第一绕组和第四绕组上各设有一个副绕组，两个副绕组各电连接有一个晶闸管，且两个晶闸管的导通方向相反，两个副绕组之间还并联有一个二极管；晶闸管的门极电连接有触发电路。本实用新型专利技术采用直流助磁原理，利用直流励磁磁化铁心，改变铁心磁导率，实现电抗值连续可调；由两个并列的铁芯形成两个并联磁路，结构对称；通过调节晶闸管触发导通角，控制附加直流励磁电流，励磁磁化铁芯。调整不饱和区域和饱和区域的面积或磁阻，以改变并联磁路中不饱和区域的磁化程度和饱和区域的磁饱和程度，实现电抗值的连续、快速可调。

Dynamic reactive power compensation device of magnetic control reactor

The utility model relates to a magnetron reactor type dynamic reactive power compensation device, including magnetron reactor, the reactor includes a first core and second core, two core are respectively provided with two parallel and cross winding, the first winding and fourth winding are respectively provided with a secondary winding, two secondary windings are respectively electrically connected with a a thyristor, and two thyristor conduction in the opposite direction, between the two secondary windings are connected in parallel with a diode; the thyristor gate is connected with a trigger circuit. The utility model adopts the DC magnetic assist principle, using the DC excitation magnetic core, changes the core permeability, the reactance is continuously adjustable; the formation of two parallel magnetic circuit, composed of two parallel core structure symmetry; by adjusting the conduction angle of thyristor trigger control, additional DC excitation current, excitation magnetic core. The area or reluctance of the unsaturated region and the saturated region is adjusted to change the degree of magnetization in the unsaturated region of the parallel magnetic circuit and the saturation degree of the saturation region, so that the reactance value is continuous, fast and adjustable.

【技术实现步骤摘要】
磁控电抗器型动态无功补偿装置
本技术涉及电力系统无功补偿
，尤其涉及一种磁控电抗器型动态无功补偿装置。
技术介绍
现有的磁控电抗器式动态无功补偿(滤波)装置主要包括以下几种：电容器分组自动投切、TSC型自动分组投切装置、调压式、TCR型SVC动态补偿装置以及MCR型SVC动态补偿装置，但是，这几种无功补偿装置存在一些弊端，例如电容器分组自动投切式式的无功补偿，利用真空开关或接触器，分组自动投切并联电容器；真空开关和接触器式的投切，涌流大，开关寿命低。即便采取多分组，也不能实现连续无级调节，TSC型自动分组投切装置利用串联晶闸管代替真空接触器，作为投切开关，对流过电容器的电流进行调节，实现无功功率的调整，其实质是自动分组投切，是传统技术的改进；晶闸管两端电压过零时投切，属于离散式控制，容易产生过补和欠补、电压容易波动，且晶闸管串联在高压回路，容易被击穿；晶闸管发热量大，需要辅助冷却设备，维护量大；以及调压式无功补偿装置，利用有载调压变压器(自耦式)调节电容器两端的电压，实现容性无功功率的调节；是细化了的分组自动投切，不能实现连续无级调节；有载开关触头烧毁频繁，寿命低；变压器本体受涌流冲击和谐波影响，可靠性下降。无法实现滤波，甚至可能引起谐振过电压的危险；TSVC型相控电抗器式动态无功补偿装置，以及现有磁阀式可控电抗和裂芯式可控电抗器在技术结构中都存在的缺陷。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种结构可靠、损耗小、噪声低、谐波少、制造成本低、能够可靠地应用于超/特高压电网的磁控电抗器型动态无功补偿装置。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种磁控电抗器型动态无功补偿装置，包括磁控电抗器，所述磁控电抗器包括两个并列设置的第一铁芯和第二铁芯，所述第一铁芯上设有第一绕组和第二绕组，所述第二铁芯上设有第三绕组和第四绕组，所述第一绕组与第四绕组电连接，所述第二绕组与第三绕组电连接，所述第一绕组和第四绕组上各设有一个抽头以及由所述抽头形成的副绕组，所述两个副绕组各串联有一个晶闸管，且所述两个晶闸管的导通方向相反，所述两个副绕组与晶闸管组成的支路间还并联有一个二极管；所述晶闸管的门极电连接有触发电路。作为优选的技术方案，所述触发电路包括整流电路、脉冲变压器以及脉冲发生电路。作为优选的技术方案，所述脉冲发生电路与所述脉冲变压器的初级绕组电连接，所述脉冲变压器的次级绕组与所述整流电路的输入端电连接，所述整流电路的输出端电连接至所述晶闸管的门极。作为优选的技术方案，所述整流电路是全桥整流电路或半桥整流电路。作为优选的技术方案，所述晶闸管和二极管均并联有滤波电路。由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：本技术采用直流助磁原理，利用直流励磁磁化铁心，改变铁心磁导率，实现电抗值连续可调。由两个并列的铁芯形成两个并联磁路，结构对称，在绕组上以自耦的方式设置副绕组，并连接两个导通方向相反的晶闸管，在铁芯上形成不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯，交错排列组成并联磁路，通过调节晶闸管触发导通角，控制附加直流励磁电流，励磁磁化铁芯。调整不饱和区域和饱和区域的面积或磁阻，以改变并联磁路中不饱和区域的磁化程度和饱和区域的磁饱和程度，实现电抗值的连续、快速可调。饱和区域铁芯的漏磁通，通过不饱和区域铁芯吸收而形成自屏蔽，使铁芯的损耗、噪声、谐波含量大幅度降低。本技术不需要采用单独的磁屏蔽装置，也不需要在金属结构件上附设磁屏蔽结构，工艺简单，可靠。本技术中的电抗器，可使铁芯的损耗、噪声、谐波含量大幅度降低，具有高可靠性、成本低和易于加工的优点。副绕组和晶闸管组成励磁电流支路，结构和电气连接方式简单可靠，磁饱和速度快，响应时间短。由于单独设置了脉冲变压器，脉冲变压器与磁控电抗器的绕组之间不存在电磁关系，触发电路的电压和电流易控制，且现有技术中在电抗器上复合一个绕组用作变压器的方式相比，电抗器的安全可靠性更高，结构更稳定简单，电气连接方式更可靠。由于设置了触发电路，将脉冲发生电路产生的触发信号通过脉冲变压器放大使该信号的电压等级与晶闸管的导通电压等级相应，通过将放大的脉冲信号通过整流电路，与现有技术中先整流再升压的方式相比，信号更加稳定，信号波动小，晶闸管触发电压的稳定，增强了本技术的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例的电路原理图。具体实施方式如图1所示，一种磁控电抗器型动态无功补偿装置，包括磁控电抗器，磁控电抗器包括两个并列设置的第一铁芯和第二铁芯，第一铁芯上设有第一绕组N11和第二绕组N12，第二铁芯上设有第三绕组N21和第四绕组N22，第一绕组N11与第四绕组N22电连接，第二绕组N12与第三绕组N21电连接，第一绕组N11和第四绕组N22上各设有一个抽头以及由抽头形成的副绕组N1K、N2K，两个副绕组N1K、N2K分别电连接有晶闸管VT1，VT2，且晶闸管VT1，VT2的导通方向相反，在由副绕组N1K与晶闸管VT1形成的支路以及由副绕组N2K与晶闸管VT2形成的支路之间还并联有一个二极管VD；晶闸管VT1，VT2的门极电连接有触发电路。触发电路包括整流电路、脉冲变压器以及脉冲发生电路。本实施例中，晶闸管VT1，VT2的门极分别电连接有一个触发电路。其中，晶闸管VT1的触发电路中，脉冲发生电路的输出端B1、B2与脉冲变压器T1的初级绕组电连接，脉冲变压器T1的次级绕组与整流电路的输入端电连接，整流电路的输出端电连接至晶闸管VT1的门极。整流电路为半桥整流电路，包括二极管VD2、VD3和电阻R4。晶闸管VT2的触发电路中，脉冲发生电路的输出端B3、B2与脉冲变压器T2的初级绕组电连接，脉冲变压器T2的次级绕组与整流电路的入端电连接，整流电路的输出端电连接至晶闸管VT2的门极。整流电路为半桥整流电路，包括二极管VD4、VD5和电阻R5。晶闸管VT1、VT2和二极管VD均并联有滤波电路。本技术中，触发电路也可包括一个，晶闸管VT1、VT2的门极均与该触发电路，该触发电路在一个周期内交替触发晶闸管VT1、VT2。本实施例中，绕组N11与N1k以及绕组N22与N2k均是自耦式，以N11为例，N1k是绕组N11副绕组的一部分，N1k的匝数是N11的1～2％；晶闸管VT1与绕组N1k串联，其上的电压比较低，仅为系统电压的1～2％，数量一般为1只串联，保证了晶闸管运行的可靠性。电源电压正半周，触发导通晶闸管VT1，在回路中产生励磁电流；电源电压负半周，触发导通晶闸管VT2，也在回路中产生励磁电流；一个周期内电源电压轮流触发导通晶闸管VT1、VT2，经过二极管VD续流，产生连续的励磁电流，由此，实现了通过改变晶闸管VT1、VT2的导通角а，可以平滑调节电抗器的容量；并且，可以根据设定铁芯的励磁磁化程度，以满足电抗器对调节速度的要求。本实施例中，整流电路不局限于半桥整流电路，全桥整流电路在本技术中同样适用。以上显示和描述了本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控电抗器型动态无功补偿装置，包括磁控电抗器，所述磁控电抗器包括两个并列设置的第一铁芯和第二铁芯，所述第一铁芯上设有第一绕组和第二绕组，所述第二铁芯上设有第三绕组和第四绕组，所述第一绕组与第四绕组电连接，所述第二绕组与第三绕组电连接，其特征在于：所述第一绕组和第四绕组上各设有一个抽头以及由所述抽头形成的副绕组，所述两个副绕组各串联有一个晶闸管，且所述两个晶闸管的导通方向相反，所述两个副绕组与晶闸管组成的支路间还并联有一个二极管；所述晶闸管的门极电连接有触发电路。

【技术特征摘要】
1.一种磁控电抗器型动态无功补偿装置，包括磁控电抗器，所述磁控电抗器包括两个并列设置的第一铁芯和第二铁芯，所述第一铁芯上设有第一绕组和第二绕组，所述第二铁芯上设有第三绕组和第四绕组，所述第一绕组与第四绕组电连接，所述第二绕组与第三绕组电连接，其特征在于：所述第一绕组和第四绕组上各设有一个抽头以及由所述抽头形成的副绕组，所述两个副绕组各串联有一个晶闸管，且所述两个晶闸管的导通方向相反，所述两个副绕组与晶闸管组成的支路间还并联有一个二极管；所述晶闸管的门极电连接有触发电路。2.如权利要求1所述的一种磁控电抗器型动态...

【专利技术属性】
技术研发人员：于会震，
申请(专利权)人：淄博联诚电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37